该第二绝缘层具有连通源极的通孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过上述通孔与源极接触，且像素电极与公共电极形成存储电容，两者之间由第二绝缘层阻隔，第二绝缘层厚度小于彩色光阻层厚度，因此由本发明的制造方法得到显示面板的存储电容的极板间距相较于现有技术有所减小，由此存储电容增大，改善了像素电极的漏电问题，提高显示面板的显示效果。
[0075]对于本发明显示面板，在此也给出三个实施方式以做说明，请分别参阅图3、图5和图7，其分别对应于上述显示面板制造方法的第一实施方式、第二实施方式和第三实施方式。
[0076]图3中，显示面板300包括基板30、源极310、漏极311、沟道33、第一绝缘层34、彩色光阻35、栅极36、公共电极37、第二绝缘层38以及像素电极39。
[0077]其中源极310、漏极311在基板30上间隔设置，沟道33连接源极310和漏极311，第一绝缘层34沉积在基板30上。由于源极310和漏极311需要与沟道33接触，且源极310和漏极311为金属材料、沟道33为半导体材料，因此为了降低金属与半导体之间的接触电阻，在源极310、漏极311与沟道33接触的部分还设置有欧姆接触层32，该欧姆接触层32为掺杂的非晶硅薄膜。
[0078]多个彩色光阻35间隔设置形成在第一绝缘层34上。本实施方式中彩色光阻35为基板30上依次排列的红色光阻、蓝色光阻和绿色光阻。
[0079]栅极36和公共电极37由同一道制程形成，且栅极36位于相邻两个彩色光阻35之间的第一绝缘层34上，公共电极37位于彩色光阻35上。源极310、漏极311、沟道33与栅极36共同构成TFT，且所构成的TFT位于相邻两个彩色光阻35之间。
[0080]第二绝缘层38形成于栅极36和公共电极37上，且具有一连通源极310的通孔381，像素电极39形成于第二绝缘层38上，进一步与公共电极37形成存储电容。像素电极39与公共电极37之间间隔一第二绝缘层38，因此存储电容极板间距较小，存储电容较大，继而显示面板300的显示效果也较好。
[0081]图5中，显示面板500与显示面板300结构类似，也包括基板、源极、漏极、沟道、第一绝缘层、彩色光阻、栅极、公共电极、第二绝缘层以及像素电极。相同部分不再赘述。
[0082]不同之处在于，显示面板500中还包括黑矩阵52，黑矩阵52形成在基板51上，且源极530和漏极531间隔形成在黑矩阵52上。其具体作用在显示面板制造方法第二实施方式中已作描述，因此不再做具体说明。
[0083]图7中，显示面板700也与显示面板300结构类似，包括基板70、源极730、漏极731、沟道71、第一绝缘层74、彩色光阻75、栅极76、公共电极77、第二绝缘层78以及像素电极79。
[0084]且显示面板700中沟道71与源极730、漏极731之间也设置有欧姆接触层72。显示面板700与显示面板300的相同部分在此不再说明，两者不同之处在于源极730、漏极731、沟道71、栅极76之间的位置关系。
[0085]具体来说，显示面板700中，沟道71形成于基板70上，源极730和漏极731间隔设置在沟道上，且沟道71连接源极730和漏极731。
[0086]采用此结构，能够通过一次光罩制程形成源极730、漏极731和沟道71，相较于显示面板300和显示面板500减去了一次光罩制程，简化工艺。
[0087]区别于现有技术，本发明显示面板中像素电极与公共电极之间间隔一第二绝缘层，因此存储电容极板间距较小，相应存储电容较大，继而本发明显示面板的显示效果也较好。
[0088]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤: 提供一基板，在所述基板上形成源极、漏极和沟道； 在所述基板上沉积第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，且使得所述源极、漏极和沟道位于两个相邻的所述彩色光阻之间； 由同一道制程形成栅极和公共电极，且使得所述栅极形成于两个相邻的所述彩色光阻之间的第一绝缘层上，所述公共电极形成于所述彩色光阻上； 在所述栅极和公共电极上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有一连通所述源极的通孔； 在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述源极接触，所述像素电极进一步与所述公共电极形成存储电容。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成间隔设置的多个彩色光阻的步骤包括: 形成多个红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻，且在所述基板上以红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻的顺序依次排列。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成源极、漏极以及沟道的步骤进一步包括: 由同一道制程在所述基板上形成间隔的源极和漏极； 在所述源极和所述漏极之间形成沟道，且使得所述沟道连接所述源极和所述漏极。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述由同一道制程在所述基板上形成间隔的源极和漏极的步骤之前进一步包括步骤: 在所述基板上形成黑矩阵； 所述由同一制程在所述基板上形成间隔的源极和漏极的步骤包括: 由同一制程在所述黑矩阵上形成间隔的源极和漏极。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成源极、漏极以及沟道的步骤进一步包括: 在所述基板上依次形成半导体层和金属层； 通过光罩制程使所述金属层形成源极和漏极，使所述半导体层形成沟道，且所述源极和所述漏极间隔位于所述沟道上，所述沟道连接所述源极和所述漏极。6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括设置有源极、漏极和沟道的基板，第一绝缘层，多个彩色光阻，栅极，公共电极，第二绝缘层以及像素电极； 其中，所述第一绝缘层沉积在所述基板上； 所述多个彩色光阻形成于所述第一绝缘层上，且间隔设置，所述源极、漏极和沟道位于两个相邻的所述彩色光阻之间； 所述栅极和所述公共电极由同一道制程形成，且所述栅极位于两个相邻的所述彩色光阻之间的第一绝缘层上，所述公共电极位于所述彩色光阻上； 所述第二绝缘层形成于所述栅极和所述公共电极上，且所述第二绝缘层具有一连通所述源极的通孔； 所述像素电极形成于所述第二绝缘层上，所述像素电极通过所述通孔与所述源极接触，所述像素电极进一步与所述公共电极形成存储电容。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述彩色光阻包括在所述基板上依次排列的红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻。8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述源极和漏极由同一道制程间隔形成于所述基板上，所述沟道形成于所述源极和所述漏极之间，且所述沟道连接所述源极和所述漏极。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板进一步包括黑矩阵，所述黑矩阵形成在所述基板上，所述源极和漏极间隔形成在所述黑矩阵上。10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述沟道位于所述基板上，所述源极和所述漏极间隔位于所述沟道上，所述沟道连接所述源极和所述漏极。
【专利摘要】本发明公开了一种显示面板及其制造方法，显示面板的制造方法包括步骤：提供一基板，在该基板上形成源极、漏极和沟道；在基板上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，使得源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间；由同一道制程形成栅极和公共电极，且使得栅极形成于两个相邻的彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极形成于彩色光阻上；在栅极和公共电极上形成第二绝缘层，第二绝缘层具有一连通源极的通孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过通孔与源极接触，像素电极进一步与公共电极形成存储电容。通过本发明制造方法可增大存储电容，改善像素电极的漏电情况。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/12
【公开号】CN105206570
【申请号】CN201510708800
【发明人】龙芬
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月27日