片的侧面不空出。分割模制体复合件因此沿着这些沟槽进行，其中分离沟槽49的宽度小于之前构成的沟槽的宽度，使得在沟槽中施加的反射性的材料36在分割步骤之后也覆盖半导体芯片的侧面、尤其覆盖相应的载体29的侧面。为了施加反射性的材料，覆层法例如是适合的，所述覆层法例如是蒸镀金属层、例如银、或者浇注。借助位于之前分割半导体芯片复合件3，半导体芯片的侧面在分割模制体复合件时产生的侧面12上也能够通过反射性的材料覆盖，使得能够避免穿过所述侧面的不期望的辐射耦合输出。该变型形式尤其适合于如下半导体芯片，在所述半导体芯片中显著的辐射份额会穿过载体的侧面射出，例如在具有生长衬底的一部分作为载体的半导体芯片中。其余的方法步骤能够如结合图4A至4F所描述的那样进行。
[0090]在根据图6A和6B示出的实施例中，与之前的实施例不同的是，以已经分割的形式提供半导体芯片并且如结合图4B所描述的那样至少局部地通过模塑料围绕成形。在该变型形式中，外延晶片的面与之前所描述的实施例相比被更好地使用，其中在所述外延晶片上构成有半导体芯片2的半导体层序列200。在这种情况下，模塑料能够模制在半导体芯片的所有侧面上。在对半导体芯片围绕成形之前，所述半导体芯片已经能够在要围绕成形的侧部用反射性的材料、例如金属覆盖(参见图5B)。这例如能够在分割半导体芯片之后通过金属蒸镀到扩展的薄膜框架上进行，使得在分割半导体芯片时产生的侧面对于蒸镀而言是可触及的。在这种情况中，对于模制体也能够应用如下材料，所述材料具有较低的反射率，由此不会出现半导体器件的光学输出功率中的损失。
[0091]借助于所描述的方法能够以简单且成本适宜的方式制造半导体器件，所述半导体器件的特征在于尤其小的结构高度并且同时还允许到薄的光导体中的最佳的耦合输入。
[0092]本专利申请要求德国专利申请102013103226.5的优先权，所述德国专利申请的公开内容在此通过参考并入本文。
[0093]本发明不通过根据实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意的组合，即使该特征或者该组合本身未详尽地在权利要求或者实施例中说明时也是如此。
【主权项】
1.一种光电子的半导体器件(I)，所述半导体器件具有: -半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20); -辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于所述有源区域伸展； -安装侧面(11)，所述安装侧面设置用于固定所述半导体器件并且所述安装侧面倾斜于或者垂直于所述辐射出射面伸展，并且在所述安装侧面上，用于外部的电接触的至少一个接触面(51)是能触及的； -模制体(4)，所述模制体局部地模制到所述半导体芯片上并且至少局部地形成所述安装侧面；和 -接触带(55)，所述接触带设置在所述模制体上并且将所述半导体芯片与至少一个所述接触面导电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件， 其中所述半导体器件在辐射出射面的俯视图中具有矩形的基本形状，所述矩形的基本形状具有至少一个缩进部(41)，其中至少一个所述接触面设置在至少一个所述缩进部中。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件， 其中至少一个所述缩进部在所述矩形的基本形状的一个角中构成并且另一缩进部(42)在另一角中构成，其中所述安装侧面在所述角和所述另一角之间伸展，并且在所述另一角中设置有所述半导体器件的另一接触面(52)。4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件， 其中所述半导体芯片具有载体(29)，在所述载体上设置有所述半导体层序列。5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件， 其中所述模制体至少局部地覆盖所述载体的背离所述半导体层序列的后侧(292)。6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件， 其中所述载体和所述模制体在所述半导体器件的至少一个侧面 (12)上齐平。7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件， 其中所述模制体邻接于所述载体的所有侧面。8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件， 其中所述半导体芯片在所述载体的朝向所述半导体层序列的前侧上具有两个接触部(23，24)，所述接触部分别经由接触带(55)与接触面(51，52)连接，其中所述接触带在所述模制体的共同的主面上伸展。9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件， 其中所述半导体芯片在所述载体的朝向所述半导体层序列的前侧上并且在所述载体的背离所述半导体层序列的后侧上分别具有接触部，所述接触部分别经由接触带与接触面连接，其中所述接触带在所述模制体的相对置的主面上伸展。10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件， 其中所述模制体对于在所述半导体芯片中产生的辐射反射性地构成。11.一种用于制造半导体器件(I)的方法，所述方法具有下述步骤: a)提供多个半导体芯片(2)，所述半导体芯片分别具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20); b)借助模塑料局部地对所述半导体芯片围绕成形以构成模制体复合件(40); c)在所述模制体复合件上构成结构化的覆层(5)以电接触所述半导体芯片；以及 d)将所述模制体复合件分割为多个半导体器件，所述半导体器件分别具有半导体芯片和至少一个通过所述覆层形成的接触面(51)，其中分割的所述模制体的在分割时产生的侧面(12)形成所述半导体器件的安装侧面(11)，在所述安装侧面上，用于外部的电接触的至少一个所述接触面是能触及的。12.根据权利要求11所述的方法， 其中所述模制体复合件在步骤c)之前在相邻的半导体芯片之间分别具有至少一个凹处(48)，所述凹处设有所述覆层。13.根据权利要求12所述的方法， 其中步骤d)中的分割穿过凹处进行。14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法， 其中在步骤a)中提供多个分别具有多个连续的半导体芯片的半导体芯片复合件(3)并且在步骤b)之后分割所述半导体芯片复合件。15.根据权利要求14所述的方法， 其中在步骤d)之前进行所述半导体芯片复合件的分割。16.根据权利要求15所述的方法， 其中为了分割所述半导体芯片复合件，在半导体芯片复合件的相邻的半导体芯片之间构成沟槽(35)，所述沟槽至少局部地设有反射性的材料(36)，并且其中在步骤d)中沿着所述沟槽进行所述模制体复合件的分割。17.根据权利要求14所述的方法， 其中在分割所述模制体复合件时进行所述半导体芯片复合件的分割。18.根据权利要求11至13中任一项所述的方法， 其中在步骤a)中将所述半导体芯片提供作为单独的半导体芯片，并且在步骤b)中将所述半导体芯片至少局部地在所有的侧面上围绕成形。19.根据权利要求18所述的方法， 其中在步骤b)之前，所述半导体芯片在所述半导体芯片的所述侧面上和/或在与所述半导体芯片的辐射出射面相对置的后侧上至少局部地设有反射层。20.根据权利要求11至19中任一项所述的方法， 其中制造根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明提出一种光电子的半导体器件(1)，所述半导体器件具有：半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于有源区域伸展；安装侧面(11)，所述安装侧面设置用于固定半导体器件并且倾斜于或者垂直于辐射出射面伸展，并且在所述安装侧面上，用于外部的电接触的至少一个接触面是可触及的；模制体(4)，所述模制体局部地模制到半导体芯片上并且至少局部地形成安装侧面；和接触带(55)，所述接触带设置在模制体上并且将半导体芯片与至少一个接触面导电连接。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。
【IPC分类】H01L33/54, H01L33/00, H01L33/48
【公开号】CN105103314
【申请号】CN201480018527
【发明人】约阿希姆·雷尔, 弗兰克·辛格, 诺温·文马尔姆, 马蒂亚斯·扎巴蒂尔
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年3月24日
【公告号】DE102013103226A1, DE112014001665A5, WO2014154632A1