半导体元件装配用基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及使用电铸框的表面安装型的半导体元件装配用基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]以往，作为使用电铸框的表面安装型的半导体装置，使用在导电性基板上电铸形成有半导体元件装配用的岛部和外部导出用的电极部的半导体元件装配用基板，公知的结构如下:在岛部上装配半导体元件后，通过引线接合将半导体元件和电极部电连接，在导电性基板上进行树脂密封后，仅去除导电性基板，切断树脂密封体而单片化。
[0003]例如，专利文献I公开了如下半导体元件装配用基板的制造方法:在支撑体的一个表面的整面形成由Cr层和(N1-Co)层这二层构成的剥离层，在剥离层上形成由铜材料形成的期望形状的导体图案。还公开了:使用该制造方法，将半导体芯片在树脂密封后在Cr层与(N1-Co)层的边界面引入切口，从密封树脂剥离支撑体，残留的(N1-Co)层蚀刻去除，在露出的导体图案的表面形成用于作为与其他半导体装置的连接端子发挥作用的金属层，从而制造半导体装置。
[0004]另外，专利文献2公开了:对于导电性基板的露出面实施微蚀刻等表面活化处理后，镀覆Au、Ag作为安装用金属层，在安装用金属层上电铸形成作为岛部和电极部的电铸层制成电铸物，从导电性基板去除抗蚀剂掩模层，从而制造半导体装置装配用基板。还公开了:使用该方法，在电铸物的岛部装配半导体元件，通过引线接合将半导体元件与电极部电连接，将导电性基板上的半导体元件、岛部、电极部及接合线树脂密封制成树脂密封体，剥离导电性基板，得到树脂密封体，切断树脂密封体，从而制造半导体装置。
[0005]另外，专利文献3公开了:作为导电性基板，第一金属层由Cu形成、第二金属层由Ni形成时，安装用金属层的形成中密合力过强，因此，对第二金属层的Ni表面进行自然氧化或氧化处理，形成期望厚度的氧化膜，适度地设定Ni层与电铸物的密合力。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2005-026631号公报
[0009]专利文献2:日本特开2009-055055号公报
[0010]专利文献3:日本特开2011-198977号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的问题
[0012]但是，在专利文献I公开的方法中，剥离层中的一者(例如(N1-Co)层)需要通过蚀刻去除，在此基础上，为了提高与其他半导体装置的接合性，需要在导体图案上再次形成N1、Au等金属膜，因此制造工序复杂化。
[0013]另外，在专利文献2公开的方法中，在电铸形成岛部及电极部时，为了提高导电性基板与岛部及电极部的密合力，采用对导电性基板表面进行活化处理后形成安装用金属层的方法，但是上述方法中，使用不锈钢作为导电性基板时，在进行了微蚀刻的面上容易形成凹凸，在之后的电铸中，凹凸引起结节产生，岛部、电极部的表面无法平滑地形成，担心在半导体元件装配、接合工序中产生连接不良情况。
[0014]而且，对导电性基板利用卷对卷的方式处理并连续地电铸的情况下，由于不锈钢的表面电阻大、与供电用电极的接触不良，因此镀层异常析出、或需要提高外加电压，因此存在阳极容易产生氢、容易发生凹坑不良的状况。另外，使用Cu作为导电性基板时，Cu与安装用金属层的密合力过强，将导电性基板从树脂密封体剥离时，存在岛部、电极部变形而残留于导电性基板侧这样的问题。
[0015]进而，在专利文献3所公开的方法中，虽然不存在像上述专利文献1、专利文献2那样的问题，但为了在工厂置于批量生产工序，总是形成规定厚度的氧化膜是不可缺少的，这一点在实际上相当麻烦。
[0016]因此，本发明鉴于前述课题而完成，目的在于提供一种批量生产率优异且能够稳定地生产避免了上述不良情况的产生、适当地设定电铸物与基底基板的密合力的表面安装型的半导体装置的半导体元件装配用基板的制造方法。
_7] 用于解决问题的方案
[0018]为了解决上述课题，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(I)?(7)。
[0019](I)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
[0020](2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
[0021](3)在从前述抗蚀剂掩模层露出的前述第二金属层上实施再加工处理来形成再加工面的工序；
[0022](4)在前述基底基板的前述再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于前述再加工面的密合性；
[0023](5)在前述基底基板的前述再加工面上夹着前述有机性覆膜形成前述安装用金属层的工序；
[0024](6)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序;
[0025](7)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
[0026]或者，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(I)?(6)。
[0027](I)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
[0028](2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
[0029](3)在前述基底基板的前述第二金属层上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于前述第二金属层的密合性；
[0030](4)在前述基底基板的前述第二金属层上夹着前述有机性覆膜形成前述安装用金属层的工序；
[0031](5)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序;
[0032](6)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
[0033]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述显示两性表面活性剂的物性的成分为甜菜碱型、氧化胺型或氨基酸型。
[0034]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，用于形成前述再加工面的再加工处理是实施电镀Ni或电镀NiP。
[0035]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，用于形成前述再加工面的再加工处理是实施软蚀刻、在软蚀刻后电镀Ni或者在软蚀刻后电镀NiP中的任一者。
[0036]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述第一金属层为Cu、SPCC或42合金中的任一者。
[0037]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述第二金属层为Ni或NiP。
[0038]另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述安装用金属层为Au、Pd或Au/Pd中的任一者。
[0039]发明的效果
[0040]根据本发明，能够稳定地批量生产适当地设定了电铸物与基底基板的密合力的安装表面型的半导体元件装配用基板。
【附图说明】
[0041]图1的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例1?实施例9的图。另外，图1的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0042]图2的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例10的图。另外，图2的(g’ )为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0043]图3的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例11?实施例12的图。另外，图3的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0044]图4的(a)?(f)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例13的图。另外，图4的(f’ )为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0045]图5的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例14?实施例16的图。另外，图5的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0046]图6的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例17的图。另外，图6的(g’ )为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0047]图7的(a)?(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例18的图。另外，图7的(g’ )为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
[0048]图8的(a)?(g)为按照工序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例19的图。另外，图8的(g’ )为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
【具体实施方式】
[0049]本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(I)?(7)。
[0050](I)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
[0051](2)在基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
[0052](3)在从抗蚀剂掩模层露出的第二金属层上实施再加工处理、形成再加工面的工序;
[0053](4)在基底基板的再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于再加工面的密合性；
[0054](5)在基底基板的再加工面上夹着有机性覆膜形成安装用金属层的工序；
[0055](6)在安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
[0056](7)去除基底基板的第二金属层上的抗蚀剂掩模的工序。
[0057]在电铸工序前，在第二金属层表面上实施再加工处理形成再加工面，在再加工面上施以控制密合性的有机性覆膜，由此可以适度设定再加工面与电铸物的密合力，可以防止从树脂密封体剥离基底基板时的电沉积物变形或剥离不良。
[0058]使用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，使有机性覆膜吸附于