一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置。
【背景技术】
[0002]在显示领域，OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)具有自发光、高响应速度、高色域、广视角、超薄、低功耗等优点，可广泛应用于照明、大尺寸电视、柔性手机等中，成为继 CRT (Cathode Ray Tube，阴极射线管)、IXD (Lquid Crystal Display,液晶显示器)之后主流的显示技术。
[0003]一般常见的OLED显示器件主要由阳极、发光功能层及阴极组成。其中，发光功能层包括EML (Emitting Layer，发光层)，还可以根据设计需要包括HIL (Hole Inject1nLayer，空穴注入层)、HTL (Hole Transport Layer，空穴传输层)、ETL (Electron TransportLayer，电子传输层)、EIL(Electron Inject1n Layer，电子注入层)中的至少一层。当外加正向电压时，空穴和电子分别从阳极与阴极注入，在外部电场的作用下，在发光层结合形成光亮。为提高光的输出效率，OLED显示器件还可以设置微腔调整层，用于增加发光功能层发出的光在阴极和阳极之间的共振。
[0004]依据发光位置的不同，现有的OLED器件一般为顶发射OLED器件和底发射OLED器件两种。下面以制备顶发射OLED器件为例，具体制备流程如下:
[0005](I)、依据第一次构图工艺，通过成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等流程，在像素驱动层上形成反射底电极图形；
[0006](2)、依据第二次构图工艺，通过成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等流程，在反射底电极图形上形成第一微腔调整层图形；
[0007](3)、依据第三次构图工艺，通过成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等流程，在第一微腔调整层图形上形成第二微腔调整层图形，最终得到厚度不同的微腔调整层图形。其中，微腔调整层包括第一微腔调整层，或，包括第一微腔调整层和第二微腔调整层。
[0008]在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题:
[0009]由于在制备的OLED器件时需要经过多次的曝光工艺，制作工艺较为复杂、生产成本较高；且由于制备的OLED器件中第一微腔调整层和第二微腔调整层薄膜的厚度较薄，在制作时刻蚀工艺很难掌控，导致制备的微腔调整层的厚度精度较低，当发光功能层发出的光在顶电极与反射底电极间共振时，色纯度及发光效率较低。
【发明内容】
[0010]为了解决相关技术的问题，本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置。所述技术方案如下:
[0011]第一方面，提供了一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，所述方法包括:
[0012]在基板的像素驱动层上依次形成反射底电极层薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜；
[0013]采用一次构图工艺在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层；
[0014]在所述微腔调整层上依次形成发光功能层和顶电极；
[0015]其中，所述微腔调整层包括所述第一微腔调整层，或，包括所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层。
[0016]可选地，所述采用一次构图工艺在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层，包括:
[0017]在所述第二微腔调整层薄膜上涂覆一层光刻胶；
[0018]对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，在基板上形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应于同时设置有所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层的区域，光刻胶半保留区域对应于仅设置有所述第一微腔调整层的区域，光刻胶完全去除区域对应于上述区域以外的区域；
[0019]对曝光处理后的基板表面进行显影处理，在基板上形成不同厚度的光刻胶，其中，所述光刻胶完全去除区域的光刻胶被去除，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度不变，所述光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变小；
[0020]对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的所述第二微腔调整层薄膜、所述第一微腔调整层薄膜和所述反射底电极薄膜，形成反射底电极图形；
[0021]对第一次刻蚀处理后的基板表面进行灰化处理，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，将位于所述光刻胶半保留区域内的所述第二微腔调整层薄膜暴露出来；
[0022]对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，刻蚀掉暴露出来的所述第二微腔调整层薄膜，形成厚度不同的微腔调整层；
[0023]剥离剩余的光刻胶。
[0024]可选地，所述对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，包括:
[0025]采用半色调或灰色调掩膜板对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理。
[0026]可选地，所述对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，包括:
[0027]依次使用第二微腔调整层刻蚀液、第一微腔调整层刻蚀液及反射底电极刻蚀液对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理。
[0028]可选地，所述对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，包括:
[0029]使用所述第二微腔调整层刻蚀液对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理。
[0030]可选地，所述有机发光二极管阵列基板包括多个像素，每个像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；其中，红色子像素和蓝色子像素对应同时设置有所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层的区域，绿色子像素对应仅设置有所述第一微腔调整层的区域。
[0031]可选地，所述反射底电极薄膜为反射率高于90%的合金薄膜。
[0032]可选地，所述第一微腔调整层为透明结晶氧化物导电薄膜，所述第二微腔调整层为透明非结晶氧化物导电薄膜。
[0033]可选地，所述透明结晶氧化物导电薄膜包括结晶态ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)薄膜。
[0034]可选地，所述透明非结晶氧化物导电薄膜包括非结晶态ITO薄膜、IGZOdndiumGallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)薄膜、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)薄膜、AZO(Aluminium Zinc Oxide，氧化销锌)薄膜中的至少一种。
[0035]可选地，所述反射底电极的厚度为50nm?300nm。
[0036]可选地，所述第一微腔调整层的厚度为5nm?15nm。
[0037]可选地，所述第二微腔调整层的厚度为50nm?70nmo
[0038]第二方面、提供了一种有机发光二极管阵列基板，所述阵列基板包括:
[0039]基板；
[0040]形成在基板上的像素驱动层；
[0041]依次形成在基板的像素驱动层上的反射底电极和厚度不同的微腔调整层，所述微腔调整层沿远离反射底电极的方向包括第一微腔调整层，或，包括第一微腔调整层和第二微腔调整层；
[0042]依次形成在所述微腔调整层上的发光功能层和顶电极；
[0043]其中，对应同时设置有所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层的区域，所述反射底电极、所述第一微腔调整层、所述第二微腔调整层、所述发光功能层和所述顶电极构成第一微腔；对应仅设置有所述第一微腔调整层的区域，所述反射底电极、所述第一微腔调整层、所述发光功能层和所述顶电极构成第二微腔；
[0044]所述第一微腔的长度大于所述第二微腔的长度。
[0045]可选地，所述阵列基板包括多个像素，每个像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素对应所述第一微腔，所述绿色子像素对应所述第二微腔。
[0046]可选地，所述反射底电极为反射率高于90%的合金薄膜。
[0047]可选地，所述第一微腔调整层为透明结晶氧化物导电薄膜，所述第二微腔调整层为透明非结晶氧化物导电薄膜。
[0048]可选地，所述透明结晶氧化物导电薄膜包括结晶态氧化铟锡薄膜。
[0049]可选地，所述透明非结晶氧化物导电薄膜包括非结晶态氧化铟锡薄膜、铟镓锌氧化物薄膜、氧化铟锌薄膜、氧化铝锌薄膜中的至少一种。
[0050]可选地，所述反射底电极的厚度为50nm?300nm。
[0051]可选地，所述第一微腔调整层的厚度为5nm?15nm。
[0052]可选地，所述第二微腔调整层的厚度为50nm?70nmo
[0053]第三方面、提供了一种显示装置，所述显示装置包括有机发光二极管阵列基板，所述有机发光二极管阵列基板如上述第二方面所述的有机发光二极管阵列基板。
[0054]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0055]依次在基板的像素驱动层上形成反射底电极层薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜，通过一次构图工艺即可在基板上形成反射底电极图形及厚度不同的微腔调整层，简化了生产工艺，节省了生产成本，且所形成的微腔调整层的精度更高。
【附图说明】
[0056]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0057]图1是本发明一个实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的制备方法流程图；
[0058]图2是本发明另一个实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的制备方法流程图；
[0059]图3是本发明另一个实施例提供的一种基板上形成的膜层