面18而被提取的。
[0032]在图9中图示的器件中，因为不存在阻塞层，所以P型区12的导电性贯穿P型区基本上是相同的，以使得光贯穿有源区14被均匀地生成。如在图9中图示的，靠近台面25边缘生成的、入射在纹理化表面18上并且被散射回到半导体结构中的光90存在由η接触26吸收和丢失的风险。
[0033]在图10中图示的器件中，在靠近台面25的区域中形成阻塞材料24。在图1的方框6中的激活期间，将从与阻塞材料24对准的P型区12中移除氢，并且因此这个区将展现差导电性。来自P接触21的电流优选地从该差导电性区射出，使得在这个区中生成微少的光，但是P接触21在这个区中依然是反射性的。远离阻塞材料24生成的光100不太可能被吸收，并且更可能通过纹理化表面18从半导体结构中提取，如在图10中图示的。
[0034]图11和12图示具有大的金属接合垫110和112的倒装芯片器件。图11和12中图示的结构的散热能力可以随区域而变化。例如，图11和12中图示的结构包括两个接合垫:一个110电连接到P接触21，以及一个112电连接到η接触114。接合垫通过介电区118和两个接合垫110和112之间的间隙116而彼此隔离并且与器件上的其他结构隔离。接合垫110和112通常将热从器件中移除。
[0035]在图11中图示的器件中，因为不存在阻塞层，所以P型区12的导电性贯穿P型区基本上是相同的，以使得光和因而热贯穿有源区14被均匀地生成。因为由接合垫110和112提供的热移除在间隙116中是不可用的，所以热点可能会在与间隙116对准的半导体结构中形成。这样的热点可能会降低有源区发光的效率，或者可能会通过在热方面加速现有的故障机制而降低可靠性。
[0036]在图12中图示的器件中，在与间隙116对准的区域中形成阻塞材料24。在图1的方框6中的激活期间，将氢从与阻塞材料24对准的P型区12中移除，并且这个区将因此展现差的导电性。来自P接触21的电流优选地射出这个差的导电性区，使得微少的光并且因此微少的热在该区中被生成，这可以减少将在间隙116的区域中形成热点的可能性。如图12中图示的阻塞材料的使用可以防止电流射入到散热更差的结中，这可以改进器件的总体可靠性。
[0037]已经详细描述了本发明，本领域技术人员将领会的是，给定本公开内容，可以在不偏离在本文描述的发明概念的精神的情况下对本发明做出修改。因此，意图不是将本发明的范围限制为所图示和描述的具体实施例。
【主权项】
1.一种器件，包括: 半导体结构，其包括置于η型区和P型区之间的发光层，其中所述P型区的表面包括第一部分和第二部分，其中所述表面垂直于所述半导体结构的生长方向，其中所述第一部分的导电性不及所述第二部分；和 形成在所述P型区上的P接触，所述P接触包括: 反射器；和 阻塞材料，其中所述阻塞材料被置于所述第一部分上方，并且没有阻塞材料被置于所述第二部分上方。2.如权利要求1所述的器件，其中所述P接触进一步包括吸气金属，其中所述吸气金属比所述反射器更容易地吸取氢。3.如权利要求2所述的器件，其中所述吸气金属被置于所述P型区和所述反射器之间。4.如权利要求2所述的器件，其中所述吸气金属被置于所述反射器内。5.如权利要求2所述的器件，其中所述反射器被置于所述P型区和所述吸气金属之间。6.如权利要求2所述的器件，其中所述吸气金属包括以下中的一个:钴、镍、铁、铜、钴合金、镲合金、铁合金、以及铜合金。7.如权利要求1所述的器件，其中所述阻塞材料是金属。8.如权利要求1所述的器件，其中所述阻塞材料包括以下中的一个:钴、镲、铁、铜、钛、钨、铂、金、铱、钌、导电氧化物、铟锡氧化物、锌氧化物、铟锌氧化物、掺杂氟的锡氧化物、掺杂铝的锌氧化物以及钴、镍、铁、铜、钛、钨、铂、金、铱和钌中的一个的合金。9.如权利要求1所述的器件，其中: 所述半导体结构包括其中所述发光层和P型区的一部分被移除或者未被形成的台面；并且 所述第一部分与所述台面相邻。10.如权利要求1所述的器件，进一步包括: 形成在所述η型区上的η接触； 连接到所述P接触的第一金属接合垫； 连接到所述η接触的第二金属接合垫；和 置于所述第一和第二金属接合垫之间的间隙； 其中所述第一部分与所述间隙对准。11.一种方法，包括: 部分地激活III族氮化物结构中的P型区，所述III族氮化物结构包括置于η型区和P型区之间的发光层； 在部分地激活所述P型区之后，在所述P型区上形成金属P接触，所述金属P接触包括: 第一金属，其中所述第一金属是反射性的；和 第二金属；以及 在形成所述金属P接触之后，进一步激活所述P型区。12.如权利要求11所述的方法，其中部分地激活和进一步激活包括退火。13.如权利要求11所述的方法，其中部分地激活和进一步激活包括将从氢所述P型区移除。14.如权利要求13所述的方法，其中形成金属P接触包括形成所述第二金属以使得: 所述P型区的第一部分被所述第二金属覆盖，并且所述P型区的第二部分不被所述第二金属覆盖；并且 所述第二金属防止氢从所述第一部分中被移除。15.如权利要求13所述的方法，其中形成金属P接触包括形成所述第二金属以使得所述第二金属防止被置于所述第二金属下面的材料被氧化。16.—种半导体发光器件，包括: 半导体结构，其包括置于η型区和P型区之间的发光层，其中所述P型区的表面包括第一部分和第二部分，其中所述表面垂直于所述半导体结构的生长方向，其中所述第一部分的导电性不及所述第二部分；和 形成在所述P型区上的P接触，所述P接触包括: 反射器；和 阻塞材料，其中所述阻塞材料被置于所述第一部分上方，并且没有阻塞材料被置于所述第二部分上方； 其中: 所述阻塞材料与所述发光层的第一区对准并且没有阻塞材料与所述发光层的第二区对准；并且 所述第一区比所述第二区发射更少的光。17.如权利要求16所述的半导体发光器件，其中移除或者不形成所述发光层和P型区的一部分以形成台面，并且所述第一部分置于所述台面和所述第二区之间。18.如权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述第一区与间隙对准，所述间隙置于电连接到所述η型区的第一金属垫和电连接到所述P型区的第二金属垫之间。
【专利摘要】根据本发明的实施例的器件包括半导体器件结构（10），半导体器件结构包括置于n型半导体区（16）和p型半导体区（12）之间的发光区（14）。垂直于半导体器件结构（10）的生长方向的p型半导体区（12）的表面包括第一部分和第二部分。第一部分的导电性不及第二部分。该器件进一步包括置于p型半导体区（12）上的p接触（21）和置于n型半导体区（16）上的n接触（26）。p接触（21）包括接触金属层（20）和阻塞材料层（24）。阻塞材料层（24）被置于第一部分上方，并且没有阻塞材料层（24）被置于第二部分上方。
【IPC分类】H01L33/42, H01L33/32, H01L21/02, H01L21/285, H01L33/00, H01L33/22, H01L33/40, H01L21/225, H01L33/14, H01L33/20, H01L33/08
【公开号】CN104937700
【申请号】CN201480006041
【发明人】K-H.H.乔
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年1月15日
【公告号】EP2948977A1, US20150340563, WO2014115060A1