。此外，载体基材12的边缘可进行圆角化、精磨（finished)和/ 或研磨W容忍冲击和有助于处理。还可在载体基材12上提供表面特征例如凹槽和/或孔。 凹槽、孔和/或其它表面特征可促进和/或抑制粘结材料的局部化和/或粘附。
[0067] 粘结房的洗择巧施涂
[0068] 粘结层30可包括一种或多种粘结材料，其在接收能量输入后经受结构变化。例 如，粘结层30可包括无机材料，并且可包括如下材料，例如玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷W及含碳 材料。在一些实施方式中，粘结层30可由形成碳粘结层的碳构成。各种示例性粘结材料如 下所述。可使用任何合适的方法来施涂粘结层30,例如一种或更多种的加压施涂，例如通过 喷嘴、铺展、融化、旋涂诱铸、喷涂、浸涂、真空或大气沉积等。
[0069] 可W任意合适的图案和/或形状来施涂粘结层30。参见图6,将粘结层30施涂到 玻璃支撑表面14的区域Ai上，其为至少约50%的被提性玻璃基材20覆盖的面积A2,例如 基本上所有的区域As。在一些实施方式中，Ai可为小于约50%的A2,例如不大于约25%的 八2。粘结层30可延伸超过提性玻璃基材20的周界，或者粘结层30可容纳在提性玻璃基材 20的周界之内。参见图7,粘结层30可沿着预定路径（例如区域As)连续施涂，所述区域 As绕着A2的周界延伸（即，连续的四周粘结），留下用粘结层30连接的未粘结区域R。参 见图8,粘结层30可由相互隔开的离散的粘结片段60形成。在图8的实施方式中，离散的 粘结片段是单个线条的形式。可使用任何其它合适的形状，例如圆、点、无规则形状W及各 种形状的组合。
[0070] 向粘结层30提供能量输入，该改变或者用来改变粘结层30的结构。与能量输入 之前相比，该结构变化降低了粘结层30的粘结强度，有助于从载体基材12分离提性玻璃基 材20。能量输入的种类，至少部分地取决于粘结层30中所用的粘结材料。下面提供用于提 供粘结层30的粘结材料和输入能量的非限制性例子，但无意于进行限制。 实施例
[0071] 含碳的粘结层由酪类树脂溶液形成。该个过程使用了苯酪-甲醒共聚物，并用旋 涂诱铸和热固化过程产生了样品。加工步骤包括：
[0072]a.将70重量％树脂和30重量％DI水的稀释的酪类树脂溶液旋涂诱铸到载体基 材上，3krpm持续30秒，得到不大于10ym厚度的粘结层。
[0073] b.在室温下，将具有粘结层和置于其上的器件基材的载体基材置于热台上。施加 破码，其产生大于lOOkPa的最大粘结压力。
[0074] C.将热台加热到150。并保持约10分钟，然后冷却回到室温。
[0075] d.在炉中和空气中循环堆叠件高至400°C，保持1小时，然后冷却。
[0076] 使用该个过程，将器件基材粘结到在剪切牵拉测试中幸存的载体基材，并且当施 加剥离力时可W分离，该至少部分地是因为加热之后留下的碳粘结层W及加热过程中在粘 结层中形成的增加的孔隙率。器件基材和载体基材都由EAGLE2000? (购自纽约州康宁 市，康宁股份有限公司（CorningInco巧orated,Corning,NY)的不含碱的侣棚娃酸盐玻璃 的商品名）（8cmxl2cm)基材形成，厚度为0. 7mm。
[0077] 对根据实施例形成的堆叠件进行额外的筛选测试。将堆叠件在500°C的炉中和空 气中循环1小时，该导致粘结层的严重氧化。碳粘结层的该种氧化可用来使得器件基材从 载体基材脱粘结。因为氧化的碳的蒸发，可容易地去除碳粘结层，W清洁载体基材用于再次 使用。
[007引可通过对碳基粘结层进行氧化来降低提性玻璃基材20和载体基材12之间的粘结 强度。例如在实施例中，在氧气存在下，将粘结层30加热到约500°C的温度可导致碳的氧 化。在臭氧的存在下，碳粘结层的氧化可在小于500°C的温度下发生。虽然将完全组装的器 件基材加热到高至50(TC可能是不可接受的，但是在一些实施方式中，可W使用激光将粘结 层局部加热到促进氧化的温度。
[0079] 参见图9,显示了碳基粘结层30的吸收。激光可用来局部加热和氧化碳基粘结层 30(或者本文所述的任意一种或多种粘结材料）。碳基粘结层30可施涂为周界粘结（图7 和8)，W有助通过激光对碳基粘结层30进行局部加热，为碳基粘结层30提供更大的可及性 (access)，因为它靠近提性玻璃基材20的周界。图9显示了从上文的实施例所述的酪类树 脂形成的碳基粘结层30的吸收光谱。可知，吸收在可见光和UV光谱区增加，使得加热粘结 材料可用于热氧化。可将渗杂剂添加到粘结层，来增加吸收的福射量。
[0080] 应注意的是，对于所用的具体器件制造过程，应进行粘结材料的优化。例如，对 于a-Si或p-SiTFT过程，制造温度大于或等于约250°C，例如大于或等于约350°C，例如 约250-450°C，可将粘合材料的脱粘合热暴露选定为大于或等于250°C，例如大于或等于 350°C，例如大于或等于450°C，W减少任意非目的性脱粘合的可能性。但是，热暴露应该选 择低于可能对器件电子件或者其他组件造成损坏的那种。在一些实施方式中，在高至目标 脱粘合热暴露时，粘结层30的粘结强度可基本上不存在或存在少量的（例如小于约50%， 例如小于约25%，例如小于约10%，例如小于约5%，例如小于约1% )降低。因此，可根据 不同的器件制造情况来优化材料的脱粘结。此外，可将对粘结层30的能量47的施加局部 化至粘结层30自身。例如，可W对能量源进行优化，从而使得粘结层30吸收大多数的能量 47,该导致在提性玻璃基材20、载体基材12或者提性玻璃基材20上的任何器件层具有较低 的热效应。
[0081] 粘结层30可W包含不经受结构变化导致粘结强度降低（例如，约250-450°C)的 无机材料，但是该无机材料形成粘结层30,所述粘结层30易受到例如破裂，W促进提性玻 璃基材20的脱粘结。不希望受到理论的限制，两种类型的破裂包括初性破裂和脆性破裂。 在基材之间的强、持久粘结是重要的应用中，初性破裂通常是优选的，得到伴随着使用初性 材料的塑性变形，该通常延缓了裂纹扩展通过初性材料。另一方面，脆性破裂通常导致裂纹 快速扩展通过脆性材料或者沿着粘结层30和提性玻璃基材20和/或载体基材12之间的 界面，通常近乎垂直于施加应力的方向。因此，在本文所述的可释放应用中，具有相关的快 速裂纹扩展的脆性破裂可能是优选的。如本文所用，脆性粘结层可W是该样一种，其中在粘 结层内绕着裂纹尖端形成的塑性区的尺寸是小的（例如，不大于约25%或更小），相比于粘 结层30的厚度（例如，最多约100ym，例如，最多约50ym，例如最多约25ym，例如最多约 10ym，例如最多约5ym，例如约5-50ym)。一些材料，例如玻璃，可W不具有或者近乎零的 塑性区，从而构成脆性粘结层。另一种示例性脆性粘结层可W是碳粘结层，例如，形成的方 式类似于上文所述的采用酪类-甲醒共聚物和热固化方法的实施例。
[00間释放標忡巧摇甚材
[0083] 可使用任意合适的方法从载体基材12释放提性玻璃基材20。作为一个例子，因为 在采用提性玻璃基材20的最终器件的成形过程中总体拉伸-压缩中屯、轴的偏移，可能存在 用于脱层的应力。例如，将提性玻璃基材20和载体基材12粘结在一起，可首先使得粘结平 面置于接近应力中屯、轴。当粘结靠近中屯、轴时，机械拉伸应力可W最小化。当器件完全组 装且提性玻璃基材20与载体基材12(和可能的盖板玻璃）粘结之后，应力中屯、轴会偏移， 该会显著地增加沿着粘结平面的拉伸和弯曲应力，导致至少一些脱层。还可使用任意数量 的装置，例如擦板、激光、刀、切割轮、腐蚀剂来引发和/或完成脱层，和/或可手动地去除提 性玻璃基材。
[0084] 现参见图10,显示了一种示例性粘结层30施涂图案，其中将提性玻璃基材20分 成或者切割成多个片段，有时称为器件单元。图10显示堆叠件100的俯视图，其包括如上 所述的粘结到载体基材12的提性玻璃基材20。可将粘结层（用区域Ai表示）施涂在整个 (或小于整个）的提性玻璃基材20的足迹上，所述提性玻璃基材20位于载体基材1