结构示意图；
[0060]图4是本发明另一个实施例提供的另一种基板上形成的膜层结构示意图；
[0061]图5是本发明另一个实施例提供的另一种基板上形成的膜层结构示意图；
[0062]图6是本发明另一个实施例提供的另一种基板上形成的膜层结构示意图；
[0063]图7是本发明另一个实施例提供的另一种基板上形成的膜层结构示意图；
[0064]图8是本发明另一个实施例提供的基板上形成的反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层结构示意图。
【具体实施方式】
[0065]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0066]由于现有的有机发光二极管阵列基板在制备时，需要经过多次的曝光、显影处理，工艺流程较为复杂，为了简化有机发光二极管阵列基板的制备工艺，本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，参见图1，本实施例提供的方法流程包括:
[0067]步骤101、在基板的像素驱动层上依次形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜。
[0068]步骤102、采用一次构图工艺在基板上形成包括反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层。
[0069]步骤103、在微腔调整层上依次形成发光功能层和顶电极。
[0070]其中，微腔调整层包括第一微腔调整层，或，包括第一微腔调整层和第二微腔调整层O
[0071]本发明实施例提供的方法，依次在基板的像素驱动层上形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜，通过一次构图工艺即可在基板上形成反射底电极图形及厚度不同的微腔调整层，简化了生产工艺，节省了生产成本，且所形成的微腔调整层的精度更高。
[0072]在本发明的另一个实施例中，采用一次构图工艺在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层，包括:
[0073]在第二微腔调整层薄膜上涂覆一层光刻胶；
[0074]对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，在基板上形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中，光刻胶完全保留区域对应于同时设置有第一微腔调整层和第二微腔调整层的区域，光刻胶半保留区域对应于仅设置有第一微腔调整层的区域，光刻胶完全去除区域对应于上述区域以外的区域；
[0075]对曝光处理后的基板表面进行显影处理，在基板上形成不同厚度的光刻胶，其中，光刻胶完全去除区域的光刻胶被去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度不变，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变小；
[0076]对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的第二微腔调整层薄膜、第一微腔调整层薄膜和反射底电极薄膜，形成反射底电极图形；
[0077]对第一次刻蚀处理后的基板表面进行灰化处理，去除光刻胶半保留区域的光刻胶，将位于光刻胶半保留区域内的第二微腔调整层薄膜暴露出来；
[0078]对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，刻蚀掉暴露出来的第二微腔调整层薄膜，形成厚度不同的微腔调整层；
[0079]剥离剩余的光刻胶。
[0080]在本发明的另一个实施例中，对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，包括:
[0081]采用半色调或灰色调掩膜板对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理。
[0082]在本发明的另一个实施例中，对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，包括:
[0083]依次使用第二微腔调整层刻蚀液、第一微腔调整层刻蚀液及反射底电极刻蚀液对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理。
[0084]在本发明的另一个实施例中，对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，包括:
[0085]使用第二微腔调整层刻蚀液对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理。
[0086]在本发明的另一个实施例中，有机发光二极管阵列基板包括多个像素，每个像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；其中，红色子像素和蓝色子像素对应同时设置有第一微腔调整层和第二微腔调整层的区域，绿色子像素对应仅设置有第一微腔调整层的区域。
[0087]在本发明的另一个实施例中，反射底电极薄膜为反射率高于90 %的合金薄膜。
[0088]在本发明的另一个实施例中，第一微腔调整层为透明结晶氧化物导电薄膜，第二微腔调整层薄膜为透明非结晶氧化物导电薄膜。
[0089]在本发明的另一个实施例中，透明结晶氧化物导电薄膜包括结晶态ITO薄膜。
[0090]在本发明的另一个实施例中，透明非结晶氧化物导电薄膜包括非结晶态ITO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜、AZO薄膜中的至少一种。
[0091]在本发明的另一个实施例中，反射底电极层的厚度为50nm?300nm。
[0092]在本发明的另一个实施例中，第一微腔调整层薄的厚度为5nm?15nm。
[0093]在本发明的另一个实施例中，第二微腔调整层的厚度为50nm?70nm。
[0094]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0095]本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，参见图2，本实施例提供的方法流程包括:
[0096]步骤201、在基板的像素驱动层上依次形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜。
[0097](I)、在基板的像素驱动层上形成反射底电极薄膜。
[0098]该过程具体实施时，可通过溅射、沉积、涂覆等方法在基板的像素驱动层上形成一层反射底电极薄膜，该反射底电极薄膜的厚度以50nm?300nm为宜。
[0099]其中，基板可以为玻璃基板、石英基板等，本实施例不对基板的类型作具体的限定。反射底电极薄I旲具有尚反射性、功函数$父尚、不易被氧化等性质，可由反射率尚于90%的合金薄膜构成，例如，Al合金、Ag合金、Mo合金等合金薄膜。且该反射底电极薄膜只与反射底电极刻蚀液发生反应，不与其他刻蚀液会发生反应。该反射底电极刻蚀液可以为Al金属刻蚀液等。
[0100]在显示领域，OLED有正置型OLED和反置型OLED两种类型，OLED的类型不同时，反射底电极在有机发光二极管阵列基板中所充当的电极也是不同的，当OLED为正置型OLED时，反射底电极可以为阳极；当OLED为反置型OLED时，反射底电极可以为阴极。
[0101](2)、在基板的反射底电极薄膜上形成第一微腔调整层薄膜。
[0102]该过程具体实施时，可通过溅射、沉积、涂覆等方法在基板的反射底电极薄膜上形成一层第一微腔调整层薄膜，该第一微腔调整层薄膜的厚度以5nm?15nm为宜。
[0103]其中，第一微腔调整层为一层透明结晶氧化物导电薄膜，该透明结晶氧化物导电薄膜包括结晶态ITO薄膜等。该第一微腔调整层只与第一微腔调整层刻蚀液发生反应，不与其他刻蚀液发生反应。该第一微腔调整层刻蚀液可以为结晶态ITO刻蚀液等，由硝酸等物质组成。
[0104](3)、在基板的第一微腔调整层薄膜上形成第二微腔调整层薄膜。
[0105]该过程具体实施时，可通过溅射、沉积、涂覆等方法在基板的第一微腔调整层薄膜上形成一层第二微腔调整层薄膜，该第二微腔调整层薄膜的厚度以50nm?70nm为宜。其中，第二微腔调整层为一层透明非结晶态氧化物导电薄膜，例如该非结晶态氧化物导电薄膜的透过率高于85%，包括ITO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜、AZO薄膜中的至少一种。该第二微腔调整层只与第二微腔调整层刻蚀液发生反应，与其他刻蚀液不会发生反应。其中，第二微腔调整层刻蚀液可以为非结晶态ITO刻蚀液等，由草酸、盐酸等物质组成。
[0106]为了避免基板上形成的反射底电极、第一微腔调整层以及第二微腔调整层被氧化，在基板上形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜以及第二微腔调整层薄膜之前，需要调整腔室内的气体成分和沉积温度。
[0107]通过该步骤201最终可在基板上形成如图3所示的结构。
[0108]步骤202、在第二微腔调整层薄膜上涂覆一层光刻胶。
[0109]在第二微腔调整层薄膜上涂覆光刻胶时，可采用多种方式，比如，将光刻胶均匀地旋涂在第二微腔调整层薄膜上等，当然，还可以采用其他方式，本实施例对此不作具体的限定。在第二微腔调整层薄膜上涂覆的光刻胶的厚度要适宜，不宜过厚，也不宜过薄。
[0110]通过该步骤202可在基板上形成如图4所示的结构。
[0111]步骤203、对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，在基板上形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域。
[0112]通过米用半色调掩膜板(half-tone mask)或灰色调掩膜板(gray-tone mask)对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，可在基板上形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域。其中，光刻胶完全保留区域对应于同时设置有第一微腔调整层和第二微腔调整层的区域，光刻胶半保留区域对应于仅设置有第一微腔调整层的区域，光刻胶完全去除区域对应于上述区域以外的区域。
[0113]步骤204、对曝光处理后的基板表面进行显影处理，在基板上形成不同厚度的光刻胶。
[0114]经过显影处理，光刻胶完全去除区域的光刻胶将被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度不变，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变小。
[0115]通过该步骤204可在基板上形成如图5所示的结构。
[0116]步骤205、对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的第二微腔调整层薄膜、第一微腔调整层薄膜和反射底电极薄膜，形成反射底电极图形。
[0117]依次采用第二微腔调整层刻蚀液、第一微腔调整层刻蚀液及反射底电极刻蚀液对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理。由于基板上光刻胶完全去除区域没有光刻胶的保护，在第