一次刻蚀处理时，该区域内的第二微腔调整层薄膜、第一微腔调整层薄膜及反射底电极薄膜因与第二微腔调整层刻蚀液、第一微腔调整层刻蚀液及反射底电极刻蚀液发生反应而溶解，最终在基板表面形成如图6所示的反射底电极图形。
[0118]步骤206、对第一次刻蚀处理后的基板表面进行灰化处理，去除光刻胶半保留区域的光刻胶，将位于光刻胶半保留区域内的第二微腔调整层薄膜暴露出来。
[0119]光刻胶通常由各种有机物组成，而灰化处理的实质为有机物分解过程。经过灰化处理光刻胶半保留区域内的光刻胶因厚度较薄，在灰化处理过程中将全部分解，使得位于光刻胶半保留区域内的第二微腔调整层薄膜暴露出来；光刻胶全部保留区域内的光刻胶因厚度较厚，在灰化处理过程中并未全部分解，仍有部分被保留。
[0120]通过该步骤206可在基板上形成如图7所示的结构。
[0121]步骤207、对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，刻蚀掉暴露出来的第二微腔调整层薄膜，形成厚度不同的微腔调整层。
[0122]采用第二微腔调整层刻蚀液对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，光刻胶半保留区域内完全暴露出来的第二微腔调整层薄膜因与第二微腔调整层刻蚀液发生反应而溶解，而光刻胶完全保留区域内因有光刻胶的保护，无法与第二微腔调整层刻蚀液反应而保留。
[0123]步骤208、剥离剩余的光刻胶。至此，在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层。
[0124]对于光刻胶完全保留区域，在基板上形成的微腔调整层包括第一微腔调整层和第二微腔调整层；对于光刻胶半保留区域，在基板上形成的微腔调整层包括第一微腔调整层。
[0125]通过步骤208在基板上形成的反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层如图8所不O
[0126]步骤209、在微腔调整层上依次形成发光功能层和顶电极。
[0127]可采用像素掩膜蒸镀工艺在微腔调整层上形成一层发光功能层，并采用蒸发蒸镀工艺在发光层上形成一顶电极层。
[0128]为使有机发光二极管阵列基板能发出不同颜色的光，有机发光二极管阵列基板包括多个像素，每个像素均包括三个子像素，分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。其中，红色子像素和蓝色子像素对应同时设置有第一微腔调整层和第二微腔调整层的区域，绿色子像素对应同时设置有第一微腔调整调整层的区域。
[0129]本发明实施例提供的方法，依次在基板的像素驱动层上形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜，通过一次构图工艺即可在基板上形成反射底电极图形及厚度不同的微腔调整层，简化了生产工艺，节省了生产成本，且所形成的微腔调整层的精度更高。
[0130]基于上述图2所示的有机发光二极管阵列基板的制备方法，本实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的具体制备方法，该方法流程包括:
[0131]步骤901、在基板上形成栅极金属层图形。
[0132]首先，使用标准方法清洗基板。
[0133]其次，采用sputter设备在基板上沉积栅极金属层薄膜。
[0134]其中，栅极金属层薄膜可以为Al、Cr、W、T1、Ta、Mo、Cu等金属或合金，还可以为由多个金属层薄膜构成的复合层薄膜，且该栅极金属层薄膜的厚度范围为200?lOOOnm。
[0135]再次，采用构图工艺在基板上形成栅极金属层图形。
[0136]通过光刻工艺在基板上定义出栅极金属层的图形，对该基板进行湿刻，剥离光刻胶，在基板上形成栅极金属层图形。
[0137]步骤902、在完成步骤901的基板上形成栅极绝缘层图形。
[0138]采用PECVD设备在步骤901中得到的基板上沉积一层栅极绝缘层，栅极绝缘层可以为Si02、Si3N4, S1xNy等构成的单层薄膜或多层薄膜，且该栅极绝缘层的厚度为5nm?300nmo
[0139]步骤903、在完成步骤902的基板上形成有源层图形。
[0140]采用sputter设备在步骤902中得到的基板上沉积一层氧化物有源层，该有源层可以为IGZO、ZnO、ZnON> ITZO等单元或多元氧化物半导体材料，该有源层的厚度为5nm?250nm。通过光刻工艺在基板上定义出有源层的图形，对基板进行湿刻，剥离光刻胶，在基板上形成有源层图形。
[0141]步骤904、在完成步骤903的基板上形成一层刻蚀阻挡层薄膜，通过光刻工艺在基板上定义出刻蚀阻挡层的过孔图形，对基板进行干刻，剥离光刻胶，在基板上形成刻蚀阻挡层图形。
[0142]采用PECVD设备在步骤902中得到的基板上刻蚀阻挡层，通过光刻工艺定义出过孔图图形，经过干刻，剥离光刻胶，在基板上形成刻蚀阻挡层图形。
[0143]步骤905、在完成步骤904的基板上形成源漏极金属层图形。
[0144]采用sputter设备沉积源极、漏极金属，用光刻胶定义出源极、漏极金属图形，通过刻蚀工艺，在基板上形成源极、漏极金属层图形。
[0145]步骤906、在完成步骤905的基板上形成钝化层图形。
[0146]采用PECVD设备在基板上沉积无机材料钝化层，光刻定义出过孔图形，经过干刻，剥离光刻胶，得到钝化层图形。
[0147]步骤907、在完成步骤906的基板上形成像素驱动层图形。
[0148]在步骤906得到的基板上旋涂光刻胶，通过刻蚀工艺，得到像素驱动层图形。
[0149]需要说明的是，以上步骤仅为在基板上形成OLED器件之前形成其他结构膜层的一个具体的示例，具体形成方法有很多种，不限于此。首先，本实施例以形成底栅结构的薄膜晶体管为例，但本发明不限于此，还可以采用顶栅结构的薄膜晶体管。其次，有源层可以采用氧化物材料，也可以采用非晶硅或多晶硅等其他材料，本发明不做限制；因考虑到氧化物等材料的稳定性较差，在采用其制作有源层时，优选设置刻蚀阻挡层图形，当然，也可以省略刻蚀阻挡层制作。另外，像素驱动层可以包括薄膜晶体管阵列和钝化层，还可以根据设计需要包括平坦化层、水氧阻隔层等膜层。
[0150]步骤908、在完成步骤907的基板上形成OLED阳极。
[0151]采用sputter设备沉积OLED反射阳极薄膜，通过构图工艺形成反射底电极图案。
[0152]步骤909、在完成步骤908的基板上形成像素界定层图形。
[0153]旋涂厚度为I?4um的有机物，经过光刻工艺，在基板上形成像素界定层图形。
[0154]步骤910、在完成步骤909的基板上形成发光功能层各层。
[0155](I)、将有机材料在0LED/ET有机金属薄膜沉积高真空系统中热蒸发蒸镀；
[0156](2)、在l*10_5Pa的真空中依次热蒸发蒸镀电子传输层(约190度)、有机发光层及空穴传输层(约170度)。
[0157](3)、采用像素区掩模蒸镀工艺蒸镀发光层，采用50nm厚度的NPB蒸镀空穴传输层，采用25纳米厚的Bphen蒸镀电子传输层。
[0158](4)、分别采用掺杂磷光材料的主体材料25nm厚的CBP: (ppy) 2Ir (acac)、CBP: FIrpic及CBP:Btp2Ir (acac)蒸镀绿光、蓝光和红光像素区。
[0159]需要说明的是，上述(I)?(4)为步骤910的组成步骤，并不限定彼此的先后顺序。当然，步骤910的具体形成过程不限于此，其必须包括发光层，还可以根据设计需要包括 HIL(Hole Inject1n Layer，空穴注入层)、HTL(Hole Transport Layer，空穴传输层)、ETL (Electron Transport Layer，电子传输层)、EIL (Electron Inject1n Layer，电子注入层)中的至少一层。至于发光层材料的选取，可以根据设计的需要进行选择。
[0160]步骤911、在完成步骤910的基板上形成OLED阴极，以形成顶电极。
[0161]其中，OLED阴极为IZO或AZO等透明导电薄膜。OLED阴极的厚度以50nm?200nm为宜。
[0162]根据OLED显示装置的显示类型，可以直接利用发光功能层发出的不同颜色的彩色光实现彩色显示，也可以在OLED阵列基板上形成具有彩膜的盖板来进行彩色显示。
[0163]本实施例还示意性的提供一种具有彩膜的盖板的制备方法，该方法流程包括:
[0164]步骤1001、在基板上形成黑色矩阵图形。
[0165]在基板上旋涂高黑度的有机材料，厚度以Ium为宜，通过构图工艺形成黑色矩阵图形。
[0166]步骤1002、在完成步骤1001的基板上形成彩膜图形。
[0167]在步骤1001得到的基板上旋涂红、绿、蓝三种颜色的彩膜，厚度以I?3um为宜，通过构图工艺形成彩膜图形。
[0168]步骤1003、在完成步骤1002的基板上形成PS (Post Spacer，隔垫物)薄膜层。
[0169]使OLED阵列基板和盖板对合，避免对合时颗粒物质对OLED的损坏。
[0170]在制备时，可在步骤1002得到的基板上旋涂厚度为3?5um的PS薄膜层，通过构图工艺形成PS图形。该PS图形与基板上形成黑色矩阵图形的位置相对应。
[0171]对合时，可将采用步骤901?911制备的OLED阵列基板和步骤1001?1003制备的盖板对合，还可以在对合后的装置外贴合一层透明盖板。其中，透明盖板的材料可以为康宁或旭硝子玻璃以及其他石英玻璃等，该透明盖板的厚度可以为50um?lOOOum。
[0172]本实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板，该有机发光二极管阵列基板如图8所示，包括:
[0173]基板；
[0174]形成在基板上的像素驱动层；
[0175]依次形成在基板的像素驱动层上的反射底电极和厚度不同的微腔调整层，微腔调整层沿远离反射底电极的方向包括第一