显示面板，也可以应用于有机电致发光显示面板，在此不作限定。
[0108]当上述阵列基板应用于液晶显示面板时，像素电极指液晶显示面板中的像素电极，当上述阵列基板应用于有机电致发光显示面板时，像素电极可以指有机电极发光像素结构中的阴极层或阳极层。
[0109]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
[0110]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层的图形之后，在形成源电极和漏电极的图形之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极的图形之后，对形成有源电极和漏电极的图形的衬底基板进行高温处理，从而在高温处理的过程中，源电极和漏电极中的铜原子进行扩散；当源电极中的铜原子扩散至由氧化物材料形成的第一初始欧姆接触层中，从而使氧化物材料具有较好的导电性，形成第一目标欧姆接触层；当漏电极中的铜原子扩散至由氧化物材料形成的第二初始欧姆接触层中，从而使氧化物材料具有较好的导电性，形成第二目标欧姆接触层。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。并且，在上述制备方法中，由于可以通过有源层的图形控制薄膜晶体管沟道的宽度，通过第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形来控制薄膜晶体管的沟道长度，而第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形可以通过构图工艺形成。由于构图工艺可以精确的控制第一初始欧姆接触层、第二初始欧姆接触层以及有源层的图形，因此可以精确控制薄膜薄膜晶体管的沟道的长度和宽度，从而可以精确控制薄膜薄膜晶体管的沟道的宽长比，并且还可以使薄膜晶体管达到较小的沟道宽长比。
[0111]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形，其特征在于，还包括: 在所述衬底基板上形成与所述栅电极相互绝缘的有源层的图形，其中所述有源层的材料为多晶娃； 在所述有源层上形成同层且相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形，其中所述第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为金属氧化物或金属氮氧化物； 在所述第一初始欧姆接触层上方形成与所述第一初始欧姆接触层电连接的源电极的图形，以及在所述第二初始欧姆接触层上方形成与所述第二初始欧姆接触层电连接的漏电极的图形，其中所述源电极和所述漏电极的材料均至少包含有铜； 对形成有所述源电极和所述漏电极的衬底基板进行高温处理，使所述源电极中的铜原子扩散至所述第一初始欧姆接触层中形成第一目标欧姆接触层，使所述漏电极中的铜原子扩散至所述第二初始欧姆接触层中形成第二目标欧姆接触层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层的图形之后，形成所述栅电极的图形； 且所述栅电极与所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层均绝缘。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述源电极和所述漏电极的图形之前，形成所述栅电极的图形。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在形成第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层的图形之后，在形成所述栅电极的图形之前，还包括: 在所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层上形成栅极绝缘层。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅电极的图形之后，在形成所述源电极和所述漏电极的图形之前，还包括: 形成覆盖所述栅电极的层间介质层； 形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔用于使将要形成的所述源电极与所述第一初始欧姆接触层电连接，所述第二接触孔用于使将要形成的所述漏电极与所述第二初始欧姆接触层电连接。6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物中至少包含有铟、锌、镓、锡中的一种或多种。7.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上方的栅电极、与所述栅电极相互绝缘的有源层，以及位于所述有源层上方且与所述有源层电连接的源电极和漏电极；其中，所述有源层的材料为多晶硅；其特征在于，所述薄膜晶体管还包括: 分别位于所述源电极与所述有源层之间的第一欧姆接触层和位于所述漏电极与所述有源层之间的第二欧姆接触层，且所述源电极通过所述第一欧姆接触层与所述有源层电连接，所述漏电极通过所述第二欧姆接触层与所述有源层电连接； 所述源电极和所述漏电极的材料均至少包含有铜，所述第一欧姆接触层的材料和所述第二欧姆接触层的材料分别由所述源电极中的铜原子和所述漏电极中的铜原子扩散至金属氧化物或金属氮氧化物后形成。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的上方。9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极位于所述栅电极的上方。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括:位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层与所述栅电极之间的栅极绝缘层。11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括:位于所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的层间介质层； 所述源电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一接触孔与所述第一欧姆接触层电连接，所述漏电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第二接触孔与所述第二欧姆接触层电连接。12.如权利要求7-11任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物中至少包含有铟、锌、镓、锡中的一种或多种。13.如权利要求7-11任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的材料为铜。14.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7-13任一项所述的薄膜晶体管。15.如权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，还包括:依次位于所述薄膜晶体管上方的平坦化层和像素电极；其中， 所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管中的漏电极电性相连。16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14或15所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层之后，在形成源电极和漏电极之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极之后，再进行高温处理，从而使源电极和漏电极中的铜原子扩散至第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层中，使氧化物材料具有较好的导电性。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。
【IPC分类】H01L29/786, H01L29/41, H01L29/40
【公开号】CN105261636
【申请号】CN201510749700
【发明人】辛龙宝
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年11月5日