一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管技术领域，尤其是指一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要光源得到快速发展。近年来发光二极管的利用领域正在迅速扩展，而提高发光二极管亮度和降低发光二极管成本成为LED发展的技术目标。
[0003]高压发光二极管(HV-LED)可以较为明显地降低发光二级管的成本，HV-LED具有两大优点:一，有效降低LED照明灯具的成本和重量，二，大幅降低对散热系统的设计要求，解决了 LED照明市场的散热技术障碍。
[0004]HV-LED高电压、小电流工作条件颠覆了传统LED低电压、大电流工作要求。LED照明灯具由于采用HV-LED的SOP而降低发热，灯具结构造型趋向节省散热材料、大于270度发光、低成本、轻重量等。HV-LED芯片组高电压、小电流工作条件，与传统LED低电压、大电流工作环境相比，HV-LED工作时发热明显降低；HV-LED只需高压线性恒流源就能很好的工作，高压线性恒流电源无变压器、无电解电容器解决了传统LED驱动电源和电解电容器的使用寿命问题。
[0005]然而，现有技术尚压发光一极管的发光功率有待进一步提尚，同时，封装成本有待进一步降低，本案由此产生。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，由该方法制作的高压发光二极管可以提高发光功率，同时降低封装成本。
[0007]为达成上述目的，本发明的解决方案为:
一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，包括以下步骤:
一，在外延衬底上表面由下至上依次设置缓冲层、剥离层、第一型导电层、有源层和第二型导电层；
二，制作底部各子级发光二极管，在第二型导电层表面蒸镀透明导电材料，形成第二电流扩展导电层；
三，在第二电流扩展导电层表面采用掩膜、ICP刻蚀，形成外延隔离槽，且蚀刻深度至外延衬底，形成各个独立外延发光结构；
四，在第二电流扩展导电层表面采用掩膜、ICP刻蚀，形成第一电极制作区域，蚀刻深度至第一型导电层；
五，在第一型导电层的第一电极制作区域上形成第一电极，第一电极与外延发光结构之间隔着电极隔离槽；
六，在第二电流扩展导电层上形成第二电极；第一电极与第二电极在同一侧面，且第一电极与第二电极的表面在同一水平面；
七，蒸镀绝缘材料填充外延隔离槽和电极隔离槽形成外延绝缘层和电极绝缘层，且底部各子级发光二极管构成底部高压模块的周围切割道的外延隔离槽无填充，由此形成底部各子级发光二极管；
八，重复步骤一至七制作顶部各子级发光二极管；
九，底部第一子级发光二极管与顶部第一子级发光二极管键合:底部第一子级发光二极管的第一电极与顶部第一子级发光二极管的第二电极形成导电连接；底部第一子级发光二极管的第二电流扩展导电层与顶部第一子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
十，顶部第一子级发光二极管与底部第二子级发光二极管键合:顶部第一子级发光二极管的第一电极与底部第二子级发光二极管的第二电极形成导电连接；顶部第一子级发光二极管的第二电流扩展导电层与底部第二子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
十一，底部第二子级发光二极管与顶部第二子级发光二极管键合:底部第二子级发光二极管的第一电极与顶部第二子级发光二极管的第二电极采用金属键合材料形成连接；底部第二子级发光二极管的第二电流扩展导电层与顶部第二子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；依次连接至顶部第η子级发光二极管和底部第η子级发光二极管；
十二，顶部第η子级发光二极管与底部第η+1子级发光二极管键合；顶部第η子级发光二极管的第一电极与底部第η+1子级发光二极管的第二电极形成导电连接；顶部第η子级发光二极管的第二电流扩展导电层与底部第η+1子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
十三，底部第η+1子级发光二极管的第一电极与底部第一子级发光二极管的第二电极为焊台电极；
十四，剥离去除顶部各子级发光二极管的外延衬底；采用背切技术，在底部各子级发光二极管的外延衬底上切割裂片，形成高压发光二极管。
[0008]一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，包括以下步骤:
一，在外延衬底上表面由下至上依次设置缓冲层、腐蚀截止层、第一型导电层、有源层、第二型导电层；
二，制作底部各子级发光二极管，在第二型导电层表面形成介质层，且在介质层中形成若干通孔，通孔的深度至第二型导电层；
三，在介质层表面蒸镀金属，形成金属反射层，且金属填满通孔形成导电通道；
四，采用非导电键合材料将金属导电层与基板键合，形成非导电键合层；
五，腐蚀去除外延衬底、缓冲层与腐蚀截止层，露出第一型导电层；
六，在第一型导电层表面蒸镀透明导电材料，形成第一电流扩展导电层；
七，在第一电流扩展导电层上采用掩膜、ICP刻蚀，制作外延隔离槽，且外延隔离槽深度至非导电键合层，形成各个独立外延发光结构；
八，在第一电流扩展导电层上采用掩膜、ICP刻蚀，制作，形成第二电极制作区域，蚀刻深度至介质层表面； 九，在第二电极制作区域上形成第二电极，第二电极通过导电通道与金属反射镜形成连接，且第二电极与外延发光结构的侧壁之间隔着电极隔离槽；
十，在第一电流扩展导电层上形成第一电极，且第一电极与第二电极在同一侧，且第一电极与第二电极的表面在同一水平面；
十一，蒸镀绝缘材料填充外延隔离槽和电极隔离槽形成外延绝缘层和电极绝缘层，且底部各子级发光二极管构成底部高压模块的周围切割道的外延隔离槽无填充，形成底部各子级发光二极管；
十二，制作顶部各子级发光二极管，在第二型导电层表面蒸镀透明导电材料，形成第二电流扩展导电层；
十三，在第二电流扩展导电层表面采用掩膜、ICP刻蚀，形成外延隔离槽，且蚀刻深度至外延衬底，形成各个独立外延发光结构；
十四，在第二电流扩展导电层表面采用掩膜、ICP刻蚀，形成第一电极制作区域，蚀刻深度至第一型导电层；
十五，在第一型导电层的第一电极制作区域上形成第一电极，且第一电极与外延发光结构的侧壁之间隔着电极隔离槽；
十六，在第二电流扩展导电层上形成第二电极，且第二电极与第一电极在同一侧，且第二电极与第一电极表面在同一水平面；
十七，蒸镀绝缘材料填充外延隔离槽和电极隔离槽形成外延绝缘层和电极绝缘层，且顶部各子级发光二极管构成底部高压模块的周围切割道的外延隔离槽无填充，至此形成顶部各子级发光二极管；
十八，底部第一子级发光二极管与顶部第一子级发光二极管键合:底部第一子级发光二极管的第二电极与顶部第一子级发光二极管的第一电极形成导电连接；底部第一子级发光二极管的第一电流扩展导电层与顶部第一子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
十九，顶部第一子级发光二极管与底部第二子级发光二极管键合:顶部第一子级发光二极管的第二电极与底部第二子级发光二极管的第一电极形成导电连接；顶部第一子级发光二极管的第二电流扩展导电层与底部第二子级发光二极管的第一电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
二十，底部第二子级发光二极管与顶部第二子级发光二极管键合:底部第二子级发光二极管的第二电极与顶部第二子级发光二极管的第一电极形成导电连接；底部第二子级发光二极管的第一电流扩展导电层与顶部第二子级发光二极管的第二电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；依次连接至顶部第η子级发光二极管和底部第η子级发光二极管；
二十一，顶部第η子级发光二极管与底部第η+1子级发光二极管键合:顶部第η子级发光二极管的第二电极与底部第η+1子级发光二极管的第一电极米用金属键合材料形成连接；顶部第η子级发光二极管的第二电流扩展导电层与底部第η+1子级发光二极管的第一电流扩展导电层采用非导电键合材料键合，形成非导电键合层；
二十二，底部第η+1子级发光二极管的第二电极与底部第一子级发光二极管的第一电极为焊台电极； 二十三，分别腐蚀去除顶部发光外延片的外延衬底、缓冲层与腐蚀截止层，露出第一型导电层的表面；采用背切技术在底部各子级发光二极管的外延衬底上切割裂片，形成高压发光二极管。
[0009]一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，包括以下步骤:
一，在外延衬底上表面由下至上依次设置缓冲层、腐蚀截止层、第一型导电层、有源层、第二型导电层；
二，制作底部各子级发光二极管，在第二型导电层表面形成介质层，且在介质层中形成若干通孔，通孔的深度至第二型导电层；
三，在介质层表面蒸镀金属，形成金属反射层，且金属填满通孔形成导电通道；
四，采用非导电键合材料将金属导电层与基板键合，形成非导电键合层；
五，分别腐蚀去除外延衬底、缓冲层与腐蚀截止层，露出第一型导电层；
六，在第一型导电层表面蒸镀透明导电材料材料，形成第一电流扩展导电层；
七，在第一电流扩展导电层上采用掩膜、ICP刻蚀，制作外延隔离槽，且外延隔离槽深度至非导电键合层，形成各个独立外延发光结构；
八，在第一电流扩展导电层上采用掩膜、ICP刻蚀，制作，形成第二电极制作区域，蚀刻深度至介质层表面；
九，在第二电极制作区域上形成第二电极，第二电极通过导电通道与金属反射镜形成连接，且第二电极与外延发光结构的侧壁之间隔着电极隔离槽；第二电极与第一电流扩展导电层在同一侧，且第二电极表面与第一电流扩展导电层在同一水平面；
十，蒸镀绝缘材料填充外延隔离槽和电极隔离槽形成外延绝缘层和电极绝缘层，且底部各子级发光二极管构成底部高压模块的周围切割道的外延隔离槽无填充，至此形成底部各子级发光二极管；
十一，制作顶部各子级发光二极管，在第二型导电层表面蒸镀电流扩展材料，