在显影时可被灰化去除，从而仅仅在对应于栅极22的正上方的第一区域Q1中保留有正性光阻层27。
[0040]然后，向除第一区域％之外的半导体层26注入第一杂质离子，即对半导体层26进行传统意义上的重掺杂处理。
[0041]接着，自基体21背向栅极22的一侧进行曝光，本次曝光的强度大于形成第一区域Q1的正性光阻层27的曝光的强度，因此位于第一区域Q i的两端的正性光阻层27被除去，从而在栅极22的正上方形成第二区域Q2的正性光阻层27，其中第二区域Q2小于第一区域Q1O
[0042]进一步，向除第二区域％之外的半导体层26注入第二杂质离子，即对半导体层26进行传统意义上的轻掺杂处理。
[0043]最后，除去第二区域Q2的正性光阻层27。
[0044]本实施例的第一杂质离子可以为N+型杂质离子，对应地第二杂质离子为N —型杂质离子，但是当第一杂质离子为P+型杂质离子时无需掺杂第二杂质离子，即省略了轻掺杂处理的步骤。
[0045]在除去第二区域Q2的正性光阻层27之后，本实施例采用第二光罩对多晶硅层28进行曝光以形成预定图案，结合图5具体而言，在多晶硅层28上涂布光阻层29并进行曝光，而后蚀刻去除预定图案以外的多晶硅层28，并除去剩余的光阻层29。其中，在光阻层29为正性光阻层时，自基体21背向栅极22的一侧进行曝光；在光阻层29为负性光阻层时，自基体21朝向栅极22的一侧进行曝光。
[0046]步骤S14:在多晶硅层上形成薄膜晶体管的源极和漏极。
[0047]本实施例可以利用第三光罩经过曝光、显影、刻蚀得到如图6所示的薄膜晶体管的源极S和漏极D。
[0048]步骤S15:在绝缘层和一部分的源极上形成像素电极。
[0049]本实施例可以利用第四光罩经曝光、显影、刻蚀得到如图7所示的具有预定图案的像素电极30。
[0050]步骤S16:在由源极和漏极组成的源漏电极层上形成平坦钝化层，并在平坦钝化层内形成接触孔以暴露栅极、源极和漏极的表面，接触孔位于多晶硅层以外的区域。
[0051]步骤S17:在平坦钝化层上形成透明电极层，使得透明电极层可通过接触孔与栅极、源极和漏极电连接。
[0052]本实施例可以利用第五光罩经曝光、显影、刻蚀得到如图8和图9所示的平坦钝化层31。参阅图8所示，在薄膜晶体管以外的区域，平坦钝化层31具有接触孔0，接触孔O使得所述栅极22、源极S和漏极D的表面暴露出来，并与LTPS阵列基板的走线电连接，例如薄膜晶体管的栅极22与形成于基体21 (阵列基板)上的栅极线对应电连接，薄膜晶体管的源极S与形成于阵列基板上的数据线对应电连接，栅极线和数据线垂直交叉形成像素电极33所在的像素显示区域。
[0053]本实施例可以利用第六光罩经曝光、显影、刻蚀得到如图10所示的透明电极层32，透明电极层32与像素电极30的可以采用相同的透明导电材质，以作为LTPS阵列基板的公共电极。
[0054]承上所述，本实施例自基体21背向栅极22的一侧进行曝光，即利用不透光的栅极22进行曝光以形成多晶硅层28，在多晶硅层28的制程中无需使用光罩，从而能够减少整个LTPS阵列面板所使用的光罩的类型及数量，简化制程并降低生产成本。
[0055]本发明实施例还提供一种具有图10所不LTPS阵列面板的液晶显不面板以及液晶显示器，与其具有相同的有益效果。
[0056]在此基础上，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在基体上形成所述LTPS阵列基板的薄膜晶体管的栅极； 在包括所述栅极的所述基体上依次形成绝缘层、半导体层和第一正性光阻层，其中所述绝缘层的上表面为一平面； 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层； 在所述多晶硅层上形成所述薄膜晶体管的源极和漏极； 在所述绝缘层和一部分的所述源极上形成像素电极； 在由所述源极和所述漏极组成的源漏电极层上形成平坦钝化层，并在所述平坦钝化层内形成接触孔以暴露所述栅极、所述源极和所述漏极的表面，所述接触孔位于所述多晶硅层以外的区域； 在所述平坦钝化层上形成透明电极层，使得所述透明电极层可通过所述接触孔与所述栅极、所述源极和所述漏极电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在包括所述栅极的所述基体上形成所述绝缘层之前，所述方法还包括: 在未被所述栅极覆盖的所述基体上形成缓冲层，且所述缓冲层的上表面和所述栅极的上表面构成一平面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在未被所述栅极覆盖的所述基体上形成所述缓冲层的步骤包括: 在包括所述栅极的所述基体上依次形成缓冲层、负性光阻层； 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光，以除去位于所述栅极正上方的所述负性光阻层； 除去位于所述栅极正上方的所述缓冲层，且保留未被所述栅极覆盖的所述基体上的所述缓冲层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在未被所述栅极覆盖的所述基体上形成所述缓冲层的步骤包括: 在包括所述栅极的所述基体上依次形成缓冲层、第二正性光阻层； 自所述基体朝向所述栅极的一侧进行曝光，以除去位于所述栅极正上方的所述第二正性光阻层； 除去位于所述栅极正上方的所述缓冲层，且保留未被所述栅极覆盖的所述基体上的所述缓冲层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层的步骤包括: 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光，以仅在对应于所述栅极的正上方的第一区域保留所述第一正性光阻层； 向除所述第一区域之外的所述半导体层注入第一杂质离子； 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光，以在所述栅极的正上方形成第二区域的所述第一正性光阻层，所述第二区域小于所述第一区域； 向除所述第二区域之外的所述半导体层注入第二杂质离子； 除去所述第二区域的所述第一正性光阻层。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述除去所述第二区域的所述第一正性光阻层的步骤之后还包括: 在所述多晶硅层上涂布光阻层并根据预定图案进行曝光； 蚀刻去除所述预定图案以外的所述多晶硅层； 除去剩余的所述光阻层。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一杂质离子为N+型杂质离子，且所述第二杂质离子为N —型杂质离子。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层的步骤包括: 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光，以仅在对应于所述栅极的正上方的第一区域保留所述第一正性光阻层； 向除所述第一区域之外的所述半导体层注入P型杂质离子； 自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光，以在所述栅极的正上方形成第二区域的所述第一正性光阻层，所述第二区域小于所述第一区域； 除去所述第二区域的所述第一正性光阻层。9.一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述LTPS阵列基板包括: 基体； 栅极，位于所述基体上； 依次形成于包括所述栅极的所述基体上的绝缘层、多晶硅层，其中所述绝缘层的上表面为一平面； 源极和漏极，位于所述多晶硅层上； 像素电极，位于所述绝缘层和一部分的所述源极上； 平坦钝化层，位于由所述源极和所述漏极组成的源漏电极层上，所述平坦钝化层内形成接触孔以暴露所述栅极、所述源极和所述漏极的表面，所述接触孔位于所述多晶硅层以外的区域； 透明电极层，位于所述平坦钝化层上且所述透明电极层可通过所述接触孔与所述栅极、所述源极和所述漏极电连接。10.根据权利要求9所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述LTPS阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于未被所述栅极覆盖的所述基体上，且所述缓冲层的上表面和所述栅极的上表面构成一平面。
【专利摘要】本发明提供一种LTPS阵列基板及其制造方法。该方法包括：在包括形成栅极的基体上依次形成绝缘层、半导体层和正性光阻层；自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成源极和漏极；在绝缘层和部分源极上形成像素电极；在由源极和漏极上形成具有接触孔的平坦钝化层；在平坦钝化层上形成透明电极层，使得透明电极层可通过接触孔与栅极、源极和漏极电连接。本发明能够减少LTPS工艺所使用的光罩的类型及数量，简化制程并降低生产成本。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/28, H01L21/84
【公开号】CN104882415
【申请号】CN201510310588
【发明人】王聪, 杜鹏
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司, 武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月8日