氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]目前氧化物技术已经逐渐成为大尺寸、高画质、低功耗平板显示产品的主流技术，各大面板商都在量产或者积极开发。在传统的氧化物阵列基板制造工艺过程中，一般需要7?9道曝光。对现有技术的氧化物阵列制造工艺进行说明。
[0003]通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在整个基底上形成二氧化硅(S12)和氮化硅(SiN)薄膜的缓冲层。其后通过构图工艺在缓冲层上形成包括有源层的图形。
[0004]在形成有源层的基底上形成刻蚀阻挡层(ESL)，并形成用于源极和漏极与有源层连接的过孔。
[0005]使用磁控溅射沉积一种或多种低电阻的金属薄膜，通过曝光和刻蚀工艺形成源极和漏极。
[0006]通过PECVD沉积S12S S1 2和SiN薄膜，在形成有源层的基底上形成栅极绝缘层。通过磁控溅射等物理气相沉积方法在栅极绝缘层上沉积一种或者多种低电阻的金属材料薄膜，利用光刻工艺形成栅极。
[0007]在形成栅极的基底上，通过PECVD沉积S1jP SiN薄膜，通过曝光和刻蚀工艺形成钝化层(PVX)，以及用于漏极与像素电极连接的过孔。
[0008]在完成上述步骤的基底上，通过磁控溅射沉积一层透明导电薄膜，通过光刻工艺形成像素区域的像素电极。
[0009]在完成上述步骤的基底上，形成平坦化层。
[0010]在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括公共电极的图形。
[0011]发明人发现现有技术中至少存在如下问题:使用曝光次数一般是7-9次，成本较高。且ESL和BCE (背沟道刻蚀)结构均存在Cgs (栅极和源、漏电极之间的寄生电容)，导致Panel Load(显不面板彳目号延迟)大，提尚了功耗，而且对尚解析度广品的MUX设计应用带来一定局限性。
【发明内容】
[0012]本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的薄膜晶体管和阵列基板的制备方法存在的上述的问题，提供一种工艺简单、性能较好的氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置。
[0013]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其包括:
[0014]在基底上方，通过构图工艺形成包括氧化物薄膜晶体管的有源层和源极、漏极的图形；以及，
[0015]对完成上述步骤的基底进行退火的步骤。
[0016]优选的是，所述通过构图工艺形成包括氧化物薄膜晶体管的有源层和源极、漏极的图形包括:
[0017]依次沉积氧化物半导体薄膜和源漏金属薄膜，并通过一次构图工艺形成包括有源层和源极、漏极的图形。
[0018]进一步优选的是，对形成所述有源层和源极、漏极的基底进行退火的时间为30min，退火的温度为230?320°C。
[0019]优选的是，所述通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层和源极、漏极的图形包括:
[0020]沉积氧化物半导体薄膜，并通过构图工艺形成包括有源层的图形；
[0021]沉积源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成包括源极、漏极的图形。
[0022]进一步优选的是，在所述通过构图工艺形成包括源极、漏极的图形之前还包括:对形成有有源层的基底进行退火的步骤。
[0023]进一步优选的是，所述对形成有有源层的基底进行退火步骤中退火的时间为lh，退火的温度为230?320 °C。
[0024]进一步优选的是，所述对形成有薄膜晶体管源极、漏极的基底进行退火的步骤中，退火的时间为5?lOmin，退火的温度为230?320°C。
[0025]优选的是，所述源极和漏极的材料为钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜中的任意一种。
[0026]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种氧化物薄膜晶体管，该氧化物薄膜晶体管是采用上述制备方法制备的。
[0027]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，其包括上述制备氧化物薄膜晶体管的步骤。
[0028]优选的是，所述阵列基板的制备方法还包括:
[0029]在对形成有薄膜晶体管源极、漏极的基底进行退火的步骤之后沉积钝化层，并刻蚀形成使得像素电极与薄膜晶体管漏极连接的过孔；
[0030]通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。
[0031]进一步优选的是，所述钝化层为二氧化硅的单层结构，或为二氧化硅和氮化硅的双层结构，亦或为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的三层结构。
[0032]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，该阵列基板是采用上述的制备方法制备的。
[0033]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
[0034]本发明具有如下有益效果:
[0035]本发明中，在形成氧化物薄膜晶体管的有源层和源极、漏极之后进行退火，此时在源极和漏极分别与有源层接触的位置处，形成源极和漏极的金属材料中金属原子将会向有源层扩散，与形成有源层的氧化物半导体材料中的氧原子发生化学反应，以使该位置出的有源层材料失氧，也就是说氧空位增多，同时自由电子也随之增多，从而使得该位置处的半导体材料呈现金属化(半导体)趋势，进而增加源极和漏极分别与有源层之间的欧姆接触，使得氧化物薄膜晶体管的性能更好。
【附图说明】
[0036]图1为本发明的实施例1的氧化物薄膜晶体管的制备方法的示意图；
[0037]图2为本发明的实施例2的氧化物薄膜晶体管的制备方法的示意图；
[0038]图3为本发明的实施例3的氧化物薄膜晶体管的制备方法的示意图；
[0039]图4为本发明的实施例4的氧化物薄膜晶体管的制备方法的示意图。
[0040]其中附图标记为:1、有源层；21、源极；22、漏极；3、栅极绝缘层；4、栅极；5、钝化层；6、像素电极；7、平坦化层；8、公共电极；9、基底；10、氧化物半导体薄膜；20、源漏金属薄膜；11、光刻胶。
【具体实施方式】
[0041]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0042]实施例1:
[0043]如图1所示，本实施例提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其包括:在基底9上方，通过构图工艺形成包括氧化物薄膜晶体管的有源层I和源极21、漏极22的图形；其中，以及，对完成上述步骤的基底9进行退火的步骤。之后，还包括形成包括氧化物薄膜晶体管的栅极绝缘层3和栅极4的步骤。
[0044]本实施例中，在形成氧化物薄膜晶体管的有源层I和源极21、漏极22之后进行退火，此时在源极21和漏极22分别与有源层I接触的位置处，形成源极21和漏极22的金属材料中金属原子将会向有源层I扩散，与形成有源层I的氧化物半导体材料中的氧原子发生化学反应，以使该位置出的有源层I材料失氧，也就是说氧空位增多，同时自由电子也随之增多，从而使得该位置处的半导体材料呈现金属化(半导体)趋势，进而增加源极21和漏极22分别与有源层I之间的欧姆接触，使得氧化物薄膜晶体管的性能更好。
[0045]需要说明的是，在本实施例中以及下述各实施例中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等