[0108]接着，对基底基板3的NiP面(阻隔金属层5)用Bestguard AgS_4进行浸渍处理，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0109]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0110]接着，用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0111](实施例3)
[0112]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
[0113]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0114]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0115]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0116]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
[0117]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Pd作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0118]接着，利用氢氧化钠的碱溶液剥离抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0119](实施例4)
[0120]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
[0121]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0122]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0123]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0124]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0125]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.005 μπι电镀Au及0.01 μπι电镀Pd作为安装用金属层7，接着，进行20 μ m电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μ m作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0126]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0127](实施例5)
[0128]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
[0129]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0130]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(C)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0131]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0132]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0133]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μ m电镀NiP作为电铸层8，进而夹着0.01 μ m作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0134]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(f)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0135](实施例6)
[0136]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
[0137]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板
O O
[0138]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0139]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0140]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0141]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μm电镀Ni作为电铸层8，进一步进行0.01 μπι作为接合金属层9的电镀Pd及0.005 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Au，形成电铸物11。
[0142]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0143](实施例7)
[0144]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出针对实施例1的电铸物11、对电铸层8进行粗化镀Ni的例子。
[0145]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板
O O
[0146]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0147]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0148]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0149]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着进行20 μ m电镀Ni作为电铸层8，进一步对Ni面进行0.5 μ m粗化镀Ni。接着，夹着0.01 μ m作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0150]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0151](实施例8)
[0152]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出实施例1中使用SPCC材料作为第一金属层I的例子。
[0153]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的SPCC材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μ m电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0154]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样，形成在基底基板3上能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0155]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0156]接着，对基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0157]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0158]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0159](实施例9)
[0160]以下，基于图1的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出实施例1中使用42合金材料作为第一金属层I的例子。
[0161]首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的42合金材料作为第一金属层I。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3 μ m电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0162]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图1的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0163]接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπ