y方向的摆放间距，r为切割刀的厚度。色温的控制依胶和荧 光粉的配比和最终封装胶的厚度来确定，这里不做具体限定。
[0068] 所采用的封装胶50,在转换基膜30上固化后具有合适的硬度，硬度不低于 70sh〇re，易于利用机械方法切割，不崩边并具有目前通用LED封装胶的品质要求。此外，这 里的封装胶尤其要具有焊锡耐热性，所涂胶膜无剥离。
[0069] 应用上述方法得到了芯片级封装结构，图4为封装好后完成切割分离的芯片级封 装结构。所述转换基膜30被从LED芯片1、2、3表面分离，暴露第一电极15和第二电极14 的表面。
[0070] 如图5所示，将芯片级封装结构安装在电路板或支架70内，所述芯片级封装结构 的第一电极15和第二电极14通过焊接、粘接等方式与电路板或支架70上对应的电极焊盘 71和72固定并电连接。
[0071] 实施例三：
[0072] 在实施例一和二的基础上，结合图6至图8B，提供了另一个实施例：
[0073] 如图6所示，在实施例二的基础上，在所述转换基膜上的倒装发光器件之间和/或 周围形成围坝。
[0074] 具体地：在多个倒装LED结构LED芯片1、2、3以一定的间隔20排列在转换基膜30 上之后，在LED芯片1-3的周围形成"围坝"80。围坝80可以采用贴膜方式或其它形成，可 以是一个只分布在所有芯片或部分芯片周围的大的围坝80(如图7A所示）也可是多个网 格状（如图7B所示）结构，但要求围坝80高度均匀一致。
[0075] 将调配好的封装胶50在围坝内均匀涂敷，并保证无气泡。通过所述围坝80将涂 覆在LED芯片1-3上方和周围的封装胶50分隔开来。围坝80的高度超过LED芯片1的厚 度，使得采用封装胶50封装LED芯片1时，覆盖在LED芯片1上方的封装胶厚度与侧壁的 厚度相当，如图8A所示，以使得整个芯片沿各个发光面发出的光色温和/或亮度均匀。胶 的固化采用热固化和紫外光固化相结合的方式，保证固化后具有一定的硬度和韧性，便于 切割。
[0076] 如图8B所示，所述封装胶50中可以混有波长转换材料55,如荧光粉。
[0077] 封装胶50适度固化后去除围坝80,再依封装胶50的硬度和韧性二次调整固化条 件，之后进行倒膜，切割，形成单个的芯片级封装结构。
[0078] 采用围坝80要避免封装胶侵入芯片与转换基膜之间，沾污芯片表面的电极层。
[0079] 实施例四：
[0080] 在实施例一至实施例三中提供的芯片级封装方法的基础上，本实施例中为增加封 装胶50与所述衬底10表面的粘附性，进一步在衬底10的表面先形成一层对可见光有高透 射率的介质薄膜16,如图9所示。所述介质薄膜16由氧化硅等组成，与封装胶50和衬底 10都有良好的粘附性。所述介质薄膜16的厚度保证其对可见光具有至少70%以上的透射 率，优选在90%以上。厚度在几A到几微米之间，优选在50nm-200nm之内。所述介质薄膜 16可以是单层膜，也可以是多层膜，可以通过气相沉积、溅射或旋涂等方式形成。
[0081] 与现有技术相比，本发明所述的发光器件的芯片级封装方法及结构，达到了如下 效果：
[0082] 1)本发明采用塑料膜作为支撑和排列芯片的转换基膜，直接对芯片进行封装，大 大简化芯片的封装工艺步骤，同时节省了将芯片转移到其他支撑基板所需材料成本，对于 降低芯片封装成本具有重要意义，此外还解决了荧光胶或封装胶与蓝宝石衬底之间的粘附 性的问题；
[0083] 2)与现有技术相比，本发明省去了通常封装时要用的芯片支撑基板或支架，而只 对该发光器件进行封装，降低了系统热阻；
[0084] 3)与现有技术相比不但简化了制程还使产品小型化，降低了成本，方便终端用户， 提高了生产效率，并拓宽了应用范围；
[0085] 4)由于设置了围坝，限制了封装胶的高度，切割后，在芯片级封装结构周围的封装 胶厚度一致，以使得LED芯片发出的光与经荧光粉转化后的光在各个方向上混光均匀，保 证了色温均匀性。
[0086] 由于方法部分已经对本申请实施例进行了详细描述，这里对实施例中涉及的结构 与方法对应部分的展开描述省略，不再赘述。对于结构中具体内容的描述可参考方法实施 例的内容，这里不再具体限定。
[0087] 上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请 并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、 修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识 进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申 请所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1. 一种发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，包括： 将至少一个倒装发光器件等距离排列在转换基膜上，所述倒装发光器件的主出光面背 离所述转换基膜，其中，所述转换基膜的表面具有一定粘度而且耐高温，用于粘附所述倒装 发光器件； 在所述转换基膜上的倒装发光器件之间和/或周围形成围坝； 分别在所述倒装发光器件和转换基膜上涂覆封装胶，所述封装胶为光固化胶、热固化 胶或热固化与光固化结合的封装胶中的一种； 待所述封装胶固化到无流动性时去除所述围坝； 待所述封装胶完全固化后切割所述封装胶； 去除所述转换基膜，倒膜后得到芯片级封装结构。
2. 根据权利要求1所述的发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述围坝的材料 为塑料膜或光敏感型胶。
3. 根据权利要求1所述的发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述封装胶，进一 步为，有机硅型封装胶或树脂型封装胶，其中， 当所述封装胶为有机硅型封装胶或树脂型封装胶时，所述转换基膜的粘度在 l-100gf/25mm 之间。
4. 根据权利要求1所述的发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述转换基膜为 蓝膜、白膜或UV膜。
5. 根据权利要求4所述的发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，当所述转换基膜 为UV膜时，所述转换基膜经紫外光照射后粘度在l-100gf/25mm之间。
6. 根据权利要求1所述发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述倒装发光器件 的主出光面覆盖一层连接所述封装胶与主出光面之间的介质膜。
7. 根据权利要求6所述发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述介质膜的透射 率大于等于70%，厚度在50nm至200nm之间，该介质膜由氧化物或氮化物组成。
8. 根据权利要求1所述发光器件的芯片级封装方法，其特征在于，所述切割所述封装 胶后，所述倒装发光器件上方的封装胶厚度d = (w-r) /2,其中，w为所述倒装发光器件之间 的距离，r为切割刀宽度。
9. 一种应用权利要求1至8中任一所述的发光器件的芯片级封装方法制成的芯片级封 装结构。
【专利摘要】本申请公开了一种发光器件的芯片级封装方法，包括步骤：将至少一个倒装发光器件等距离排列在转换基膜上，所述倒装发光器件的主出光面背离所述转换基膜；在所述转换基膜上的倒装发光器件之间和/或周围形成围坝；分别在所述倒装发光器件和转换基膜上涂覆封装胶；待所述封装胶固化到无流动性时去除所述围坝；待所述封装胶完全固化后切割所述封装胶；去除所述转换基膜，倒膜后得到芯片级封装结构。本发明还公开了一种发光器件的芯片级封装结构。本发明在大大简化芯片的封装工艺步骤、节省芯片的支撑基板、降低成本及更加方便用户提高工作效率等方面具有重要意义。
【IPC分类】H01L33-52, H01L33-00
【公开号】CN104851961
【申请号】CN201510130969
【发明人】王良臣, 汪延明, 苗振林, 梁智勇, 许亚兵
【申请人】湘能华磊光电股份有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年3月24日