前侧上并且在载体的背离半导体层序列的后侧上分别具有接触部。接触部分别经由接触带与接触面连接，其中接触带在模制体的相对置的主面上伸展。模制体例如在后侧上具有接触开口，在所述接触开口中载体的后侧为了与接触带的电接触是可触及的。
[0023]根据半导体器件的至少一个实施方式，模制体对于在半导体芯片中产生的辐射反射性地构成。优选地，对于在有源区域中产生的辐射的峰值波长而言反射率为至少60%、优选至少80%。沿着朝模制体的方向放射的辐射因此能够被反射回半导体芯片中并且随后穿过辐射出射面从半导体器件射出。
[0024]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体芯片具有凹部，所述凹部至少局部地沿着半导体芯片的环周、例如沿着半导体芯片的整个环周伸展。凹部例如延伸到载体中。
[0025]特别地，模制体至少局部地延伸到凹部中。半导体芯片和模制体之间的形状配合的连接因此能够以简单的方式实现并且提高半导体芯片和模制体之间的连接的机械稳定性。
[0026]用于制造半导体器件的方法根据至少一个实施方式具有下述步骤，其中提供多个半导体芯片，所述半导体芯片分别具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域。
[0027]根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中半导体芯片借助模塑料局部围绕成形以构成模制体复合件。围绕成形例如能够借助于浇注进行，其中术语浇注通常指用于施加模塑料的方法并且尤其包括注射成型(Inject1n Molding)、传递成型(Transfer Molding)和模压(Compress1n Molding)。
[0028]根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中在模制体复合件上构成尤其能导电的覆层用于电接触半导体芯片。覆层为了接触半导体芯片被结构化、即非整面地构成。覆层例如能够通过蒸镀或者溅射构成。在之后的步骤中，例如能够借助于电镀沉积或者无流沉积提高能导电的覆层的厚度尤其以提高导电能力。
[0029]根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤:其中模制体复合件被分割为多个半导体器件，所述半导体器件分别具有半导体芯片和至少一个接触面，其中被分割的模制体的在分割时产生的侧面形成半导体器件的安装侧面，在所述安装侧面上，至少一个通过覆层形成的、用于外部的电接触的接触面是可触及的。分割尤其仅在施加覆层之后才进行，使得半导体器件的在分割时产生的侧面没有用于覆层的材料。分割例如能够通过机械法、例如锯割实现，或者借助于相干辐射、例如激光分离进行。
[0030]在用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式中，提供多个半导体芯片，所述半导体芯片分别具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域。半导体芯片借助模塑料局部地围绕成形以构成模制体复合件。覆层在模制体复合件上构成以电接触半导体芯片。模制体复合件被分割为多个半导体器件，其中半导体器件分别具有半导体芯片和至少一个接触面，并且其中分隔的模制体的在分割时产生的侧面形成半导体器件的安装侧面，在所述安装侧面上，至少一个通过覆层形成的、用于外部的电接触的接触面是可触及的。
[0031]根据所述方法的至少一个实施方式，在构成覆层之前，在相邻的半导体芯片之间，模制体复合件分别具有至少一个凹处，所述凹处设有覆层。凹处能够完全地或者仅局部地延伸穿过模制体复合件。模制体复合件能够构成为，使得模制体复合件已经具有凹处。替选地，凹处能够通过材料剥离在模制体复合件构成之后并且在施加覆层之前引入到模制体复合件中，例如机械地引入、例如借助于钻孔或者借助于相干辐射来引入。
[0032]根据所述方法的至少一个实施方式，对模制体复合件的分割以穿过凹处的方式进行。特别地，进行分割，使得分割的半导体器件具有带有至少一个缩进部的矩形的基本形状。特别地，半导体器件能够在矩形的基本形状的每个角处具有缩进部。分割剖面的宽度在这种情况下小于凹处的横向于分割剖面的扩展。
[0033]根据所述方法的至少一个实施方式，在提供半导体芯片时，提供多个半导体芯片复合件，所述半导体芯片复合件分别具有多个连续的半导体芯片。半导体芯片复合件尤其能够具有共同的连续的载体。因此，从随后的半导体芯片中产生的晶片首先被分割为区段，所述区段分别形成半导体复合件并且包括多个尚未分割的半导体芯片。半导体芯片复合件仅在借助模塑料围绕成形之后才被分割。换句话说，将半导体芯片复合件分割为半导体芯片仅在模制体复合件成为半导体器件的分割步骤中才进行。
[0034]根据所述方法的至少一个实施方式，分割半导体芯片复合件在分割模制体复合件之前进行。因此，在分割模制体复合件时，半导体芯片复合件已经被分割为半导体芯片。
[0035]根据所述方法的至少一个实施方式，为了分割半导体芯片复合件，在半导体芯片复合件的相邻的半导体芯片之间构成沟槽。特别地，接下来对模制体复合件的分割沿着沟槽进行。沟槽沿着竖直方向、尤其完全地延伸穿过半导体芯片复合件，然而不穿过整个模制体复合件。所述沟槽尤其至少局部地设有反射性的材料。反射性的材料例如能够借助于沉积法、例如蒸镀或者溅射或者借助于浇注进行。在构成沟槽时，相邻的半导体芯片的半导体层序列已经至少局部地彼此分开、例如通过沟槽状的凹处、例如台阶(Mesa)沟槽分开。下述层中的至少一个或多个、尤其所有例如被分开:第一半导体层、第二半导体层、有源区域。沟槽尤其沿着沟槽状的凹处伸展。
[0036]根据至少一个实施方式，在分割模制体复合件时分割半导体芯片复合件。因此，分割半导体芯片复合件与分割模制体复合件同时进行。在这种情况下，半导体芯片的一部分和模制体的一部分分别形成半导体器件的在分割时产生的侧面。半导体芯片和模制体分别于在分割时产生的侧面处齐平。
[0037]根据所述方法的至少一个实施方式，提供作为单独的半导体芯片的半导体芯片。在借助模塑料围绕成形时，半导体芯片在所有的侧面上至少局部地围绕成形。在围绕成形之前，半导体芯片在侧面上和/或在半导体芯片的与半导体芯片的辐射出射面相对置的后侧上至少局部地设有反射层。
[0038]所描述的方法尤其适合于制造更上面所描述的半导体器件。结合半导体器件所提出的特征因此也能够用于所述方法并且反之亦然。
[0039]在所描述的方法中，在分割步骤中产生安装侧面并且此外也产生半导体器件的与安装侧面相对置的侧面。因此，构件高度、即相对于安装侧面竖直的扩展，通过在分割步骤中平行的分离线的间距确定从而也能够采用尤其小的值。特别地，构件高度能够小于500 μm。优选地，构件高度在ΙΟΟμπι和400 μπι之间，尤其优选在150 μm和300 μm之间，例如在200 μπι和250 μm之间，其中包括边界值。由此，能够提供尤其紧凑的半导体器件，所述半导体器件在运行时提供足够的光通量。
[0040]模制体的构成对于多个器件而言能够大面积地在共同的分割步骤中进行。在此，尤其仅在半导体芯片已经设置在模制体内部之后才产生各个模制体。因此，半导体芯片不必安置在预先制成的壳体中并且被电接触。更确切地说，形成壳体的模制体仅通过分割模制体复合件与嵌入在其中的半导体芯片形成。
【附图说明】
[0041]其它的设计方案和适宜方案从结合附图对实施例的下述描述中得出。
[0042]附图示出:
[0043]图1A和IB不出光电子的半导体器件的一个实施例的不意立体图(图1A)和不意剖视图(图1B);
[0044]图1C示出半导体芯片的一个实施例的示意性的俯视图；
[0045]图1D示出具有半导体器件的背光照明模块一个实施例的示意侧视图；
[0046]图2A和2B示出半导体器件的第二实施例的示意侧视图(图2A)和示意剖视图(图 2B);
[0047]图3A至3E示出半导体器件的第三实施例的立体图(图3A)、剖视图(图3D)和图3D的一部分的放大的细节图(图3E)，其中图3B和3C分别示出半导体器件的在图3A中不可见的后侧的一个实施方案变型形式；
[0048]图3F示出另一个实施例的示意剖视图；
[0049]图3G示出另一个实施例的示意剖视图；
[0050]图4A至4F根据示意示出的中间步骤示出用于制造半导体器件的方法的一个实施例的立体图(图4A、4B和4D至4F)以及剖视图(图