溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.2Pa，Ar与He的气压比为10:3，溅射沉积时间为60min ；
[0107](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度900°C，退火压力3.0X 10 4Pa,退火3.5小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0108]测得正极材料薄膜中He原子的含量为18.8at%，所装配电池的放电容量为96mAh/g，50次循环电容量衰减率为22.7%。
[0109]实施例21
[0110](I)将清洗后的镍-烟草花叶病毒复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为3.0X 10 4Pa,在溅射功率80W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt%的陶瓷LiFePO4勒作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.6Pa，Ar与He的气压比为10:4，溅射沉积时间为80min ；
[0111](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度300°C，退火压力3.0X 10 4Pa,退火3.5小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0112]测得正极材料薄膜中He原子的含量为23.3at %，所装配电池的放电容量为89mAh/g，50次循环电容量衰减率为22.8%。
[0113]实施例22
[0114](I)将清洗后的镍-烟草花叶病毒复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为3.0X 10 4Pa,在溅射功率50W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt%的陶瓷LiFePO4勒作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为2.0Pa, Ar与He的气压比为10:4，溅射沉积时间为10min ；
[0115](2)将步骤⑴得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度400°C，退火压力3.0X 10 4Pa,退火3.5小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0116]测得正极材料薄膜中He原子的含量为23.5at %，所装配电池的放电容量为94mAh/g，50次循环电容量衰减率为21.3%。
[0117]实施例23
[0118](I)将清洗后的镍-烟草花叶病毒复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为3.0X 10 4Pa,在溅射功率50W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt%的陶瓷LiFePO4勒作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为0.8Pa，Ar与He的气压比为10:4，溅射沉积时间为10min ；
[0119](2)将步骤⑴得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度500°C，退火压力3.0X 10 4Pa,退火3.5小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0120]测得正极材料薄膜中He原子的含量为22.8at%，所装配电池的放电容量为134mAh/g，50次循环电容量衰减率为14.5%。
[0121]实施例24
[0122](I)将清洗后的镍-烟草花叶病毒复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0X 10 4Pa,在溅射功率50W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt%的陶瓷LiFePO4勒作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.0Pa, Ar与He的气压比为10:4，溅射沉积时间为40min ；
[0123](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度600°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0124]测得正极材料薄膜中He原子的含量为23.4at%，所装配电池的放电容量为141mAh/g，50次循环电容量衰减率为14.2%。
[0125]实施例25
[0126](I)将清洗后的镍-烟草花叶病毒复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0X 10 4Pa,在溅射功率70W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt%的陶瓷LiFePO4勒作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.2Pa，Ar与He的气压比为10:4，溅射沉积时间为20min ；
[0127](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度700°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0128]测得正极材料薄膜中He原子的含量为24.1at %，所装配电池的放电容量为124mAh/g，50次循环电容量衰减率为14.7%。
[0129]实施例26
[0130](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0 X 10 4Pa,在溅射功率40W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt %的陶瓷LiFePO4^作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.6Pa，Ar与He的气压比为10:1，派射沉积时间为10min ；
[0131](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度900°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0132]测得正极材料薄膜中He原子的含量为9.2at%,所装配电池的放电容量为94mAh/g，50次循环电容量衰减率为21.2%。
[0133]实施例27
[0134](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0 X 10 4Pa,在溅射功率60W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt %的陶瓷LiFePO4^作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为2.0Pa,Ar与He的气压比为10:2，溅射沉积时间为20min ；
[0135](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度400°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0136]测得正极材料薄膜中He原子的含量为13.1at %，所装配电池的放电容量为99mAh/g，50次循环电容量衰减率为21.6%。
[0137]实施例28
[0138](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0 X 10 4Pa,在溅射功率60W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt %的陶瓷LiFePO4^作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.2Pa，Ar与He的气压比为10:2，溅射沉积时间为40min ；
[0139](2)将步骤(I)得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度500°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0140]测得正极材料薄膜中He原子的含量为14.3at %，所装配电池的放电容量为lllmAh/g，50次循环电容量衰减率为15.2%。
[0141]实施例29
[0142](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为4.0 X 10 4Pa,在溅射功率60W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt %的陶瓷LiFePO4^作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为1.6Pa，Ar与He的气压比为10:2，溅射沉积时间为60min ；
[0143](2)将步骤⑴得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度600°C，退火压力为4.0X 10 4Pa,退火4.0小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0144]测得正极材料薄膜中He原子的含量为13.6at%，所装配电池的放电容量为117mAh/g，50次循环电容量衰减率为15.4%。
[0145]实施例30
[0146](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为5.0 X 10 4Pa,在溅射功率80W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.95wt %的陶瓷LiFePO4^作为溅射源，溅射时同时通入Ar和He的混合气体，其中Ar气压为2.0Pa,Ar与He的气压比为10:3，派射沉积时间为80min ；
[0147](2)将步骤⑴得到的LiFeP04/He薄膜正极材料置于高真空退火炉中退火，退火温度700°C，退火压力为5.0 X 10 4Pa,退火6小时，退火完成后，随炉冷却、出炉。
[0148]测得正极材料薄膜中He原子的含量为18.5at %，所装配电池的放电容量为120mAh/g，50次循环电容量衰减率为15.1%。
[0149]实施例31
[0150](I)将清洗后的Ti_Ti02复合材料薄片置于磁控溅射真空室中，真空室本底真空气压为5.0 X 10 4Pa,在溅射功率80W下进行射频磁控溅射镀膜，以纯度不低于99.9