ι电镀Ni，形成:形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0164]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0165]接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0166]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0167](实施例10)
[0168]以下，基于图2的(a)?(g)进行说明。本实施例使再加工为软蚀刻处理。
[0169]首先，如图2的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图2的(b)所示那样，在其上进行2.0 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0170]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图2的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0171]接着，如图2的⑷所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5μπι蚀刻处理，形成干净的基底基板3。
[0172]接着，在基底基板3的Ni面上喷涂Bestguard AgS_4，如图2的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
[0173]接着，如图2的(f)所示那样进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0174]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图2的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0175](实施例11)
[0176]以下，基于图3的(a)?(g)进行说明。本实施例使再加工为软蚀刻处理后形成Ni面。
[0177]首先，如图3的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图3的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0178]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图3的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0179]接着，如图3的(d)所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5 μπι蚀刻处理、以及进行0.5μπι如图3的(e)所示的电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的具有基准距的干净的基底基板3。
[0180]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图3的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0181]接着，如图3的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0182]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图3的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0183](实施例12)
[0184]以下，基于图3的(a)?(g)说明其他例子。本实施例使再加工为在软蚀刻处理后形成NiP面。
[0185]首先，如图3的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图3的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0186]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图3的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0187]接着，如图3的⑷所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5 μπι蚀刻处理、以及进行0.5 μπι图3的(e)所示的电镀NiP(P含有率20% )，形成:形成有阻隔金属层5的具有基准距的干净的基底基板3。
[0188]接着，在基底基板3的NiP面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图3的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
[0189]接着，如图3的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0190]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图3的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0191](实施例13)
[0192]以下，基于图4的(a)?(f)进行说明。本实施例示出没有再加工工序的例子。
[0193]首先，如图4的(a)所示那样，作为第一金属层1，使用板厚0.15mm的Cu材料。然后，如图4的(b)所示那样，在其上进行0.5 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0194]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图4的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0195]接着，在露出的第二金属层2上喷涂Bestguard AgS_4，如图4的(d)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0196]接着，如图4的(e)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0197]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图4的(f)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0198](实施例14)
[0199]以下，基于图5的(a)?(g)进行说明。本实施例示出电铸物11中不设置接合金属层9的例子。
[0200]首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0201]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图5的(C)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0202]接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0203]接着，在基底基板的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0204]接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μπι电镀Cu作为电铸层8，进而进行2 μπι作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0205]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图5的(g)所示那样，成为基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0206](实施例15)
[0207]以下，基于图5的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例14的电铸物11为其他结构的例子。
[0208]首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0209]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图5的(C)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0210]接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0211]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0212]接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μπι电镀Ni作为电铸层8，进而，进行0.01 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Au，形成电铸物11。
[0213]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图5的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0214](实施例16)
[0215]以下，基于图5的(a)?(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例14的电铸物11为其他结构的例子。
[0216]首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0217]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图5的(C)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0218]接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0219]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0220]接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03 μ m电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μ??