化合物半导体膜成膜时进行高温加热，所以导致因SiC接近升华而产生的升华物附着于衬底背面的问题。此外，还存在因用于成膜的处理气体而在衬底背面形成不期望的堆积物的问题。如果这些升华物或堆积物附着于衬底背面，则制作设备时对电阻值产生不良影响或者因附着物而对各种测量产生不良影响。此外，在移载衬底时，如果使由销和杆构成的升降部件直接与衬底背面接触，则产生升降部件的转印问题。
[0092]与此相对，在本实施方式中，在衬底保持件40中，在衬底W的背面侧设置有遮蔽部件82，由于衬底背面不露出，所以能够有效地抑制在成膜时升华物或堆积物形成于衬底W的背面、以及在衬底W的背面产生升降部件91等的转印。因此，能够避免制作设备时对电阻值产生不良影响或者因附着物而对各种测量产生不良影响。此外，由于升降部件的转印痕迹不会成为问题，所以能够任意地选择升降部件的形状。
[0093]另外，本发明不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如在上述实施方式中示出了在衬底上形成SiC膜作为化合物半导体膜的情况，不过不限于此，也能够应用于形成GaN膜、GaAs膜、AIN膜等其他化合物半导体膜的情况。此外，作为衬底，为了利用外延生长来形成上述化合物半导体膜，使用通常所用的衬底即可。
[0094]此外，在上述实施方式中，对利用与成膜处理装置分别设置的移载装置进行衬底的移载的情况进行了说明，不过也可以用成膜处理装置移载衬底。而且，在上述实施方式中，以对载置于保持架上的多个衬底统一进行成膜处理的半批式处理系统为例进行了说明，不过也可以是逐个进行处理的单晶片式处理系统。
[0095]附图标记说明
[0096]10:处理容器；12:排气线路；14:真空栗；17:感应加热线圈；20:气体供给部；21:处理气体供给系统；22:处理气体供给配管；23:冷却气体供给系统；24:冷却气体供给配管；33:载置台；36:绝热材料；40:衬底保持件；61:容器；62:FFU ;70:支承台(支承部)；71:杆；72:驱动机构；80:衬底保持部；81:孔；82:遮蔽部件；83:第一台阶部；84:第二台阶部；91:升降部件；92:升降气缸；100:成膜处理装置；110:输送室；120:加载互锁真空室；130:搬入搬出室；170:移载装置；180:控制部；200:成膜系统；201:叉(输送装置)；201a:支承部件。
【主权项】
1.一种化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其相对于衬底保持件移载化合物半导体膜成膜用的衬底，所述化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置的特征在于，包括: 支承所述衬底保持件的支承部； 在所述衬底保持件的衬底保持部能够使衬底升降的升降部件；和遮蔽部件，其随着所述升降部件的升降而升降，在所述升降部件接收衬底时介于衬底与所述升降部件之间，在衬底被所述衬底保持部保持时，在衬底的背面侧遮蔽所述衬底保持件的用于插通所述升降部件的孔， 在所述升降部件上升了的状态下，将衬底载置在所述遮蔽部件上，或者对所述遮蔽部件上的衬底进行输送。2.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于: 所述衬底保持件具有多个衬底保持部。3.如权利要求2所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于，包括: 旋转机构，其使所述衬底保持件旋转，以使所述多个衬底保持部与所述升降部件对应。4.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于: 所述移载装置与用于形成所述化合物半导体膜的装置分别设置。5.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于: 所述遮蔽部件为TaC、SiC、SiC涂层石墨、石墨中的任一种。6.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于，还包括: 收容所述衬底保持件的、在内部进行衬底的移载的容器；和 用于在容器内形成清洁空气的下降流的部件。7.一种化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其用于移载化合物半导体膜成膜用的衬底，所述化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法的特征在于，包括: 准备具有衬底保持部的衬底保持件的步骤，该衬底保持部形成有用于插通能够使衬底升降的升降部件的孔； 利用遮蔽部件遮蔽所述孔的步骤； 使所述升降部件与所述遮蔽部件一起上升的步骤； 在该状态下将衬底载置于所述遮蔽部件上的步骤；和 使所述升降部件下降，并且在所述遮蔽部件在衬底的背面侧遮蔽所述孔的状态下使所述衬底保持部保持衬底的步骤。8.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于: 所述衬底保持件具有多个衬底保持部。9.如权利要求8所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于: 使所述衬底保持件旋转，以使所述多个衬底保持部与所述升降部件对应。10.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于: 所述遮蔽部件为TaC、SiC、SiC涂层石墨、石墨中的任一种。11.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于，还包括: 在将衬底保持于所述衬底保持部的状态下使所述升降部件与所述遮蔽部件及其上的衬底一起上升的步骤； 在该状态下输送所述遮蔽部件上的衬底的步骤；和 在输送完衬底之后使所述升降部件与所述遮蔽部件一起下降而遮蔽所述孔的步骤。12.一种化合物半导体膜的成膜系统，其特征在于，包括: 移载装置，其相对于具有多个衬底保持部的衬底保持件进行多个化合物半导体膜成膜用的衬底的移载； 成膜处理装置，其利用所述移载装置搬入载置有多个衬底的所述衬底保持件，并在载置于所述衬底保持件的多个衬底上形成化合物半导体膜；和 输送装置，其在所述移载装置与所述成膜处理装置之间输送衬底保持件， 所述移载装置包括: 支承所述衬底保持件的支承部； 在所述衬底保持件的衬底保持部能够使衬底升降的升降部件；和遮蔽部件，其随着所述升降部件的升降而升降，在所述升降部件接收衬底时介于衬底与所述升降部件之间，在衬底被所述衬底保持部保持时，在衬底的背面侧遮蔽所述衬底保持件的用于插通所述升降部件的孔， 在所述升降部件上升了的状态下，将衬底载置在所述遮蔽部件上，或者对所述遮蔽部件上的衬底进行输送。13.一种化合物半导体膜的成膜方法，其用于在多个化合物半导体膜成膜用的衬底上形成化合物半导体膜，所述化合物半导体膜的成膜方法的特征在于，包括: 准备具有多个衬底保持部的衬底保持件的步骤，该衬底保持部形成有用于插通能够使衬底升降的升降部件的孔； 利用遮蔽部件遮蔽所述各孔的步骤； 在所述衬底保持部使所述升降部件与所述遮蔽部件一起上升的步骤； 在该状态下由输送装置将衬底载置于所述遮蔽部件上的步骤； 使所述升降部件下降，并且在所述遮蔽部件在衬底的背面侧遮蔽所述孔的状态下使所述衬底保持部分别保持衬底的步骤；和 将保持有多个衬底的所述衬底保持件输送到成膜装置，并在多个衬底上形成化合物半导体膜的步骤。
【专利摘要】移载装置(170)包括：支承衬底保持件(40)的支承部(70)；在衬底保持件(40)的衬底保持部(80)能够使衬底升降的升降部件(91)；和遮蔽部件(82)，其随着升降部件(91)的升降而升降，在升降部件(91)接收衬底(W)时介于衬底(W)与升降部件(91)之间，在衬底(W)被衬底保持部(80)保持时，在衬底(W)的背面侧遮蔽衬底保持件(40)的用于插通升降部件(91)的孔(81)。而且，在升降部件(91)上升了的状态下，利用输送装置(201)将衬底(W)载置在遮蔽部件(82)上，或者对遮蔽部件(82)上的衬底(W)进行输送。
【IPC分类】C23C16/458, H01L21/677, H01L21/683, H01L21/205
【公开号】CN105308733
【申请号】CN201480034510
【发明人】森崎英介, 木元大寿
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年4月22日
【公告号】EP3012859A1, US20160148829, WO2014203613A1