光电半导体器件及制造其的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及如权利要求1所述的光电半导体器件、以及如权利要求15所述的制造光电半导体器件的方法。
【背景技术】
[0002]清楚地形成本申请的部分公开内容的德国在先申请DE 102013202904.7同样描述了一种光电半导体器件以及一种制造光电半导体器件的方法。
[0003]现有技术中，光电半导体器件具有实现多种功能的外壳。这包括为光电半导体器件中的光电半导体芯片提供电气连接，提供适当的安装界面，例如为SMT方法提供表面安装，以及半导体器件中个体元件部分的机械连接。除了光电半导体芯片外，具有ESD保护二极管的保护芯片也通常被集成在其中，保护芯片保护光电半导体器件免受静电放电导致的损害。由于要实现多种功能，传统光电半导体器件的外壳构成显著的成本因素。
[0004]DE 102009036621 Al公开了一种制造光电半导体器件的方法，其中光电半导体芯片设置在承载体的顶侧。光电半导体芯片采用覆盖光电半导体芯片的所有侧表面的模制体封装。优选地，光电半导体芯片的顶侧和底侧不被覆盖。在去除承载体以后，光电半导体芯片可被分割。接触位置可设置在每个半导体芯片的顶侧和/或底侧。模制体可由例如环氧基模制材料组成。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种光电半导体器件，该目的通过具有权利要求1的特征的光电半导体器件实现。本申请的又一目的是提供一种制造光电半导体器件的方法。该目的通过具有权利要求15的特征的方法实现。进一步的优选方案具体体现在从属权利要求中。
[0006]光电半导体器件包括具有第一表面和第二表面的光电半导体芯片以及具有保护二极管并具有第一表面和第二表面的保护芯片。在这种情况下，半导体芯片和保护芯片被嵌入模制体中。第一电接触和第二电接触设置在半导体芯片的第一表面上。第三电接触和第四电接触设置在保护芯片的第一表面上。这种情况下，第一电接触导电连接至第三电接触。进一步地，第二电接触导电连接至第四电接触。有利地，集成到该光电半导体器件的具有保护二极管的保护芯片保护光电半导体芯片免受静电放电的损害。有利地，光电半导体器件由此在安装前以及安装中就已经获得保护。该光电半导体器件的又一优势是，它不需要单独的延伸穿过模制体的通孔接触，因此，该光电半导体器件可以经济地并且尺寸紧凑地制造。该光电半导体器件的又一优势是，它不需要任何设置在光电半导体器件底侧的布线，其同样使得光电半导体器件的生产变得经济。
[0007]在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区和第二电接触区设置在该半导体器件的底侧。在这种情况下，半导体芯片和保护芯片反并联电连接在第一电接触区和第二电接触区之间。有利地，该半导体芯片通过半导体芯片与保护芯片之间的反并联电连接获得保护以免遭静电放电造成的损害。
[0008]在该光电半导体器件的一个实施例中，后者具体为表面安装器件。有利地，该光电半导体器件由此是适合于按照SMT方法的表面安装，例如通过回流焊接(reflowsoldering)方式的安装。有利地，光电半导体器件可因此被具体为特别节约空间的形式。
[0009]在该光电半导体器件的一个实施例中，第二电接触区设置在该保护芯片的第二表面上。有利地，第二电接触区在保护芯片嵌入到模制体之前已经设置在保护芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
[0010]在该光电半导体器件的一个实施例中，保护芯片在第二电接触区和第四电接触之间具有导电连接。有利地，集成到保护芯片的该导电连接使得可省去提供单独的穿过光电半导体器件的模制体的电气馈穿并且无需相应的进一步布线。
[0011 ] 在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区设置在保护芯片的第二表面上。有利地，第一电接触区也可以在保护芯片嵌入到模制体之前已经设置在保护芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
[0012]在该光电半导体器件的一个实施例中，保护芯片在第一电接触区和第三电接触之间具有导电连接。有利地，集成到保护芯片的在第三电接触和第一电接触区之间的该导电连接也使得可省去穿过模制体的单独的电气馈穿并省去所需的进一步布线。
[0013]在该光电半导体器件的一个实施例中，在半导体芯片的第二表面上设置导热接触区。有利地，该导热接触区可用作为半导体芯片的产生的废热进行散热。这种情况下，该导热接触区能有利地在用于表面安装的方法中，同时与光电半导体器件的导电区接触。
[0014]在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区设置在半导体芯片的第二表面上。有利地，第一电接触区也可在半导体芯片嵌入到模制体之前已经设置在半导体芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
[0015]在该光电半导体器件的一个实施例中，半导体芯片在第一电接触区和第一电接触之间具有导电连接。有利地，该第一电接触区和第一电接触之间的导电连接使得可以省去穿过光电半导体器件的模制体的单独的电气馈穿并省去额外的布线。
[0016]在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触和第三电接触之间的导电连接和/或第二电接触和第四电接触之间的导电连接具体为键合连接(bond connect1n)或平面连接(planar connect1n)。有利地，导电连接为键合连接的实施例使得光电半导体器件可经济地制造。导电连接为平面连接的实施例导致非常稳健的(robust)光电半导体器件。
[0017]在该光电半导体器件的一个实施例中，半导体芯片的第一表面是半导体芯片的辐射发射面。有利地，半导体芯片中产生的电磁辐射可通过半导体芯片的第一表面发出。
[0018]在该光电半导体器件的一个实施例中，该光电半导体芯片是LED芯片。该光电半导体器件因此形成很紧凑的发光二极管，其集成有具有ESD保护二极管的保护芯片。
[0019]—种制造光电半导体器件的方法，包括以下步骤:提供具有第一表面的光电半导体芯片，其中，第一电接触和第二电接触设置在该光电半导体芯片的该第一表面上；提供具有保护二极管和第一表面的保护芯片，其中，第三电接触和第四电接触设置在该保护芯片的该第一表面上；形成模制体，其中，该半导体芯片和该保护芯片嵌入到该模制体中；在该第一电接触和该第三电接触之间以及在该第二电接触和该第四电接触之间形成导电连接。有利地，该方法能够经济地制造具有紧凑尺寸的光电半导体器件。这特别通过省去集成到模制体内的电气通孔接触和省去在该光电半导体芯片的背面的布线来实现。
[0020]在该方法的一个实施例中，该半导体芯片的第一表面和该保护芯片的第一表面在形成模制体之前设置在承载体上。有利地，这保证了该半导体芯片和保护芯片的第一表面在模制体形成后不会被模制体覆盖。在这种情况下，例如模制体可在成型工艺中形成。
【附图说明】
[0021]通过结合附图更加详细描述的示例性实施例的以下描述，本发明的上述特性、特征和优点以及如何实现它们的方式将变得清楚并且更清楚地理解。在此各种情形的示意图表不:
[0022]图1示出了根据第一实施例的光电半导体器件的剖面图；
[0023]图2示出了第一实施例的光电半导体器件的俯视图；
[0024]图3示出了第一实施例的从下面看的光电半导体器件的视图；
[0025]图4示出了根据第二实施例的光电半导体器件的剖面图；
[0026]图5示出了第二实施例的光电半导体器件的俯视图；以及
[0027]图6示出了第二实施例的从下面看的光电半导体器件的视图。
【具体实施方式】
[0028]图1示出了根据第一实施例的光电半导体器件100的示意剖面图。该光电半导体器件100例如可以是发光二极管。
[0029]该光电半导体器件100具有顶侧101和定位成与顶侧101相对的底侧102。该光电半导体器件100包括