Si02，紫外光固化树脂层22包括85%的虫胶、9%的反应稀释剂和6%的三芳基硫型 六氟磷盐，周期数n为8,器件结构为：
[0114]Si衬底/ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(lOOnm) / [Si02 (200nm) / 紫外光固化树脂（500nm)]8
[0115] 制备方法与实施例13相似。
[0116] 实施例18
[0117] 如图3所示，1为有机薄膜晶体管器件，底电极18为IT0,绝缘层19为聚甲基丙烯 酸甲醋（PMMA)，载流子传输层20为并五苯（Pentacene)，顶电极23为Au，无机封装材料层 21为Si02，紫外光固化树脂层22包括88%的虫胶、6%的反应稀释剂和6%的三芳基硫型 六氟磷盐，周期数n为2,器件结构为：
[0118]Si衬底/ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(lOOnm) / [Si02 (200nm) / 紫外光固化树脂（500nm)]2
[0119] 制备方法与实施例13相似。
[0120] 对比实施例1
[0121] 如图4所示，1为有机电致发光器件，阳极层12为IT0,空穴传输层13为N，N' -二 (萘亚甲基-1-yl) -N，N' -二（苯基）-联苯胺（NPB)，电子传输层14为1，3, 5-(三N-苯 基-2-苯并咪唑-2)苯41 (TPBi)，阴极层15为Mg:Ag合金，器件结构为：
[0122] 玻璃衬底 /ITO/NPB(50nm)/TPBi(30nm) /Mg:Ag(200nm)
[0123] 制备方法如下：
[0124] ①利用洗涤剂、丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水超声清洗基片并用氮气吹干；
[0125] ②将干净的基片传至高真空蒸发室，分别保持有机腔和金属腔的压强为 3.OXl(T4Pa和3.OXl(T3Pa以下，利用高真空蒸镀方法制备各有机功能层以及阴极金属 层；
[0126] ③测试器件的寿命及其各项参数。
[0127] 表1:对比实施例1和实施例1、2、3、4、5、6的光电子器件寿命的性能对比。
[0128]
【主权项】
1. 一种光电子器件的封装结构，包括用于包覆光电子器件的薄膜封装层，其特征在 于，薄膜封装层由无机封装材料层和紫外光固化树脂层以周期数n交替重叠组成，其中， 2 <n< 24,所述紫外光固化树脂由以下质量百分比的组份组成： 虫胶 70~88% 反应稀释剂 6~18% 三芳基硫型六氟磷盐6~12%。2. 根据权利要求1所述的光电子器件的封装结构，其特征在于，所述反应稀释剂为活 性环氧树脂稀释剂或环醚或环内酯或乙烯基醚单体，乙烯基醚单体为1，2, 3-丙三醇缩水 甘油醚、三乙二醇二乙烯基醚、1，4-丁二醇乙烯基醚、环己基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、 全氟正丙基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚、乙烯基乙醚、乙基乙烯基醚、乙基 乙烯基醚丙烯、乙二醇单烯丙基醚、羟丁基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、三氟氯乙烯、三甘醇二 乙烯基醚、乙烯基甲醚、乙烯基正丁醚、十二烷基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、三苄基苯酚聚 氧乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚或叔丁基乙烯基 醚中的一种或多种，活性环氧树脂稀释剂为3,4_环氧基环己基甲酸-3'，4'-环氧基环 己基甲酯、双酚A型环氧树脂（EP)、环氧丙烯酸酯、环氧乙烯基酯、丙烯酸环氧酯、甲基丙烯 酸环氧酯或水溶性衣康酸环氧酯树脂中的一种或多种。3. 根据权利要求1所述的光电子器件的封装结构，其特征在于，所述无机封装材料为 金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物，金属氧化物为氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二 氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍或五氧化二锑中的一 种或多种，金属硫化物为二硫化钛、硫化铁、三硫化二络、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化 镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈或二硫化锆中的一种或多种，金 属氮化物为氮化硅或氮化铝中的一种或两种。4. 一种光电子器件的封装方法，其特征在于，具体包括以下步骤： ① 制备光电子器件； ② 在所制备的光电子器件上制备无机封装材料层； ③ 在无机封装材料层上制备紫外光固化树脂层，所述紫外光固化树脂的组份： 虫胶 70~88% 反应稀释剂 6~18% 三芳基硫型六氟磷盐6~12% ; ④ 对步骤③处理后的光电子器件表面进行紫外光固化处理30秒； ⑤ 对紫外光固化后的器件，继续重复步骤②、③和④的操作，连续重复n-1次， 2彡n彡24 ; ⑥ 测试封装后器件的寿命以及其他各项参数。5. 根据权利要求4所述的光电子器件的封装方法，所述无机封装材料层和紫外光固化 树脂层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀 膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉 积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、喷墨打印、电镀、喷涂、旋涂、浸涂、辊涂或LB膜中的一 种或者几种方式而形成。6. 根据权利要求4所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述光电子器件是一 种光电之间、电电之间或电光之间可以进行信号和能量转换的器件。7. 根据权利要求6所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，光电子器件为有机电 致发光二极管、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机 薄膜晶体管或光探测器。8. 根据权利要求4所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述反应稀释剂为活 性环氧树脂稀释剂或环醚或环内酯或乙烯基醚单体，乙烯基醚单体为1，2, 3-丙三醇缩水 甘油醚、三乙二醇二乙烯基醚、1，4-丁二醇乙烯基醚、环己基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、 全氟正丙基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚、乙烯基乙醚、乙基乙烯基醚、乙基 乙烯基醚丙烯、乙二醇单烯丙基醚、羟丁基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、三氟氯乙烯、三甘醇二 乙烯基醚、乙烯基甲醚、乙烯基正丁醚、十二烷基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、三苄基苯酚聚 氧乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚或叔丁基乙烯基 醚中的一种或多种，活性环氧树脂稀释剂为3,4_环氧基环己基甲酸-3'，4'-环氧基环 己基甲酯、双酚A型环氧树脂（EP)、环氧丙烯酸酯、环氧乙烯基酯、丙烯酸环氧酯、甲基丙烯 酸环氧酯或水溶性衣康酸环氧酯树脂中的一种或多种。9. 根据权利要求4所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述无机封装材料为 金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物，金属氧化物为氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二 氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍或五氧化二锑中的一 种或多种，金属硫化物为二硫化钛、硫化铁、三硫化二络、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化 镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈或二硫化锆中的一种或多种，金 属氮化物为氮化硅或氮化铝中的一种或两种。
【专利摘要】本发明公开了一种光电子器件的封装结构及封装方法，对光电子器件采用薄膜封装方法进行封装，薄膜封装层包覆光电子器件，薄膜封装层由无机封装材料层和紫外光固化树脂层交替重叠组成，所述紫外光固化树脂包括以下组份：虫胶、反应稀释剂和三芳基硫型六氟磷盐。该封装方法能够有效地阻挡周围环境中的氧气和水，有利于提高器件的稳定性，延长器件的寿命；同时，该封装方法具有制备工艺简单、成本低的特点。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/10, H01L51/44
【公开号】CN104934547
【申请号】CN201510212907
【发明人】于军胜, 王煦, 周殿力, 王晓
【申请人】电子科技大学
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年4月29日