中选择的：并五苯、红荧烯、十六氟铜酞菁、二萘嵌苯-四羧基二酐、萘-四羧酸二酐、 铜酞菁、a-六噻吩、6,13-双（三-异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯、N，N'_双十三烷酯二 萘嵌苯-3,4,9,10-四羧基二酰亚胺、4,4' -双[N- (1-萘基）-N-苯基-氨基]-联苯、a -萘 基苯基联苯二胺、p掺杂的聚乙炔、n掺杂的聚乙炔、以及它们的组合。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一种有机绝缘材料为聚乙烯。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一种导电材料是从铜、铝、金、红荧烯、 以及它们的组合构成的组中选择的。
9. 根据权利要求1到3中的任一项所述的方法，其中，在所述多个层中的层包括多种材 料时，所述方法还包括利用所述主处理器将所述多个层中的所述层处理成多个三维像素， 其中，所述多个三维像素中的每一个限定了所述多种材料的其中之一的区域。
10. 根据权利要求1到3中的任一项所述的方法，其中，所述集成电路包括多个电子部 件层。
11. 根据权利要求1到3中的任一项所述的方法，其中，所述集成电路为三维集成电路。
12. -种三维印刷装置，包括： 控制器； 印刷头；以及 材料储存器； 其中： 所述控制器被配置为利用主处理器将集成电路的数字模型处理成多个层； 所述集成电路包括至少一个电子部件，所述至少一个电子部件包括至少一个半导体 区；并且 所述印刷头被配置为通过使用所述材料储存器中包含的一种或多种材料在支撑件上 反复沉积所述多个层中的每一个来生产所述集成电路的可操作的物理副本。
13. 根据权利要求12所述的三维印刷装置，其中，所述印刷头包括至少一个沉积机构 和至少一个固化机构，其中，所述沉积机构被配置为在所述支撑件上生产来自所述材料储 存器的未固化的材料的层，并且所述固化机构被配置为使所述未固化的材料的层固化。
14. 根据权利要求13所述的三维印刷装置，其中，所述沉积机构通过以下方式的至少 其中之一来生产所述未固化的材料的层： 在所述支撑件上挤出所述材料储存器中的材料的熔化挤出物； 在所述支撑件上沉积所述材料储存器中的材料的颗粒；以及 在所述支撑件上形成来自所述材料储存器的可光聚合的材料的层。
15. 根据权利要求14所述的三维印刷装置，其中，所述固化机构通过向所述层施加光 和热的至少其中之一来使所述未固化的材料的层固化。
16. 根据权利要求12所述的三维印刷装置，其中，所述印刷头包括多个喷嘴。
17. 根据权利要求12到16中的任一项所述的三维印刷装置，其中，所述材料储存器包 含至少一种半导体有机材料，并且所述印刷头被配置为利用所述至少一种半导体有机材料 来物理复制所述至少一个半导体区。
18. 根据权利要求17所述的三维印刷装置，其中，所述数字模型还包括电绝缘区和导 电区，所述材料储存器包含至少一种有机绝缘材料和至少一种导电材料，并且所述印刷头 被配置为分别利用所述至少一种有机绝缘材料和所述至少一种导电材料来物理复制所述 电绝缘区和所述导电区。
19. 根据权利要求12到16中的任一项所述的三维印刷装置，其中，所述集成电路包括 多个电子部件层。
20. 根据权利要求12到16中的任一项所述的三维印刷装置，其中，所述集成电路为三 维集成电路。
21. -种三维集成电路，其包括多个电子部件，其中，所述多个电子部件的至少其中之 一包括由至少一种半导体有机材料形成的半导体区。
22. 根据权利要求21所述的三维集成电路，其中，所述多个电子部件的所述至少其中 之一还包括由导电材料形成的导电区。
23. 根据权利要求21所述的三维集成电路，其中，所述多个电子部件的所述至少其中 之一还包括由至少一种有机绝缘材料形成的电绝缘区。
24. 根据权利要求23所述的三维集成电路，其中，所述有机绝缘材料为聚乙烯。
25. 根据权利要求22所述的三维集成电路，其中，所述导电材料是从铜、金、铝、红荧 烯、以及它们的组合中选择的。
26. 根据权利要求21所述的三维集成电路，其中，所述多个电子部件的所述至少其中 之一是有源电子部件或无源电子部件。
27. 根据权利要求26所述的三维集成电路，其中，所述多个电子部件的所述至少其中 之一是晶体管、二极管或光电子器件。
28. 根据权利要求21所述的三维集成电路，其中，所述半导体区包括栅极、沟道、源极、 漏极、基极、发射极、集电极或它们的组合。
29. 根据权利要求21到29中的任一项所述的三维集成电路，其中，所述半导体有机 材料是从以下材料构成的组中选择的：并五苯、红荧烯、十六氟铜酞菁、二萘嵌苯-四羧基 二酐、萘-四羧酸二酐、铜酞菁、a _六噻吩、6,13-双（三-异丙基甲硅烷基乙炔基）并五 苯、N，N' -双十三烷酯二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧基二酰亚胺、4,4' -双[N- (1-萘基）-N-苯 基-氨基]-联苯、a _萘基苯基联苯二胺、P掺杂的聚乙炔、n掺杂的聚乙炔、以及它们的组 合。
30. -种用于测试集成电路的方法，包括：利用计算设备的主处理器将所述集成电路 的第一数字模型转换成所述集成电路的第二数字模型，其中： 所述集成电路包括多个电子部件，所述多个电子部件包括一个或多个半导体区； 所述第一模型指定将一种或多种无机半导体材料用于所述半导体区；并且 所述第二数字模型指定将一种或多种半导体有机材料用于所述半导体区。
31. 根据权利要求30所述的方法，其中： 所述多个电子部件还包括一个或多个电绝缘区； 所述第一数字模型指定将一种或多种无机绝缘材料用于所述电绝缘区；并且 所述第二数字模型指定将一种或多种有机绝缘材料用于所述电绝缘区。
32. 根据权利要求30所述的方法，还包括使用加法制造装置来生产所述第二数字模型 的可操作的物理副本。
33. 根据权利要求30所述的方法，其中，所述生产可操作的物理副本包括： 利用所述主处理器将所述三维集成电路的所述第二数字模型处理成多个层；以及 利用加法制造装置在支撑件上反复形成所述多个层，以便生产所述第二数字模型的物 理副本； 其中，使用所述一种或多种半导体有机材料来在所述物理副本中复制所述第二数字模 型中的所述半导体区。
34. 根据权利要求33所述的方法，其中： 所述第一数字模型指定将一种或多种无机绝缘材料用于所述电绝缘区； 所述第二模型指定将一种或多种有机绝缘材料用于所述电绝缘区；并且 使用所述一种或多种有机绝缘材料来在所述物理副本中复制所述电绝缘区。
35. 根据权利要求32所述的方法，还包括测试所述可操作的物理副本的至少一个参 数。
36. 根据权利要求35所述的方法，还包括基于所述测试来修正所述第一模型和所述第 二模型的至少其中之一，由此生产修正的第一模型、修正的第二模型或它们的组合。
37. 根据权利要求36所述的方法，还包括基于所述修正的第一模型、所述修正的第二 模型或它们的组合来生产所述集成电路的修正的物理副本。
38. 根据权利要求30到37中的任一项所述的方法，其中，所述集成电路包括多个电子 部件层。
39. 根据权利要求30到37中的任一项所述的方法，其中，所述集成电路为三维集成电 路。
40. -种计算机可读介质，其上存储有三维模型转换（3DMC)指令，其中，所述3DMC指令 在被处理器执行时使所述处理器执行以下操作，所述操作包括： 将集成电路的第一数字模型转换成所述集成电路的第二数字模型，其中： 所述集成电路包括多个电子部件，所述多个电子部件包括一个或多个半导体区； 所述第一模型指定将一种或多种半导体无机材料用于所述半导体区；并且 所述第二数字模型指定将一种或多种半导体有机材料用于所述半导体区。
41. 根据权利要求40所述的计算机可读介质，其中，所述3DMC指令在被执行时进一步 使所述处理器在所述转换期间执行： 将由所述第一数字模型指定的无机半导体材料与一种或多种有机半导体材料相关联； 以及 指定将所述有机半导体材料用于所述第二模型的对应的半导体区中。
42. 根据权利要求40所述的计算机可读介质，其中，所述3DMC指令在被执行时进一步 使所述处理器执行： 将所述第二数字模型处理成多个层；以及 向加法制造装置输出信号，其中，所述信号被配置为使所述加法制造装置生产所述第 二数字模型的可操作的物理副本。
43. 根据权利要求42所述的计算机可读介质，其中，所述信号被配置为使所述加法制 造装置在支撑件上反复形成所述多个层，从而使用所述一种或多种半导体有机材料来在所 述物理副本中复制所述第二数字模型中的所述一个或多个半导体区。
44. 根据权利要求41所述的计算机可读介质，其中，所述3DMC指令在被执行时进一步 使所述处理器在所述转换期间执行： 将由所述第一数字模型指定的用于所述三维集成电路的一个或多个电绝缘区中的无 机绝缘材料与一种或多种有机绝缘材料相关联；以及 指定将所述有机绝缘材料用于所述第二模型的对应的电绝缘区中。
45. 根据权利要求42所述的计算机可读介质，其中，所述信号使所述加法制造系统利 用所述一种或多种有机绝缘材料来生产所述物理副本中的所述一个或多个电绝缘区。
【专利摘要】本发明描述了包括半导体有机材料的三维集成电路。在一些实施例中，三维集成电路包括一个或多个电子部件，一个或多个电子部件包括由一种或多种半导体有机材料形成的半导体区。三维集成电路的电子部件还可以包括由有机绝缘材料形成的绝缘区和由导电材料形成的导电区。三维集成电路可以由诸如三维印刷的加法制造工艺形成。本发明还描述了用于生产和测试三维集成电路的装置和方法。
【IPC分类】H01L29-02
【公开号】CN104756255
【申请号】CN201380057171
【发明人】D·E·尼科诺夫, R·L·赞克曼, R·金, J·潘
【申请人】英特尔公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年11月21日
【公告号】EP2926375A1, US8963135, US20140152383, WO2014085170A1