注传输层3上面沉积30nm的电子阻 挡层4,电子阻挡层4的材料采用2-TNATA;电子阻挡层4上沉积30nm的混合发光层5,混合 发光层5的材料采用有重原子效应的Cu-E-Cl掺杂材料和主体材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的质量百分比参杂浓度分别为6%;在电混合发光层5上沉积40nm空穴阻挡层兼电子传输 层6,激子阻挡层6的材料采用TPBi;在空穴阻挡层兼电子传输层6上沉积lnm电子注入层 7,电子注入层7的材料采用LiF;最后在电子注入层7上沉积lOOnm阴极层8,阴极层8的 材料采用金属A1。上述所有薄膜都采用热蒸发工艺沉积。各层的厚度使用膜厚监控仪器 监视。制作成功的器件以氧化铟锡ITO和银层分别作阳极和阴极，发光从器件阳极一侧射 出。亮度-电流-电压曲线通过吉时利-2400电源和校正过的TOPCQN?亮度计BM-7同 时测量获得。所有的测试都在室温大气环境下进行，器件没有封装。采用上述的测量方法 测得结果如下：器件启亮电压为3. 5V;器件在12. 6V，电流为412. 27mA/cm2时，达到最大亮 度4320cd/m2 ;电流在0. 13mA/cm2时最大，电流效率最大，为13. 5cd/A，功率效率也是最大， 为9. 41m/W。在电压为8V时，EL光谱发射主均在位于551nm。
[0034] 实施例2:
[0035] 选用图1所示的器件结构：在本实施例中，采用20Ω/ □的ΙΤ0导电玻璃为衬底， 对其用丙酮、玻璃清洁剂（TFD-7)、去离子水反复擦洗，再依次用丙酮和去离子水超声波清 洗。清洗过的ΙΤ0导电玻璃用紫外臭氧处理，然后置于有机电致发光综合沉积系统中。首 先在高真空（2~3x10 4帕）下，在透明导电膜ΙΤ0上面沉积一层厚度为5nm空穴注入层 2-TNATA，空穴注传输层3的材料采用NPB;然后在空穴注传输层3上面沉积30nm的电子阻 挡层4,电子阻挡层4的材料采用2-TNATA;电子阻挡层4上沉积30nm的混合发光层5,混合 发光层5的材料采用有重原子效应的Cu-E-Cl掺杂材料和主体材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的质量百分比参杂浓度分别为8%;在电混合发光层5上沉积40nm空穴阻挡层兼电子传输 层6,激子阻挡层6的材料采用TPBi;在空穴阻挡层兼电子传输层6上沉积lnm电子注入层 7,电子注入层7的材料采用LiF;最后在电子注入层7上沉积lOOnm阴极层8,阴极层8的 材料采用金属A1。上述所有薄膜都采用热蒸发工艺沉积。各层的厚度使用膜厚监控仪器监 视。制作成功的器件以氧化铟锡ΙΤ0和银层分别作阳极和阴极，发光从器件阳极一侧射出。 亮度-电流-电压曲线通过吉时利-2400电源和校正过的TOPCON?亮度计BM-7同时测 量获得。所有的测试都在室温大气环境下进行，器件没有封装。采用实施例1所述的测量 方法测得结果如下：器件启亮电压为3. 0V;器件在12. 5V，电流为240. 33mA/cm2时，达到最 大亮度4320cd/m2;电流在0. 17mA/cm2时最大，电流效率最大，为20. 5cd/A，功率效率也是最 大，为14. 271m/W;在ImA/cm2时，效率为17cd/A，10mA/cm2时，效率为10.Ocd/Α。在电压从 7V增加到13V时，EL光谱发射主均在位于552-554nm范围内，峰型也几乎没有改变。
[0036] 实施例3:
[0037]选用图1所示的器件结构：在本实施例中，采用20Ω/ □的ΙΤ0导电玻璃为衬底， 对其用丙酮、玻璃清洁剂（TFD-7)、去离子水反复擦洗，再依次用丙酮和去离子水超声波清 洗。清洗过的ΙΤ0导电玻璃用紫外臭氧处理，然后置于有机电致发光综合沉积系统中。首 先在高真空（2~3xl04帕）下，在透明导电膜ΙΤ0上面沉积一层厚度为5nm空穴注入层 2-TNATA，空穴注传输层3的材料采用NPB;然后在空穴注传输层3上面沉积30nm的电子阻 挡层4,电子阻挡层4的材料采用2-TNATA;电子阻挡层4上沉积30nm的混合发光层5,混合 发光层5的材料采用有重原子效应的Cu-E-Cl掺杂材料和主体材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的质量百分比参杂浓度分别为10% ;在电混合发光层5上沉积40nm空穴阻挡层兼电子传 输层6,激子阻挡层6的材料采用TPBi;在空穴阻挡层兼电子传输层6上沉积lnm电子注入 层7,电子注入层7的材料米用LiF;最后在电子注入层7上沉积100nm阴极层8,阴极层8 的材料采用金属A1。上述所有薄膜都采用热蒸发工艺沉积。各层的厚度使用膜厚监控仪 器监视。制作成功的器件以氧化铟锡IT0和银层分别作阳极和阴极，发光从器件阳极一侧 射出。亮度-电流-电压曲线通过吉时利-2400电源和校正过的TOPCON⑧亮度计BM-7 同时测量获得。所有的测试都在室温大气环境下进行，器件没有封装。采用实施例1所述 的测量方法测得结果如下：器件启亮电压为3. 5V;器件在13.IV，电流为404. 23mA/cm2时， 达到最大亮度4808cd/m2 ;电流在0. 13mA/cm2时最大，电流效率最大，为16. 4cd/A，功率效率 也是最大，为11. 41m/W。在电压为8V时，EL光谱发射主均在位于553nm。
【主权项】
1. 一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电致发光器件，磷光材 料铜（I)配合物的寿命为0. 62μS，在磷光材料铜（I)配合物的掺杂浓度为6%时，器件 在外加电压8V时，该器件的电致发光发射主峰为551nm，器件的最大电流效率和亮度分别 为了13.5(：(1/^和4900(3(1/1112;在磷光材料铜（1)配合物的掺杂浓度为10%时，器件在外 加电压8V时，该器件的电致发光发射主峰为553nm，器件的最大电流效率和亮度分别为了 16.4〇(1/^和4808(3(1/1112;在磷光材料铜（1)配合物的最佳掺杂浓度为8%时，器件在外加电 压7-13V时，该器件的电致发光发射主峰为552-554nm，器件的最大电流效率和亮度分别为 了 20. 5cd/A和4320cd/m2,比当前已经报道的Cu⑴磷光配合物的磷光器件的性能都高。其 特征是：该有机电致发光器件为层状结构，依次为在玻璃衬底涂覆层氧化铟锡导电膜的阳 极层（1)、空穴注入层（2)、空穴注传输层（3)、电子阻挡层（4)、混合发光层（5)、空穴阻挡层 兼电子传输层（6)、电子注入层（7)、阴极（8);所述的空穴注入层（2)的厚度为1~10nm; 所述的空穴注传输层（3)给厚度为10~40nm;所述的电子阻挡层（4)的厚度为3~15nm; 所述的混合混合发光层的厚度为20~40nm;所述的空穴阻挡层兼电子传输层（6)的厚度 为25~40nm;所述的电子注入层（7)的厚度为lnm;阴极层⑶的厚度为100~200nm。2. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电 致发光器件，其特征是：所述的空穴注入层（2)采用的材料为4, 4'，4' ' -三[2-萘基苯基氨 基]三苯基胺（2-TNATA)。3. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有 机电致发光器件，其特征是：所述的电空穴注传输层（3)采用的材料为Ν，Ν'-二（1-萘 基）-Ν，Ν，-二苯基-1，1，-联苯-4-4，-二胺（ΝΡΒ)。4. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电 致发光器件，其特征是：所述的电子阻挡层（4)采用的材料为4, 4'，4' 三[2-萘基苯基氨 基]三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)。5. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电 致发光器件，其特征是：所述的混合发光层（5)采用的材料为有重原子效应的Cu(I)配合物 [Cu(DPEphos) (PyPPCl)]BF4(Cu-E-Cl，DPEphos和PyPPCl分别表示（2-二苯基膦基）苯基 醚和（5-氯-吡啶）并[1'，2' :2, 3]吡嗪[5, 6-f]l，10-邻菲罗啉）和4, 4'-二（9-咔 唑）联苯（CBP)的混合物，Cu⑴配合物的质量百分比参杂浓度分别为6%、8%和10%。6. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机 电致发光器件，其特征是：所述的空穴阻挡层兼电子传输层（7)采用的材料为1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)。7. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电 致发光器件，其特征是：所述的电子注入层（7)采用的材料为氟化锂（LiF)。8. 根据权利要求1所述的一种基于重原子效应的高效磷光材料铜（I)配合物的有机电 致发光器件，其特征是：所述的阴极层（8)采用的材料为金属铝（A1)。
【专利摘要】一种基于重原子效应的高效磷光材料铜(I)配合物的有机电致发光器件，属于由有机小分子材料构成的有机电致磷光器件领域。该发光器件为层状结构，依次为在玻璃衬底涂覆层氧化铟锡导电膜的阳极层、空穴注入层、空穴注传输层、电子阻挡层、混合发光层、空穴阻挡层兼电子传输层、电子注入层、阴极；所述的空穴注入层的厚度为1～10nm；所述的空穴注传输层给厚度为10～40nm；所述的电子阻挡层的厚度为3～15nm；所述的混合混合发光层的厚度为20～40nm；所述的空穴阻挡层兼电子传输层的厚度为25～40nm；所述的电子注入层(7)的厚度为1nm；阴极层的厚度为100～200nm。本发明制作工艺简单、成本低，可以大部分采用市场销售有机材料，并且由于采用了薄的多个有机层组合，使器件设计更为灵活。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/50
【公开号】CN105280828
【申请号】CN201410348231
【发明人】孔治国, 王秀艳, 周实, 郭胜男, 徐占林
【申请人】吉林师范大学
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年7月21日