率芯片，其中所述第一接触元件为栅极接触元件，所述第二接触元件为源极接触元件，且所述第三接触元件为漏极接触元件。3.根据权利要求1所述的半导体功率芯片，其中所述开口具有圆或椭圆形状。4.根据权利要求1所述的半导体功率芯片，其中每一接触元件具有细长条带的形式且由铜制成。5.根据权利要求1所述的半导体功率芯片，其中所述绝缘层具有I密耳到2密耳的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体功率芯片，其中第一、第二及第三接触元件由铜制成且其中焊料安置于每一开口内。7.一种半导体功率装置，其包括根据权利要求2所述的半导体功率芯片，所述半导体功率装置进一步包括: 连接材料，其安置于每一开口内； 引线框架，其包括放置于裸片的顶部上且经由所述连接材料与栅极、源极及漏极的多个接触元件连接的栅极、源极及漏极引线指状件。8.根据权利要求7所述的半导体功率装置，其中每一引线指状件具有细长条带的形式。9.根据权利要求8所述的半导体功率装置，其中所述引线框架进一步包括分别互连所述漏极与源极引线指状件的左及右连接元件。10.根据权利要求9所述的半导体功率装置，其中所述漏极及源极引线指状件经交替布置以形成叉指结构。11.根据权利要求7所述的半导体功率装置，其中所述引线框架经定大小以与所述多个接触元件匹配。12.根据权利要求7所述的半导体功率装置，其中所述引线框架实质上大于所述半导体功率芯片的裸片。13.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其中第一、第二及第三接触元件由铜制成且其中所述连接材料为焊料。14.一种半导体功率装置，其包括至少第一及第二半导体功率芯片，每一半导体功率芯片为根据权利要求2所形成的，所述半导体功率装置进一步包括: 连接材料，其安置于每一开口内； 引线框架，其具有第一及第二区，第一及第二区各自包括放置在所述半导体功率芯片的顶部上且经由所述连接材料分别与所述第一及第二半导体芯片的栅极、源极及漏极的多个接触元件连接的栅极、源极及漏极引线指状件。15.根据权利要求14所述的半导体功率装置，其中每一引线指状件具有细长条带的形式。16.根据权利要求14所述的半导体功率装置，其中所述引线框架进一步包括用于所述第一及第二功率半导体芯片中的每一者的分别互连所述漏极与源极引线指状件的左及右连接元件。17.根据权利要求16所述的半导体功率装置，其中所述漏极及源极引线指状件经交替布置以形成叉指结构。18.根据权利要求14所述的半导体功率装置，其中所述引线框架还将所述第一半导体芯片的源极与所述第二半导体芯片的漏极或所述第一及第二半导体芯片的源极连接在一起。19.根据权利要求14所述的半导体功率装置，其中第一、第二及第三接触元件由铜制成且其中所述连接材料为焊料。20.一种半导体装置，其包括根据权利要求2所述的半导体功率芯片，所述半导体装置进一步包括: 另一芯片； 连接材料，其安置于所述半导体功率芯片的每一开口内； 引线框架，其具有:第一区，所述第一区包括放置在所述半导体功率芯片的顶部上且经由所述连接材料与所述半导体功率芯片的栅极、源极及漏极中的每一者的多个连接元件连接的栅极、源极及漏极引线指状件；及第二区，其经配置用于线接合所述另一芯片。21.根据权利要求20所述的半导体功率装置，其中每一引线指状件具有细长条带的形式。22.根据权利要求21所述的半导体功率装置，其中所述引线框架进一步包括分别互连所述漏极与源极引线指状件的左及右连接元件。23.根据权利要求22所述的半导体功率装置，其中所述漏极及源极引线指状件经交替布置以形成叉指结构。24.根据权利要求20所述的半导体装置，其中所述另一芯片是可操作以控制所述半导体功率芯片的微控制器芯片。25.根据权利要求20所述的半导体装置，其中所述另一芯片是可操作以控制所述半导体功率芯片的脉冲宽度调制芯片。26.一种半导体装置，其包括至少第一及第二半导体功率芯片，每一半导体功率芯片是根据权利要求2所形成的，所述半导体装置进一步包括: 第二芯片； 连接材料，其分别安置于所述第一及第二半导体功率芯片的每一开口内； 引线框架，其具有:第一及第二区，第一及第二区各自包括适于经由所述连接材料分别与所述第一及第二半导体芯片的栅极、源极及漏极的接触元件连接的栅极、源极及漏极引线指状件；及第三区，其经配置用于线接合所述另一芯片。27.根据权利要求26所述的半导体功率装置，其中用于所述第一及第二半导体功率芯片的每一引线指状件具有细长条带的形式，其中所述引线框架进一步包括用于所述第一及第二半导体功率芯片中的每一者的分别互连所述漏极及源极引线指状件的左及右连接元件，且其中所述漏极及源极引线指状件经交替布置以形成叉指结构。28.根据权利要求26所述的半导体装置，其中所述第三芯片是可操作以控制所述半导体功率芯片的微控制器芯片或可操作以控制所述半导体功率芯片的脉冲宽度调制芯片。29.一种半导体封装，其包括根据权利要求2所述的第一及第二半导体功率芯片，所述半导体封装进一步包括: 连接材料，其安置在所述第一及第二半导体芯片的每一开口内； 引线框架，其包括放置在所述裸片的顶部上的第一及第二栅极引线指状件、共用源极引线指状件以及第一及第二漏极引线指状件，其中所述第一栅极引线指状件与所述第一半导体芯片的栅极接触元件连接，所述第一漏极引线指状件与所述第一半导体芯片的多个漏极接触元件连接，所述第二栅极引线指状件与所述第二半导体芯片的栅极接触元件连接，所述第二漏极引线指状件与所述第二半导体芯片的多个漏极接触元件连接，且所述共用源极引线指状件与所述第一及第二半导体芯片的多个源极接触元件连接。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体功率芯片，其包括半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240ˊ)，所述半导体裸片具有制造于其衬底(210)上的功率装置，例如，功率场效应晶体管，其中所述功率装置具有布置在所述半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240ˊ)的顶部上的至少一个第一接触元件(例如，栅极接触元件)(110)，多个第二接触元件(源极接触元件)(120)及多个第三接触元件(漏极接触源极)(130)；及绝缘层(150)，其安置在所述半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240ˊ)的顶部上且经图案化以提供接达所述多个第二接触元件(120)及所述多个第三接触元件(130)以及所述至少一个第一接触元件(110)的开口(104、106、108、154、154ˊ、156、156ˊ、158、158ˊ)。所述绝缘层(150)中的栅极开口(104、154、154ˊ)及漏极开口(108、158、158ˊ)布置在所述裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240ˊ)的顶表面的一侧上且源极开口(106、156、156ˊ)布置在所述裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240ˊ)的所述顶表面的相对侧上。所述绝缘层(150)中的所述开口为圆形(104、106、108)或优选地椭圆形(154、154ˊ、156、156ˊ、158、158ˊ)。焊料或导电环氧树脂凸块(160)放置在所述开口(104、106、108、154、154ˊ、156、156ˊ、158、158ˊ)中用于将所述第一触点(110)、第二触点(120)及第三触点(130)接合到引线框架指状件(204、204ˊ、206、206ˊ、208)。所述引线框架任选地实质上大于所述半导体功率芯片的所述裸片(220、230)。所述引线框架可将第一半导体芯片的源极与第二半导体芯片的漏极或第一及第二半导体芯片的源极连接在一起。又一芯片(620)可线接合到所述引线框架。
【IPC分类】H01L23/482, H01L23/495, H01L25/065, H01L23/31, H01L21/60, H01L23/485
【公开号】CN105051895
【申请号】CN201480015439
【发明人】格雷戈里·迪克斯, 罗杰·迈尔奇
【申请人】密克罗奇普技术公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年3月1日
【公告号】US8921986, US20140264796, WO2014149579A1