电镀Ni作为电铸层8，进而借助触击电镀Ag进行2 μπι作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0221]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图5的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0222](实施例17)
[0223]以下，基于图6的(a)?(g)进行说明。本实施例示出电铸物11以倒锥形状且俯视看锯齿形状形成的例子。
[0224]首先，如图6的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图6的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0225]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此在基底基板3上形成能够形成如图6的(C)所示那样的锥形状且如图6的(g’ )所示那样的锯齿形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
[0226]接着，如图6的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0227]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图6的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0228]接着，如图6的(f)所示那样，进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0229]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，成为在基底基板3上形成有如图6的(g)所示那样的倒锥形状且如图6的(g’ )所示那样的俯视看锯齿形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0230](实施例18)
[0231]以下，基于图7的(a)?(g)进行说明。本实施例示出将电铸物11形成为蘑菇型的例子。
[0232]首先，作为图7的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图7的(b)所示那样，在其上进行0.3 μ m电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0233]接着，层压厚度20 μπι的干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图7的(C)所示那样在基底基板3上形成抗蚀剂掩模层4。
[0234]接着，如图7的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0235]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图7的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
[0236]接着，如图7的(f)所示那样，进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着，以超过抗蚀剂掩模层4的方式进行35 μ m电镀Ni作为电铸层8，电铸以放射状扩展，以成为蘑燕型形状的方式形成。进而，夹着0.01 μ m作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0237]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图7的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有蘑菇型形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0238](实施例19)
[0239]以下，基于图8的(a)?(g)进行说明。本实施例示出使电铸物11为俯视看锯齿形状的例子。
[0240]首先，如图8的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层I。然后，如图8的(b)所示那样，在其上进行0.3 μπι电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
[0241]接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光.显影，由此如图8的(C)和(g’)那样，在基底基板3上形成能够形成锯齿形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4o
[0242]接着，如图8的(d)所示那样，在露出的第二金属层2进行0.3 μπι电镀Ni，形成:形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
[0243]接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂Bestguard AgS_4，如图8的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
[0244]接着，如图8的(f)所示那样，进行0.03 μπι电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20 μπι电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01 μπι作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2 μ m作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
[0245]接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图8的(g)和(g’)所示那样，成为在基底基板3上形成有俯视看锯齿形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
[0246]需要说明的是，使用利用本发明的方法制造的半导体元件装配用基板制造半导体装置时，在半导体元件装配部装配半导体元件，将半导体元件与电极端子部电连接，将半导体元件装配部、半导体元件及电极端子部树脂密封，形成树脂密封体。然后，将包含第二金属层或再加工面(阻隔金属层)的基底基板剥离去除。安装用金属层夹着有机性覆膜形成于第二金属层或再加工面(阻隔金属层)上，因此，包含第二金属层或再加工面(阻隔金属层)的基底基板可以从安装用金属层容易地剥离。
[0247]以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但本发明并不限于上述实施例，在不超出本发明范围的范围内，可以对上述实施例进行各种变形及替代。
[0248]附图标iP,说曰月
[0249]I...第一金属层
[0250]2...第二金属层
[0251]3..?基底基板
[0252]4...抗蚀剂掩模层
[0253]5...阻隔金属层
[0254]6...有机性覆膜
[0255]7...安装用金属层
[0256]8...电铸层
[0257]9...接合金属层
[0258]10..?半导体元件装配层
[0259]11...电铸物
[0260]12...电极端子部
【主权项】
1.一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(I)?(7): (1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序; (2)在所述基底基板的所述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序； (3)在从所述抗蚀剂掩模层露出的所述第二金属层上实施再加工处理来形成再加工面的工序； (4)在所述基底基板的所述再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于所述再加工面的密合性； (5)在所述基底基板的所述再加工面上夹着所述有机性覆膜形成所述安装用金属层的工序； (6)在所述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序； (7)去除所述基底基板的所述第二金属层上的所述抗蚀剂掩模的工序。2.一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(I)?(6): (1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序; (2)在所述基底基板的所述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序； (3)在所述基底基板的所述第二金属层上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于所述第二金属层的密合性； (4)在所述基底基板的所述第二金属层上夹着所述有机性覆膜形成所述安装用金属层的工序； (5)在所述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序； (6)去除所述基底基板的所述第二金属层上的所述抗蚀剂掩模的工序。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述显示两性表面活性剂的物性的成分为甜菜碱型、氧化胺型或氨基酸型。4.根据权利要求1或权利要求3所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，用于形成所述再加工面的再加工处理是实施电镀Ni或电镀NiP。5.根据权利要求1或权利要求3所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，用于形成所述再加工面的再加工处理是实施软蚀刻、在软蚀刻后电镀Ni或者在软蚀刻后电镀NiP中的任一者。6.根据权利要求1?5中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为Cu、SPCC或42合金中的任一者。7.根据权利要求1?6中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述第二金属层为Ni或NiP。8.根据权利要求1?7中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述安装用金属层为Au、Pd或Au/Pd中的任一者。
【专利摘要】[课题]提供一种批量生产率优异且能够稳定地生产避免了不良情况的产生、表面安装型的半导体装置的半导体元件装配用基板。[解决手段]一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(7)。(1)准备在第一金属层(1)上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层(2)的基底基板(3)的工序；(2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层(4)的工序；(3)在从前述抗蚀剂掩模层露出的前述第二金属层上实施再加工处理、形成再加工面的工序；(4)在前述基底基板的前述再加工面上施以有机性覆膜(6)的工序，所述有机性覆膜(6)利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制密合性；(5)在前述基底基板的前述再加工面上夹着前述有机性覆膜形成安装用金属层(7)的工序；(6)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；(7)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
【IPC分类】H01L23/12
【公开号】CN105144372
【申请号】CN201480023450
【发明人】菱木薫, 木户口俊一, 中山博贵
【申请人】友立材料株式会社
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月11日
【公告号】WO2014174925A1