具有保护层的自对准互连件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有保护层的自对准互连件。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的制造技术的发展，集成电路器件变得越来越小。集成电路通过导电部件(诸如金属线、通孔和接触插塞)互连以形成功能电路。因此，导电部件之间的间距也变得越来越小。
【发明内容】
[0003]为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种集成电路结构，包括:第一层间电介质(ILD);栅极堆叠件，位于所述第一 ILD中；第二 ILD，位于所述第一 ILD上方；第一接触插塞，位于所述第二 ILD中；介电保护层，位于所述第一接触插塞的相对两侧上并且与所述第一接触插塞接触，其中，所述第一接触插塞和所述介电保护层位于所述第二 ILD中；以及介电覆盖层，位于所述第一接触插塞上方并且与所述第一接触插塞接触。
[0004]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接触插塞，从所述第三ILD的顶面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接触插塞电连接至所述栅极堆叠件。
[0005]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接触插塞，从所述第三ILD的顶面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接触插塞电连接至所述栅极堆叠件；其中，所述第二接触插塞包括与所述介电保护层的顶部边缘接触的第一底面。
[0006]在上述集成电路结构中，其中，所述第一接触插塞包括与所述第一 ILD的顶面接触的底面。
[0007]在上述集成电路结构中，其中，所述介电保护层和所述介电覆盖层由相同的介电材料形成。
[0008]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:源极/漏极区；第三接触插塞，位于所述源极/漏极区上方并且电连接至所述源极/漏极区，其中，所述第三接触插塞位于所述第一 ILD中；第四接触插塞，位于所述第三接触插塞上方并且接触所述第三接触插塞，其中，所述第四接触插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接触插塞，位于所述第四接触插塞上方并且与所述第四接触插塞接触，其中，所述第五接触插塞从第三ILD的顶面延伸到所述第二 ILD内。
[0009]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:源极/漏极区；第三接触插塞，位于所述源极/漏极区上方并且电连接至所述源极/漏极区，其中，所述第三接触插塞位于所述第一 ILD中；第四接触插塞，位于所述第三接触插塞上方并且接触所述第三接触插塞，其中，所述第四接触插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接触插塞，位于所述第四接触插塞上方并且与所述第四接触插塞接触，其中，所述第五接触插塞从第三ILD的顶面延伸到所述第二 ILD内；其中，所述第五接触插塞的底面与所述第一接触插塞的顶面基本共平面。
[0010]在上述集成电路结构中，其中，所述介电覆盖层的顶面与所述第二 ILD的顶面基本共平面。
[0011]根据本发明的另一个方面，提供了一种集成电路结构，包括:第一层间电介质(ILD);蚀刻停止层，位于所述第一 ILD上方；第二 ILD，位于所述蚀刻停止层上方；第一狭槽式接触插塞，位于所述第二 ILD中，其中，所述第一狭槽式接触插塞穿透所述蚀刻停止层以接触所述第一 ILD的顶面；介电保护层，包括位于所述第一狭槽式接触插塞的相对两侧上并且与所述第一狭槽式接触插塞接触的部分；以及介电覆盖层，位于所述第一狭槽式接触插塞上方并且与所述第一狭槽式接触插塞接触，其中，所述第一狭槽式接触插塞、所述介电保护层和所述介电覆盖层均位于所述第二 ILD中。
[0012]在上述集成电路结构中，其中，所述介电覆盖层包括与所述介电保护层的相对部分接触的相对边缘。
[0013]在上述集成电路结构中，其中，所述介电覆盖层的顶面、所述介电保护层的顶部边缘以及所述第二 ILD的顶面基本共平面。
[0014]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:第一源极/漏极区，位于所述第一 ILD下方；栅极堆叠件，位于所述第一 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及栅极接触插塞，位于所述第二 ILD和所述第三ILD中。
[0015]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:第二源极/漏极区，位于所述第一 ILD下方；第二狭槽式接触插塞，位于所述第二源极/漏极区上方并且电连接至所述第二源极/漏极区，其中，所述第二狭槽式接触插塞位于所述第一 ILD中；第三狭槽式接触插塞，位于所述第二狭槽式接触插塞上方并且接触所述第二狭槽式接触插塞，其中，所述第三狭槽式接触插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接触插塞，穿透所述第三ILD,其中,所述接触插塞与所述第三狭槽式接触插塞接触。
[0016]在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括:第二源极/漏极区，位于所述第一 ILD下方；第二狭槽式接触插塞，位于所述第二源极/漏极区上方并且电连接至所述第二源极/漏极区，其中，所述第二狭槽式接触插塞位于所述第一 ILD中；第三狭槽式接触插塞，位于所述第二狭槽式接触插塞上方并且接触所述第二狭槽式接触插塞，其中，所述第三狭槽式接触插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接触插塞，穿透所述第三ILD,其中，所述接触插塞与所述第三狭槽式接触插塞接触；其中，所述接触插塞的底面低于所述第二 ILD的顶面。
[0017]根据本发明的又一方面，提供了一种方法，包括:在第一 ILD上方形成第二层间电介质(ILD)，栅极堆叠件位于所述第一 ILD中；蚀刻所述第二 ILD以形成第一接触开口 ；在所述第一接触开口的相对侧壁上形成介电保护层；在所述第一接触开口中形成第一接触插塞，所述第一接触插塞位于所述介电保护层的相对部分之间；形成位于所述第一接触插塞上方并且接触所述第一接触插塞的介电覆盖层；在所述第二 ILD上方形成第三ILD ;在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成第二接触开口 ；以及填充所述第二接触开口以形成第二接触插塞。
[0018]在上述方法中，其中，形成所述介电覆盖层包括:使所述第一接触插塞凹进以形成凹槽；在所述凹槽中填充所述介电覆盖层；以及平坦化所述介电覆盖层，其中，所述介电覆盖层的顶面与所述第二 ILD的顶面基本平齐。
[0019]在上述方法中，其中，在形成所述第二接触开口中，所述介电保护层暴露于所述第二接触开口，并且其中，在形成所述第二接触开口期间，基本不蚀刻所述介电保护层。
[0020]在上述方法中，其中，在形成所述第一接触开口之后，所述第一 ILD暴露于所述第一接触开口。
[0021]在上述方法中，其中，所述方法进一步包括:在形成所述第二 ILD之前，在所述第一 ILD上方形成蚀刻停止层，其中，所述第一接触开口穿透所述蚀刻停止层。
[0022]在上述方法中，其中，所述方法进一步包括:当形成所述第二接触插塞时，同时在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成源极/漏极接触插塞。
【附图说明】
[0023]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0024]图1至图12示出了根据一些实施例形成包括接触插塞的互连结构的中间阶段的截面图；以及
[0025]图13示出了根据一些实施例的接触插塞的顶视图；以及
[0026]图14示出了根据一些实施例的用于形成互连结构的工艺流程。
【具体实施方式】
[0027]为了实施本发明的不同特征，以下公开提供了许多不同的实施例或实例。以下描述部件和布置的具体实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不旨在限定。例如，在以下描述中，第一部件形成在第二部件上方或上可包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可包括在第一部件和第二部件