发光元件封装的制作方法
【技术领域】
[0001]实施例涉及一种发光元件封装。
【背景技术】
[0002]因为诸如容易地可控的宽带隙能的很多优点，所以诸如GaN和AlGaN的II1-V族化合物半导体广泛地被用于光电子器件和电子器件。
[0003]特别地，由于元件材料和薄膜生长技术的发展，使用II1-V或者I1-VI族化合物半导体的诸如发光二极管或者激光二极管的发光元件能够发射诸如红色、绿色和蓝色各种颜色的可见光和紫外光。如与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，通过使用荧光物质或者颜色合成，这些发光元件还能够发射带有高的光效能的白光，并且具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性这几个优点。
[0004]相应地，发光元件的应用领域扩大到光学通信单元的传输模块、用于替代用作液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、用于替代荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管照明设备、车辆前灯和交通灯。
[0005]在照明设备或者车辆前灯中，可以使用具有放置在一个单元中的多个发光元件的发光元件封装并且每一个发光元件可以使用诸如引线接合方法接收电流。
[0006]图1是示出发光元件封装中的布置的视图。
[0007]多个发光元件100布置成四列和两行并且各自的发光元件100被引线110和115结合。相邻发光元件100以沿着竖直方向的距离Cl1和沿着水平方向的距离d2相互分离。当在相邻发光元件100之间的分离距离大于山和(12时，可以产生暗区。
[0008]图2是示出在三行发光元件封装中暗区的形成的视图。
[0009]多个发光元件100和100’布置成四列和三行并且各自的发光元件100和100’被引线110和115结合。当如此布置相邻发光元件100，使得它们以沿着竖直方向的距离Cl1和沿着水平方向的距离(12相互分离以便防止暗区的产生时，难以确保执行放置在内侧处的发光元件100’的引线接合所要求的空间。
[0010]S卩，当发光元件布置成三行或者更多行时，要求用于不邻近于外侧的发光元件的引线接合的空间并且在发光元件封装中这些空间可以作为暗区呈现。
【发明内容】
[0011]技术问题
[0012]实施例提供一种可以作为不带暗区的车辆前灯的表面光源实现的发光元件封装。
[0013]技术方案
[0014]在一个实施例中，一种发光元件封装包括:包括第一区域和具有比第一区域高的高度的第二区域的电路板单元，第二区域包括跨过第一区域彼此相对的第(2-1)区域和第(2-2)区域；放置在第一区域和第二区域的每一个中的至少一个发光元件；和放置在各自的发光元件上的荧光体层，其中各自的发光元件沿着水平方向以在ΙΟΟμπι内的距离放置。
[0015]在电路板单元中，第一区域的第二电路板和第二区域的第二电路板可以相互接触。
[0016]第二区域的高度可以大于第一区域的高度。两行发光元件可以放置在第一区域中以便相互分离50 μ m至丨J 100 μ m。
[0017]彼此相邻放置的第一区域中的发光元件和第二区域中的发光元件可以沿着水平方向以大于O μ m并且小于100 μ m的距离放置。
[0018]—到两行发光元件可以放置在第一区域中并且一行发光元件可以放置在第(2-1)区域和第(2-2)区域的每一个中。
[0019]在第一区域的底表面和第二区域的底表面之间的高度差可以是160 μπι到5 mm。
[0020]各自的发光元件的高度可以是90 μ m到100 μ m并且荧光体层的高度可以是50 μ m至丨J 60 μ m0
[0021]放置在第一区域中的发光元件的输出可以大于放置在第二区域中的发光元件的输出。
[0022]电路板单元可以进一步包括放置在比第二区域高的高度处的第三区域，第三区域可以包括跨过第二区域彼此相对的第(3-1)区域和第(3-2)区域，并且至少一个发光元件可以放置在第(3-1)区域和第(3-2)区域的每一个中。
[0023]第三区域中的发光元件可以从第二区域中的发光元件沿着水平方向以在ΙΟΟμπι内的距离放置。
[0024]彼此相邻地放置的第二区域中的发光元件和第三区域中的发光元件可以沿着水平方向以大于O μ m并且小于100 μ m的距离放置。
[0025]在第二区域的底表面和第三区域的底表面之间的高度差可以是160 μπι到5 mm。
[0026]放置在第二区域中的发光元件的输出可以大于放置在第三区域中的发光元件的输出。
[0027]在另一实施例中，一种发光元件封装包括:包括具有不同高度的至少两个区域的电路板单元；放置在该至少两个区域的每一个中的至少一个发光元件；和放置在各自的发光元件上的荧光体层，其中各自的发光元件沿着水平方向以在ΙΟΟμπι内的距离放置。
[0028]电路板单元可以包括第一区域、具有比第一区域高的高度的第二区域，和具有比第二区域高的高度的第三区域，并且该至少一个发光元件放置在第一区域、第二区域和第三区域的每一个中。
[0029]在第一区域和第二区域之间的高度差可以等于在第二区域和第三区域之间的高度差。
[0030]一对第二区域可以跨过第一区域彼此相对地放置以便彼此对称。
[0031]分别地放置在该一对第二区域中的发光元件可以放置以便关于第一区域彼此对称。
[0032]—对第三区域可以跨过第一区域彼此相对地放置以便彼此对称，并且分别地放置在该一对第三区域中的发光元件可以放置以便关于第一区域彼此对称。
[0033]有益效果
[0034]在根据一个实施例的发光元件封装中，发光元件阵列可以彼此相邻放置并且因此实现表面光源，并且当各自的发光元件并联连接时，可以实现其中将电流供应到一个发光元件封装中的某些发光元件的局部变暗。通过这种放置，当发光元件封装设置在前灯中时，可以实现表面光源并且前灯中的仅仅某些区域可以接通(turn on)以便输出各种信号。
【附图说明】
[0035]图1是示出发光元件封装中的布置的视图。
[0036]图2是示出在三行发光元件封装中暗区的产生的视图。
[0037]图3是根据一个实施例的发光元件的视图。
[0038]图4a和4b是根据实施例的发光元件封装的纵向截面视图。
[0039]图5a和5b是示出在图4a的发光元件封装中发光元件的放置的视图。
[0040]图6是示出在图4b的发光元件封装中发光元件的放置的视图。
[0041]图7a和7b是根据其它实施例的发光元件的纵向截面视图。
[0042]图8a到8e是示出在图5a到7b的发光元件封装中暗区的减少的视图。
[0043]图9a到9c是示出根据一个实施例的车辆灯单元的分解透视图。
[0044]图10是示出包括根据一个实施例的灯单元的车辆背光的视图。
【具体实施方式】
[0045]在下文中，将参考附图详细描述用于具体地实现以上目的的示例性实施例。
[0046]在实施例的以下说明中，将会理解，当提到每一个元件在另一个元件“上”或者“下”形成时，它能够直接地在该另一个元件“上”或者“下”或者在其间带有一个或者多个居间的元件地间接形成。另外，还将理解，在一个元件“上”或者“下”可以意味着该元件的向上方向和向下方向。
[0047]图3是根据一个实施例的发光元件的视图。
[0048]根据这个实施例的发光元件100可以应用于在以下发光元件封装内的所有的发光元件并且，除了所示出的竖直式发光元件，可以应用水平式发光元件。
[0049]在发光元件100内的发光结构20包括第一导电型半导体层22、活性层24和第二导电型半导体层26。
[0050]第一导电型半导体层22可以由化合物半导体即II1-V族或者I1-VI族化合物半导体形成，并且掺杂有第一导电型掺质。例如，第一导电型半导体层22可以由具有AlxInyGa1 x yN(0 彡 x 彡 1，O 彡 y 彡 1，O 彡 x+y ( I)，即，AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种的组成的半导体材料形成。
[0051]如果第一导电型半导体层22是η型半导体层，则第一导电型掺质可以包括η型掺质，诸如S1、Ge、Sn、Se，和Te。第一导电型半导体层22可以以单层或者多层结构形成，但不限制于此。
[0052]如果发光元件100是紫外线(UV)、深UV或者非极性发光元件，则第一导电型半导体层22可以包括InAlGaN和AlGaN中的至少一种。
[0053]活性层24放置在第一导电型半导体层22和第二导电型半导体层26之间并且可以包括单阱结构(双异质结构)、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种。