br>[0065]图示的例子是通过以作为最初的图案(最下层的图案)形成的多晶硅图案23，形成TFT22的半导体膜以及来自该TFT22的配线。在图示的例子中，TFT22的每个像素点2的多晶硅图案23形成在与扫描线12(图4中省略)的分支部12A交叉的位置。扫描线12及像素容量形成用图案12B(仅在图4中表示)设置在覆盖多晶硅图案23的栅绝缘膜26上。而且，在覆盖扫描线12等的图案的层间绝缘膜27上，设置信号线21及虚设配线11的图案。图示的例子是与信号线21同时，在每个像素点上设置有岛状图案24，信号线21及岛状图案24经由贯通层间绝缘膜27和栅绝缘膜26的接触孔28分别与多晶硅图案23的两端部导通。这样，信号线21和岛状图案24经由TFT22相互电连接。
[0066]另外，在图4所示的例子中，经过树脂液32的涂布、曝光和固化等工序，覆盖信号线12及岛状图案24，设置了作为平坦化膜的厚型树脂膜35和贯通其的接触孔36。上述接触孔36使设置在厚型树脂膜35上的像素电极与上述岛状图案24电连接。另一方面，在图5所示的例子中，信号线21以波浪状延伸。另外，各像素点2为大致被信号线21及扫描线12划分的区域，其为在信号线21的方向上长的矩形。
[0067]以下，对于到图4的状态为止的与上述内容相对应的制造方法的具体例子进行说明。
[0068](I)第一布图:首先，在玻璃基板25上，形成分别由氮化硅膜及氧化硅膜形成的第一及第二的底涂层25A、25B。接着，在以等离子体CVD法进行的非晶质硅膜(例如50nm厚)的沉积及退火处理之后，照射例如准分子激光，从而达成熔融、结晶化。然后，通过布图，在各像素点2上设置包括TFT22的半导体膜的多晶硅图案23，并且在驱动-连接用配线区域19中，设置用于驱动电路部的TFT的半导体膜等。
[0069](2)第二布图:以等离子体CVD法形成由氧化硅膜形成的栅绝缘膜26 (例如10nm厚)，之后以溅射法使例如300nm厚的钼-钨合金膜(MoW膜)沉积。然后，通过布图，在各面板区域15中形成扫描线21等。接着，以扫描线21的枝状延伸部21A作为掩模，使用离子注入装置来进行掺杂(例如参照日本特开2001-339070)。
[0070](3)第三布图:接着，以等离子体CVD法来沉积由氧化硅膜及氮化硅膜这两层膜形成的层间绝缘膜27 (例如600nm厚)，然后通过布图来作成贯通栅绝缘膜26及层间绝缘膜27的接触孔28。
[0071](4)第四布图:以溅射来沉积例如铝金属层被上下的钛(Ti)层夹成三明治状的三层金属膜(Ti/Al/Ti)。例如，依次使150nm厚的Ti层、500nm的铝(Al)层以及50nm厚的Ti层沉积。通过将该三层金属膜布图，在各面板区域15中作成信号线21和岛状金属图案24。另外，同时作成虚设配线11。
[0072](5)以狭缝涂布法进行的涂布和第五布图:以狭缝涂布法，均匀地涂布由丙烯酸系树脂、硅氧烷树脂等形成的感光性的固化性树脂液，以使厚度为约2 μπι。例如，可以使用由丙烯酸系树脂、交联性单体、光酸发生剂及溶剂等形成的正型的感光性树脂液，通过具备无密封泵及固定式狭缝喷嘴的狭缝涂布装置，一边使搭载了母基板的载台在一个方向上缓缓地移动一边进行涂布。此时，通过在涂布开始位置设置虚设配线图案，能够抑制上述鼓起部(边界)33的产生，改善涂布不均。涂布后，在将接触孔36形成位置掩盖的同时对整面照射紫外线来进行曝光，然后以碱性溶液进行显影，然后进行漂白(bleaching)处理(脱色曝光)，进行加热处理(焙烧，bake)，得到如图4所示那样的在规定位置具有接触孔36的厚型树脂膜35。此外，在通过厚型树脂膜35来设置遮光膜及滤色器层的情况下，也可以进行以喷墨法进行的染料涂布及定影等一系列操作。
[0073]在形成作为平坦化膜的厚型树脂膜35之后，可以适当通过在其上设置像素电极的图案来得到液晶显示装置用阵列基板。例如，在用于FFS型液晶显示装置的阵列基板的情况下，可以在厚型树脂膜35上设置共用电极的图案，然后再设置绝缘膜，之后在该绝缘膜之上设置岛状金属图案和经由接触孔36连接的像素电极的图案。
[0074]此外，在阵列基板用于有机EL显示装置的情况下，可以在厚型树脂膜35上设置与像素电极相当的导电层图案，在其上设置由有机发光层及共用电极层等形成的层叠图案。
【主权项】
1.一种平面显示装置用阵列基板的制造方法，其包括下述工序:在基板上的像素排列区域，设置以向一个方向延伸的方式排列的一系列配线；然后，沿着与所述一系列配线交叉的方向，以狭缝涂布法在基板上涂布树脂液；以及使这样涂布后的树脂液固化，由此形成树脂膜，其特征在于，在所述涂布树脂液的工序之前，在基板上的涂布开始部位设置以沿着所述一系列配线的延伸方向或涂布宽度方向延伸的方式排列的一系列虚设配线。
2.根据权利要求1所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述一系列配线为信号线。
3.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述一系列虚设配线的间距为所述一系列配线的间距的0.5?3倍，所述一系列虚设配线的配线宽度为所述一系列配线的配线宽度的0.3?5倍。
4.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，以所述设置一系列配线的工序同时设置所述一系列虚设配线。
5.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，以设置扫描线的工序同时设置所述一系列虚设配线。
6.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述树脂膜的厚度在固化后为I?5 μ m。
7.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，在从喷嘴头喷出的树脂液与基板最初接触时仅待机0.2?I秒，然后使喷嘴头相对于基板向涂布方向移动，由此进行涂布。
8.根据权利要求3所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述一系列配线的间距为5?40 μm，配线宽度为0.5?5 μπι。
9.根据权利要求3所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，涂布开始部位处的从像素排列区域至所述基板的边缘在涂布进行方向上的外周部的尺寸为3?20_，所述一系列虚设配线整体所形成的涂布进行方向的尺寸为所述外周部的尺寸的0.2 ?0.8 倍。
10.根据权利要求1或2所述的平面显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述基板为具有70?320片的显示面板区域的母基板。
【专利摘要】本发明提供为了在设置信号线等的配线图案之后形成将其覆盖的树脂膜(平坦化膜)，在以狭缝涂布法进行涂布时能够降低涂布厚度的不均、降低树脂膜的厚度的不均的平面显示装置用基板的制造方法。本发明的平面显示装置用基板的制造方法包括下述工序：在基板(10)上的像素排列区域(18)，设置以向一个方向延伸的方式排列的一系列配线(21)；然后，沿着与上述一系列配线交叉的方向，以狭缝涂布法在基板上涂布树脂液(32)；以及使这样涂布后的树脂液固化，由此形成树脂膜，其中，预先在基板(10)上的涂布开始部位(13)设置以沿着上述一系列配线(21)的延伸方向或涂布宽度方向(4)延伸的方式排列的一系列虚设配线(11)。
【IPC分类】H01L21-77, H01L21-02
【公开号】CN104867869
【申请号】CN201510084587
【发明人】庄原洁, 大塚玲, 芥川龙太郎
【申请人】株式会社日本显示器
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年2月16日