薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示面板和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示面板和装置。
【背景技术】
[0002]为了保证薄膜晶体管能够正常导通，需要源极和漏极之间的沟道区域均对应于栅极，即需要栅极的宽度大于或等于沟道的宽度。而现有的制作工艺的条件下并不能做到使栅极的宽度刚好等于沟道的宽度，这样就不可避免的需要使栅极与源漏极之间存在垂直交叠区域，导致栅极与源漏极之间存在较大的电容。
【发明内容】
[0003]本发明的一个目的在于解决上述技术问题。
[0004]第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括:
[0005]基底以及形成在所述基底上的氧化物有源层、源极、漏极；
[0006]形成在所述氧化物有源层上的栅极绝缘层；
[0007]形成在所述栅绝缘层之上的栅极；
[0008]其中，所述栅极、所述栅极绝缘层和所述氧化物有源层在基底上的投影面积和投影位置均一致；
[0009]所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层的接触部分与所述氧化物有源层为一整体结构，由延伸到所述栅绝缘层之外的氧化物有源层材料导体化得到。
[0010]进一步的，所述源极和所述漏极还包括与所述氧化物有源层不接触的金属部分，所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层的接触部分搭接到所述金属部分上。
[0011]进一步的，所述金属部分的材质为Cu ；
[0012]还包括形成在所述栅极、所述源极和所述漏极之上的钝化层，所述钝化层的材质为 SiNx0
[0013]进一步的，所述栅绝缘层与所述氧化物有源层接触的部分的材质为S1y。
[0014]第二方面，本发明还提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的薄膜晶体管。
[0015]进一步的，所述源极和所述漏极整体为由氧化物有源层材料导体化得到；
[0016]还包括形成在所述基底上的数据线图形，所述数据线图形中的数据线与所连接的源极为一整体结构，由氧化物有源层材料导体化得到。
[0017]第三方面，本发明提供了一种制作薄膜晶体管的方法，包括:
[0018]在基底上形成到初始氧化物有源层，所述初始氧化物有源层包括对应于目标有源层区域的部分以及位于目标有源层区域之外的部分；
[0019]在所述初始氧化物有源层上形成栅绝缘材料层和栅极材料层；
[0020]对所述栅绝缘材料层和所述栅极材料层进行图案化，得到对应于目标有源层区域的栅绝缘层和栅极，并以所述栅绝缘层和所述栅极为掩膜对目标有源层区域之外的部分的氧化物有源层材料进行导体化。
[0021]进一步的，还包括:
[0022]在SiH4气体环境中，在所述栅极、所述初始氧化物有源层和所述基底上形成沉积SiNx材料形成钝化层。
[0023]进一步的，所述对所述栅绝缘材料层和所述栅极材料层进行图案化，得到对应于目标有源层区域的栅绝缘层和栅极，并以所述栅绝缘层和栅极为掩膜对目标有源层区域之外的部分的氧化物有源层材料进行导体化，包括:使用等离子气体对栅绝缘材料层和所述栅极材料层进行图案化，所述等离子气体适于使目标有源层区域之外的部分的氧化物有源层材料导体化。
[0024]进一步的，所述在基底上形成到初始氧化物有源层之前，所述方法还包括:
[0025]在基底上形成金属源极和金属漏极；
[0026]所述在基底上形成到初始氧化物有源层，包括:
[0027]在基底以及所述金属源极和金属漏极之上形成初始氧化物有源层，所述初始氧化物有源层的一端搭接到所述金属源极，另一端搭接到所述金属漏极。
[0028]进一步的，在基底上形成金属源极和金属漏极，包括:
[0029]在基底上沉积Cu金属材料层，并进行图案化得到金属源极和金属漏极；
[0030]所述以所述栅绝缘层和栅极为掩膜对所述初始氧化物有源层中对所述初始氧化物有源层材料进行导体化具体包括:
[0031]在无氧化性气体的环境中，在所述栅极、所述初始氧化物有源层和所述基底上沉积SiNx材料形成钝化层。
[0032]进一步的，所述在所述初始氧化物有源层上形成栅绝缘材料层包括:
[0033]在所述初始氧化物有源层上沉积S1y材料。
[0034]第四方面，本发明还提供了一种制作阵列基板的方法，包括按照如上述任一项所述的方法制作薄膜晶体管的过程。
[0035]进一步的，所述对所述初始氧化物有源层中延伸到所述栅绝缘层和栅极之外的氧化物有源层材料进行导体化，包括:
[0036]对所述初始氧化物有源层中延伸到所述栅绝缘层和栅极之外的氧化物有源层材料进行导体化得到源漏极和数据线。
[0037]第五方面，本发明还提供了一种显示面板上述任一项所述的阵列基板。
[0038]第六方面，本发明提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
[0039]本发明提供的薄膜晶体管中，所述栅极、栅极绝缘层位于氧化物有源层的上方，且与氧化物有源层在基底上的投影面积和投影位置均一致，源极和漏极与所述氧化物有源层的接触部分与所述氧化物有源层为一整体结构，由延伸到所述栅绝缘层之外的氧化物有源层材料导体化得到。这样，源极和漏极与所述氧化物有源层的接触部分可以以形成在氧化物有源层上方的栅极和栅极绝缘层作为掩膜对下方的氧化物有源层材料导体化得到，这样就可以使得栅极完全覆盖有源层区域，且不与源极和漏极重叠，能够降低栅极和源极以及栅极与漏极之间的电容。
【附图说明】
[0040]图1示出了本发明实施例一提供的薄膜晶体管以及包含其的阵列基板的结构示意图；
[0041]图2-图5为制作图1中的阵列基板的流程示意图；
[0042]图6示出了本发明实施例二提供的薄膜晶体管以及包含其的阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0043]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0044]第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括:
[0045]基底以及形成在所述基底上的氧化物有源层、源极、漏极；
[0046]形成在所述氧化物有源层上的栅极绝缘层；
[0047]形成在所述栅绝缘层之上的栅极；
[0048]其中，所述栅极、所述栅极绝缘层和所述氧化物有源层在基底上的投影面积和投影位置均一致；
[0049]所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层的接触部分与所述氧化物有源层为一整体结构，由延伸到所述栅绝缘层之外的氧化物有源层材料导体化得到。
[0050]第二方面，本发明还提供了一种制作薄膜晶体管的方法，该方法可以用于制作第一方面所述的薄膜晶体管，该方法包括:
[0051]在基底上形成到初始氧化物有源层，所述初始氧化物有源层包括对应于目标有源层区域的部分以及位于目标有源层区域之外的部分；
[0052]在所述初始氧化物有源层上形成栅绝缘材料层和栅极材料层；
[0053]对所述栅绝缘材料层和所述栅极材料层进行图案化，得到对应于目标有源层区域的栅绝缘层和栅极；
[0054]以所述栅绝缘层和栅极为掩膜对目标有源层区域之外的部分的氧化物有源层材料进行导体化。
[0055]第三方面，本发明还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括第一方面所述的薄膜晶体管。
[0056]第四方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，可以用于制作第三方面所述的阵列基板，该方法包括按照所述的方法制作薄膜晶体管的过程。
[0057]本发明提供的薄膜晶体管以及利用本发明提供的薄膜晶体管所制作的薄膜晶体管中，栅极、栅极绝缘层位于氧化物有源层的上方，且与氧化物有源层在基底上的投影面积和投影位置均一致，源极和漏极与所述氧化物有源层的接触部分与所述氧化物有源层为一整体结构，由延伸到所述栅绝缘层之外的氧化物有源层材料导体化得到。源极和漏极与所述氧化物有源层的接触部分以可以形成在氧化物有源层上方的栅极和栅极绝缘层作为掩膜对下方的氧化物有源层材料导体化得到，这样就可以是的栅极完全覆盖有源层区域，