子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)显示屏由于OLED电流驱动的特性，在像素(Pixel)设计上原本就带有多TFT及多电容的设计，另外对应于高开口率的需求，顶发射像素的设计也在高端产品上呈现。
[0003]在显示面板制作过程，存在多种因素可能致使显示面板中的某些像素单元出现不良的情况，例如破损(defect)、频闪等状况，从而影响显示面板的显示质量。
[0004]对于上述状况，现有技术中通常采用激光(laser)修补进行处理，以提高显示面板的良品率。
[0005]现有的激光修补方式中是利用激光将出现不良的像素单元所连接的数据线或栅线等控制线打断，即切断不良像素单元的控制线，以使不良像素单元处于断电不显示的状态。但是现有激光修补方式会导致不良像素单元所在像素行或像素列均处于不显示的状态，这样的修补方式显然无法提高显示面板的显示效果，不利于显示面板良品率的提升。同时，现有的激光修补方式还会因为金属的喷溅造成其他正常走线的异常，反而增加显示面板出现缺陷的情况。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，可有利用提高显不面板修补成功率，提尚显不面板的良品率。
[0007]本发明提供方案如下:
[0008]本发明实施例提供了一种子像素结构，包括至少一个TFT，还包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；
[0009]所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。
[0010]优选的，在每一个子像素区域，所述子像素结构包括:
[0011]阳极图层；
[0012]形成于阳极图层之上的电致变发光层；
[0013]形成于电致变发光层至上的阴极图层；
[0014]所述阳极图层通过所述过孔与所述源漏电极连接。
[0015]优选的，所述子像素结构还包括:
[0016]用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层。
[0017]优选的，所述子像素结构还包括:
[0018]形成于衬底基板之上的栅电极层；
[0019]形成于栅电极层之上的栅绝缘层；
[0020]形成于栅绝缘层之上的有机半导体层；
[0021]形成于栅绝缘层以及有机半导体层之上的源漏电极层；
[0022]形成于源漏电极层之上的保护层。
[0023]优选的，所述子像素中用于实现显示控制的电极通过形成于保护层中的过孔，与所述源漏电极层连接。
[0024]优选的，所述像素界定层形成于所述保护层之上。
[0025]优选的，所述保护层包括:
[0026]形成于源漏电极层之上的钝化层；
[0027]形成于钝化层之上的树脂层。
[0028]本发明实施例还提供了一种像素修补方法，包括:
[0029]基于子像素结构的图层结构，采用对应波长的激光，切割形成于过孔内的电极材料，以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与子像素结构内TFT的源漏电极处于断路，所述过孔位于所述像素结构的连接区域内。
[0030]优选的，所述方法还包括:
[0031]当子像素结构中形成有源漏金属层或电极图层时，从所述源漏金属层或电极图层之上，采用对应波长的激光，切割形成于所述连接区域内的图层材料；或者，
[0032]当子像素结构中形成有像素界定层时，从子像素结构的衬底基板之下，采用对应波长的激光，切割形成于衬底基板之上连接区域内的图层材料。
[0033]本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板具体可以包括多个上述本发明实施例提供的子像素结构，多个子像素结构案预设的排列顺序进行排列。
[0034]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置具体可以包括上述本发明实施例提供的显示面板。
[0035]从以上所述可以看出，本发明提供的子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构，可有利用提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。
【附图说明】
[0036]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为本发明实施例提供的子像素结构示意图一；
[0038]图2为本发明实施例提供的子像素结构示意图二 ；
[0039]图3为本发明实施例提供的子像素结构示意图三；
[0040]图4为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图一；
[0041]图5为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图二；
[0042]图6为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图三。
【具体实施方式】
[0043]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0044]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0045]本发明实施例提供了一种子像素结构，该子像素结构包括至少一个用于实现像素开关控制的TFT。
[0046]如图1、2所示，该子像素结构包括第一子像素区域I和第二子像素区域2，以及连接区域3 ;
[0047]上述子像素中用于实现显示控制的电极，在连接区域3，通过过孔4，与TFT的源漏电极5连接，以便在像素修补时，通过切割过孔4内的电极材料，以使电极与源漏电极5处于断路。
[0048]本发明实施例所提供的子像素结构，将一子像素一份为二(或者更多)，每一个子像素结构中的不同子像素，可显示相同的原色或者不同的原色，并且，每一个子像素中用于实现显示控制的电极，在子像素结构中特殊设置的连接区域3内，通过过孔4，与子像素结构的TFT源漏电极5连接。这样，当一子像素出现显示异常即不良时，只需利用激光修补等方式，将位于过孔4内的该子像素所属的电极材料切割掉，以使电极与TFT源漏电极5断开，从而使该子像素处于不显示的状态，避免了当子像素出现不良时，影响显示效果，同时，不影响另一子像素的正常显示。
[0049]而且，本发明实施例所提供的通过打断过孔内电极材料的修补方式，可以利用过孔的侧壁即其他图层，遮挡修补时飞溅的金属碎沫，从而还可避免金属喷溅造成其他正常走线的异常。
[0050]另外，本发明实施例所提供的技术方案，还可以基于子像素结构当前的图层结构(即已经存在哪些图层)，对修补光线(例如激光)的能量进行控制，以避免造成更多的金属喷溅。以激光为例，可通过控制激光的波长，以实现对激光能量的控制。
[0051]即本发明实施例通过优化的子像素结构设计，从而有利于提高显示面板修补成功率，提尚显不面板的良品率。
[0052]本发明实施例所提供的子像素结构，为了界定每一个子像素的区域，可以设置有用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层(PDL)6。即在相邻的子像素之间，形成有像素界定层6的图案。具体可如图1、2所示。
[0053]本发明实施例所提供的子像素结构，如图2所示，在每一个子像素区域内，具体