薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，可用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。
【背景技术】
[0002]现行制造有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light EmittingD1de, AMOLED)的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列基板主要是以低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)作为半导体材料。制作方法以镀膜、光刻、蚀刻为主。制作流程如图1和图2所不。
[0003]如图1，LTPS作为半导体材料的TFT阵列基板制作流程为:
[0004]SI’:在玻璃基板上形成LTPS半导体层；
[0005]S2’:在LTPS半导体层上形成栅绝缘层和具有栅极(Gate)的第一金属层；
[0006]S3’:在第一金属层上形成第一绝缘层，以对第一金属层进行绝缘保护，并在第一绝缘层上形成贯穿第一绝缘层的两个第一接触孔；
[0007]S4’:在第一绝缘层的上方形成具有源极(Source electrode)和漏极(Drainelectrode)的第二金属层；
[0008]S5’:在第二金属层上形成第二绝缘层，对第二金属层进行绝缘保护，并在第二绝缘层上对应于两个第一接触孔的位置形成与第一接触孔连通的两个第二接触孔；
[0009]S6’:在第一和第二接触孔中沉积金属材料以制作电极；
[0010]S7’:在电极的上方形成第三绝缘层，对该电极进行绝缘保护。
[0011 ] 如图2，a-Si作为半导体材料的TFT阵列基板的制作流程为:
[0012]SI”:在玻璃基板上形成具有栅极(Gate)的第一金属层，并在第一金属层上方形成第一绝缘层，对第一金属层进行绝缘保护；
[0013]S2”:在第一绝缘层上形成a-Si半导体层；
[0014]S3”:在a-Si半导体层上形成具有源极(Source)和漏极(Drain)的第二金属层；
[0015]S4”:在第二金属层的上方形成第二绝缘层，对第二金属层进行绝缘保护，并在第二绝缘层上开孔，形成接触源极和漏极的两个接触孔；
[0016]S5”:在两个接触孔中沉积金属材料以制作电极；
[0017]S6”:在电极的上方形成第三绝缘层，对该电极进行绝缘保护。
[0018]现有制造AMOLED的TFT阵列基板的技术均需要重复上述制作流程，不仅需要长时间的制作，而且非常耗费人力及影响设备的稼动率。
【发明内容】
[0019]本发明的目的是提出一种TFT阵列基板及其制造方法，能够缩短制造流程，提高设备稼动率，并减小TFT阵列基板的尺寸。
[0020]为实现上述目的，本发明提出一种TFT阵列基板的制造方法，包括步骤:
[0021]S1:在透光基板上形成栅极，并在所述栅极的上方设置覆盖所述栅极和所述透光基板的第一绝缘层；
[0022]S2:在所述第一绝缘层的上方形成图案化的IGZO层；
[0023]S3:对所述IGZO层进行处理，以形成源极和漏极；
[0024]S4:在经过步骤S3处理后的所述IGZO层的上方设置第二绝缘层，对所述IGZO层进行绝缘保护；
[0025]S5:在所述第二绝缘层中开设连通至所述源极/漏极的接触孔，并在所述接触孔中沉积电极。
[0026]在本发明一实施例中，在所述步骤S2中，所述IGZO层是呈岛状覆盖在所述第一绝缘层上，并具有位于所述栅极上方并对应所述栅极位置的第一区域和相邻于所述第一区域的第二区域。
[0027]在本发明一实施例中，所述步骤S3包括:
[0028]S3-1:形成IGZO材料层，对IGZO材料层进行光刻工艺和蚀刻工艺，形成位于栅极上方的图案化的IGZO层；
[0029]S3-2:从所述透光基板下方照射光，使所述第二区域在光照之后具有导电特性，从而以自对准方式形成源极和漏极。
[0030]在本发明一实施例中，所述第一区域在光照之后保留半导体特性。
[0031]在本发明一实施例中，，在所述步骤3-2中，是利用UV光或近UV频段的光进行光照。
[0032]在本发明一实施例中，所述步骤SI中是在所述透光基板上形成第一金属层，并通过光刻工艺和蚀刻工艺形成所述栅极。
[0033]在本发明一实施例中，所述步骤S5中是在所述接触孔中沉积金属材料以形成所述电极。
[0034]在本发明一实施例中，还包括:
[0035]在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对所述IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极。
[0036]在本发明一实施例中,所述透光基板为玻璃基板。
[0037]本发明还提出一种TFT阵列基板，包括
[0038]透光基板；
[0039]栅极；
[0040]设置在所述栅极上方的第一绝缘层；
[0041]设置在所述第一绝缘层上方的用于TFT的IGZO层；
[0042]设置在所述IGZO层上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有连通所述IGZO层的接触孔；
[0043]设置在所述接触孔中的电极；
[0044]其中，所述IGZO层包括沟道区以及与栅极自对准的源极和漏极，所述源极和漏极的电阻小于所述沟道区的电阻。
[0045]在本发明一实施例中，所述源极和漏极是通过以UV光或近UV频段的光照射所述IGZO层而形成。
[0046]在本发明一实施例中，还包括电容器，该电容器的一个电极与栅极(G)位于同一金属层，另一个电极由IGZO层形成并与用于TFT的IGZO层位于同一层。
[0047]在本发明一实施例中，所述透光基板为玻璃基板。在本发明TFT阵列基板的一实施例中，所述基板为玻璃基板。
[0048]本发明使用铟镓锌氧化物(IGZO)作为半导体层，利用IGZO材料在紫外线的照射下能够具有导体特性的性能，可以在制作源极、漏极以及其他金属走线的同时完成欧姆接触，可以省略现有技术中形成具有源极和漏极的第二金属层的步骤。由于本发明不需要形成第二金属层，因而避免了形成第二金属层中进行光刻工艺过程，缩减了工艺流程、提高了工作效率，并减小TFT尺寸。
【附图说明】
[0049]图1所示为现有的LTPS作为半导体材料的TFT阵列基板制作流程图；
[0050]图2所示为现有的a-Si作为半导体材料的TFT阵列基板制作流程图；
[0051]图3所示为本发明一实施例中TFT阵列基板的制造方法的流程图；
[0052]图4所示为图3的具体步骤流程图。
[0053]图5A至图5F为图3中步骤SI至步骤S6的示意图。
【具体实施方式】
[0054]图3所示为本发明一实施例中TFT阵列基板的制造方法的流程图，如图3所示，TFT阵列基板的制造方法包含如下步骤:
[0055]S1:在透光的基板10上形成具有栅极G的图案化的第一金属层，并在第一金属层的上方设置第一绝缘层20，第一绝缘层20覆盖具有栅极G的第一金属层；第一金属层可为Mo层、Al层、Ti层、Ag层或ITO层，或上述层的组合。
[0056]S2:在第一绝缘层20的上方形成图案化的铟镓锌氧化物(IGZO)层30 ；
[0057]S3:对IGZO层30进行处理，在IGZO层30上形成源极和漏极；
[0058]S4:在上一步骤处理后的IGZO层30的上方设置第二绝缘层40，对IGZO层30进行绝缘保护，并在第二绝缘层40上开设连通至IGZO层的接触孔41 ；
[0059]S5:在接触孔41中沉积金属材料制作电极50 ;电极50为Mo、Al、T1、Ag或ITO材料制成，或上述材料堆叠形成的组合。
[0060]S6:在电极50的上方形成第三绝缘层60，以对电极50进行绝缘。
[0061]在一实施例中，如图4所示，对IGZO层30进行处理的步骤S3可包括:
[0062]S3-1:形成IGZO材料层，对IGZO材料层进行光刻工艺和蚀刻工艺，形成位于栅极G上方的图案化的IGZO层30。
[0063]S3-2:利用UV光或者近UV频段的光从基板10下方进行照射，由于栅极G的阻挡，使得栅极G上方未被照射到的IGZO区域仍具有半导体特性，而被照射的其他IGZO区域具有导体特性。这一步骤可在IGZO图案中形成源极和漏极。
[0064]这里，光刻工艺是指将光罩(Mask)上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再以溶剂浸泡将感光材