2的玻 璃支撑表面14上。在所示的实施方式中，将提性玻璃基材20细分成器件单元102 (也用A2 表示），用于进一步加工，其具有周界104。通过在器件单元102下面施涂粘结层Ai，可最小 化或防止加工流体泄漏进入由器件单元102限定的区域，该种泄漏可能污染后续的加工或 者可能使得提性玻璃基材20 (或其至少一部分）过早地从载体基材12分离。
[0085] 虽然显示为一块提性玻璃基材20与载体基材12粘结，但是可将多块提性玻璃基 材20与一块载体基材12或者多块载体基材12粘结。在该些情况下，可同时地或者W合适 的顺序的方式，使得载体基材12从多块提性玻璃基材20分离。
[0086] 通过沿着周界104切割，可将任意数目的器件单元102与任意数目的其它器件单 元102分离。可提供排气W减少提性玻璃基材20上的任何膨胀或其它不利的影响。可使 用激光或者其它切割装置从提性玻璃板20切割单个器件单元102。此外，可W如下方式进 行切割，使得只切割或划割提性玻璃基材20,而没有切割或划割载体基材12,W实现载体 基材12的再次使用。可使用蚀刻和/或任何其它清洁方法来去除粘结层30留下的任何残 留物。蚀刻还可用于帮助从载体基材12去除提性玻璃基材20。
[0087] 参考图11，显示了用于从载体基材12去除提性玻璃基材20的器件单元140 (例 如，该单元具有电子器件145或在其上形成的其它所需的结构）的方法的一个实施方式。可 由粘结到载体基材的提性玻璃基材20制造任意数目的器件单元140,该取决于提性玻璃基 材20的尺寸和器件单元140的尺寸。例如，提性玻璃基材可W为2代（Gen2)大小或更大， 例如，3代、4代、5代、8代或更大（例如，片尺寸为lOOmmxlOOmm至3米x3米或更大）。为 了允许用户确定器件单元140的布置，例如就器件单元140的尺寸、数量和形状而言，会希 望从粘结到载体基材12的一块提性玻璃基材20进行生产，可如图11所示提供提性玻璃基 材20。更具体地，提供了一种具有提性玻璃基材20和载体基材12的基材堆叠件10。提性 玻璃基材20在粘结区域142与载体基材12粘结，所述粘结区域142环绕未粘结区域144。 [008引粘结区域142设置在提性玻璃基材20的周边，完全环绕未粘结区域144。该种连 续的粘结区域142可用来密封在提性玻璃基材20的周界处的提性玻璃基材20和载体基材 12之间的任何间隙，从而没有俘获加工流体，否则被俘获的加工流体可能污染传送基材堆 叠件10所经过的后续加工。但是，在其他实施方式中，可使用非连续的粘结区域。
[0089] 可使用C〇2激光束来切割所需部件140的周界146。CO2激光使得能够整体切割 (100%厚度）提性玻璃基材20。对于C〇2激光切割，将激光束聚集成提性玻璃基材20的表 面24上的小直径的圆形束形状，并沿着所需的轨迹移动，并且后面可跟有冷却剂喷嘴。例 如冷却剂喷嘴可W是空气喷嘴，其通过小直径孔将压缩空气流递送到薄片的表面上。还可 使用水或者空气-液体薄雾。一旦对器件单元140的周界146进行切割，可将器件单元140 从余下的提性玻璃基材20去除。然后，可向粘结层30施加能量输入，该改变了粘结层30 的结构。该种结构变化降低了粘结层30的粘结强度，W促进从载体基材12分离余下的提 性玻璃基材20。
[0090] 参见图12,显示了从载体基材12释放提性玻璃基材20的方法的一个实施方式。 一旦将提性玻璃基材20加工成包括所需的器件150 (例如，LCD、0LED或TFT电子件）W及 例如去除了器件单元140,从载体基材12释放余下的提性玻璃基材20 (或整个提性玻璃基 材20)。在该实施方式中，粘结层30可形成为周界粘结152,形成粘结区域154和非粘结区 域156。激光器158将（例如，波长约为400-750皿的）激光束160导向提性玻璃基材162 和载体基材12之间，W对部分的粘结层30进行局部加热。还可使用L邸和闪光灯源，将它 们调节至粘结层30吸收。例如，激光158可用来局部加热和氧化碳基粘结层30。周界粘 合152可促进通过激光158对碳基粘结层30的局部加热，提供更大的碳基粘结层30的可 及性，因为其靠近提性玻璃基材20的周界，并且具有较小的截面积（例如，与穿过提性玻璃 基材12的整个宽度的粘结相比）。
[0091] 上文所述的粘结层可提供无机粘附方法，其使得能够在现有设备和制造条件下使 用薄的提性玻璃基材。载体基材可与不同的提性玻璃基材再次使用。包括载体基材、提性 玻璃基材和粘结层的堆叠件可组装并随后运输用于进一步加工。或者，在运输之前，可组装 一些或者不组装堆叠件。为了用作载体基材，载体基材无需是原始的。例如，载体基材可经 受过度捆绑或者施加过度条纹，使得它们不适于用作显示器件。使用载体基材可避免直接 使用薄基材的问题，例如绕着真空孔的浅凹和增加的静电的问题。粘结层的高度可W薄的 (例如，约loym或更小，或者约l-100ym)，该可使得平坦度问题（例如下垂）最小化，并 有助于用作穿过整个载体基片施涂的连续膜，或者局部施涂，例如绕着周边。
[0092] 在上文的详述中，为了解释而非限制，给出了说明具体细节的示例性实施方式，W 提供对本发明的各种原理的充分理解。但是，对于本领域普通技术人员显而易见的是，在从 本说明书获益后，可W按照不同于本文所述具体细节的其他实施方式实施本发明。另外，本 文可能省去对众所周知的装置、方法和材料的描述，W免干扰对本发明的各种原理的描述。 最后，在任何适用的情况下，相同的附图标记表示相同的元件。
[0093] 本文所用的方向术语，例如上、下、左、右、前、后、顶、底，仅仅是参照绘制的附图而 言，并不用来表示绝对的取向。
[0094] 应当强调，本发明上述实施方式、特别是任意"优选的"实施方式，仅仅是可能实现 的实施例，仅是为了清楚理解本发明的各种原理而陈述的。可W在基本上不偏离本发明的 精神和各种原理的情况下，对本发明的上述实施方式进行许多改变和调整。所有该些变化 和修改旨在包括在该说明书和所附权利要求保护的范围内。
【主权项】
1. 一种对挠性玻璃基材进行加工的方法，所述方法包括： 提供基材堆叠件，所述基材堆叠件包括采用碳粘结层与载体基材粘结的挠性玻璃基 材；以及 从载体基材分1?烧性玻璃基材。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳粘结层是脆性的，所述方法还包括在 所述碳粘结层内引发裂纹。3. 如权利要求1所述的方法，所述方法还包括向碳粘结层提供能量输入，从而引入碳 粘结层中的结构变化。4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述能量输入是光能，其将碳粘结层加热到 至少250 °C的温度。5. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述结构变化包括增加碳粘结层的孔隙率。6. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，使用激光、LED或者闪光灯光源加热碳粘结 层。7. 如权利要求1-6中任一项所述的方法，所述方法还包括向挠性玻璃基材施加电组 件。8. -种基材堆叠件，其包括： 具有玻璃支撑表面的载体基材； 挠性玻璃基材，其由载体基材的玻璃支撑表面支撑；以及 碳粘结层，其使得挠性玻璃基材与载体基材粘结，所述碳粘结层是脆性的，以有助于裂 纹扩展通过碳粘结层。9. 如权利要求8所述的基材堆叠件，其特征在于，所述挠性玻璃基材的厚度不大于约 0. 3mm〇10. 如权利要求8或9所述的基材堆叠件，其特征在于，所述碳粘结层的厚度不大于约 O-Imm0
【专利摘要】一种对挠性玻璃基材进行加工的方法，所述方法包括提供基材堆叠件，所述基材堆叠件包含采用碳粘结层与载体基材粘结的挠性玻璃基材。然后从载体基材分离挠性玻璃基材。
【IPC分类】H01L27/12, B32B7/06
【公开号】CN104919591
【申请号】CN201380044389
【发明人】S·B·道斯, S·M·加纳
【申请人】康宁股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2013年8月12日
【公告号】WO2014031374A1