合线530与第二导体框区段420导电连接。由此在光电子半导体芯片500的第二电接触面520和壳体本体200的第二导体框区段420之间形成导电连接。因此光电子半导体芯片500可以通过壳体本体200的第一焊接接触面412和第二焊接接触面422被加载电压。
[0048]也可以使用被构造为倒装芯片的光电子半导体芯片，其中两个电接触面被布置在下侧上。在该情况下，光电子半导体芯片可以布置在第一导体框区段410的芯片容纳面411和第二导体框区段420的接合面421上，使得光电子半导体芯片的电接触面与第一导体框区段410和第二导体框区段420导电连接。于是第二导体框区段420的接合面421也可以被称为第二芯片容纳面。
[0049]图5示出在图4的图时间上随后的加工阶段中壳体本体200和布置在壳体本体200的空腔210中的光电子半导体芯片500的另一示意图。在图5的图中，壳体本体200和光电子半导体芯片500构成完成处理的光电子器件100的部分。光电子器件100例如可以是发光二极管器件。
[0050]在壳体本体200的空腔210中布置有浇注材料230。光电子半导体芯片500和接合线530在此被嵌入到浇注材料230中。优选地，光电子半导体芯片500和接合线530完全被浇注材料230包围。由此通过浇注材料230保护光电子半导体芯片500和接合线530以免由于外部的机械作用所引起的损坏。浇注材料230可以完全填满壳体本体200的空腔210。但是，浇注材料230也可以仅仅部分地填满壳体本体200的空腔210。
[0051]浇注材料230优选地具有对于由光电子半导体芯片500发射的电磁辐射光学上基本透明的材料。例如浇注材料230可以具有硅树脂。浇注材料230此外可以具有被嵌入的发光物质。该发光物质在此可以作为转换波长的发光物质而用于转换由光电子半导体芯片500所发射的电磁福射的波长。发光物质在该情况下被构造用于吸收具有第一波长的被光电子半导体芯片500发射的电磁辐射并且发射具有第二、典型地更大的波长的电磁辐射。浇注材料230的被嵌入的发光物质例如可以是有机的发光物质或无机的发光物质。发光物质也可以具有量子点。
[0052]在将浇注材料230引入到壳体本体200的空腔210中期间，浇注材料230不能通过空腔210中的密封的缝隙225到达壳体本体200的下侧202。由此防止浇注材料230在壳体本体200的下侧202上污染壳体本体200的导体框400的导体框区段410、420的焊接接触面412、422。
[0053]光电子器件100例如适合作为用于表面安装的SMD器件。在此，光电子器件100的壳体本体200的第一焊接接触面412和第二焊接接触面422例如可以通过重融焊接(回流焊接)被焊接并且被导电接触。因为由于密封的缝隙225光电子器件100的壳体本体200的焊接接触面412、422不被浇注材料230污染，所以在光电子器件100的焊接期间保证光电子器件100的壳体本体200的焊接接触面412、422的充分润湿。
[0054]光电子半导体芯片500的上侧501构成福射发射面。在运行光电子器件100中，电磁辐射在光电子半导体芯片500的上侧501上被放射并且可以通过浇注材料230到达壳体本体200的上侧201并且在那里被放射。布置在光电子器件100的壳体本体200的空腔210中的浇注材料230在此可以引起电磁辐射的转换。光电子器件100的壳体本体200的空腔210的通过塑料体300的塑料材料310构成的壁可以用作由光电子半导体芯片500发射的电磁福射的反射器。
[0055]本发明借助优选的实施例详细地阐明和描述。尽管如此，本发明不限于所公开的示例。更确切地说，专业人员可以由此导出其他变型方案，而不脱离本发明的保护范围。
[0056]附图标记列表 100 光电子器件
200壳体本体
201上侧
202下侧 210 空腔 220 缝隙
225 被密封的缝隙 230 浇注材料
300塑料体
301上侧
302下侧 310 塑料材料 320 中间的区域 330 凹口
400 导体框
410第一导体框区段
411芯片容纳面
412第一焊接接触面
420第二导体框区段
421接合面
422第二焊接接触面
500光电子半导体芯片
501上侧502下侧
510第一电接触面
520第二电接触面
530接合线
540连接剂
600印模
610方向
【主权项】
1.用于制造光电子器件(100)的方法，具有以下步骤: 一提供导体框(400); 一借助铸模过程将导体框(400)嵌入到塑料材料(310)中，以便构成壳体本体(200)； 一成形塑料材料(310)，以便至少部分地封闭塑料材料(310)和导体框(400)之间的缝隙(220)。2.根据权利要求1所述的方法， 其中所述成形在铸模过程之后在塑料材料(310)完全硬化之前进行。3.根据权利要求1所述的方法， 其中所述成形在壳体本体(200)去毛刺之后进行。4.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中所述成形通过施加机械力到塑料材料(310 )上来进行。5.根据权利要求4所述的方法， 其中所述力借助印模(600)被施加到塑料材料(310)上。6.根据权利要求5所述的方法， 其中导体框(400)到塑料材料(310)中的嵌入在铸模工具中进行，其中印模(600)事故铸模工具的一部分。7.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中所述铸模过程是压铸或注塑过程。8.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中提供具有第一导体框区段(410)和第二导体框区段(420)的导体框(400)， 其中第一导体框区段(410)和第二导体框区段(420)躯体上彼此分离， 其中第一导体框区段(410)和第二导体框区段(420)空间上间隔地被嵌入到塑料材料(310)中。9.根据权利要求8所述的方法， 其中塑料材料(310)的成形在第一导体框区段(410)和第二导体框区段(420)之间所布置的区域(320)中进行。10.根据权利要求4和9所述的方法， 其中提供具有第一焊接接触面(412)的第一导体框区段(410)并且提供具有第二焊接接触面(422)的第二导体框区段(420)， 其中第一导体框区段(410)和第二导体框区段(420)被嵌入到塑料材料(310)中，使得第一焊接接触面(412)和第二焊接接触面(422)至少部分地不由塑料材料(310)覆盖地保留， 其中塑料材料(310)的成形通过施加机械力到塑料材料(310)的布置在第一焊接接触面(412)和第二焊接接触面(422)之间的区域上来进行。11.根据权利要求10所述的方法， 其中提供具有芯片容纳面(411)的第一导体框区段(410)， 其中第一导体框区段(410)被嵌入到塑料材料(310)中，使得芯片容纳面(411)至少部分地不由塑料材料(310)覆盖地保留。12.根据权利要求11所述的方法， 其中所述方法包括以下另外的步骤: 一将光电子半导体芯片(500)布置在芯片容纳面(411)上。13.根据权利要求11和12之一所述的方法， 其中构造具有与芯片容纳面(411)相邻的空腔(210)的壳体本体(200)，其中所述方法包括以下另外的步骤: 一将浇注材料(230)布置在空腔(210)中。14.根据权利要求11至13之一所述的方法， 其中提供具有接合面(421)的第二导体框区段(420)， 其中第二导体框区段(420)被嵌入到塑料材料(310)中，使得接合面(421)至少部分地不由塑料材料(310)覆盖地保留。15.根据权利要求12和14所述的方法， 其中所述方法包括以下另外的步骤: 一将接合线(530)布置在光电子半导体芯片(500)和接合面(421)之间。
【专利摘要】本发明涉及用于制造光电子器件的方法。用于制造光电子器件（100）的方法包括以下步骤：提供导体框（400）；借助铸模过程将导体框（400）嵌入到塑料材料（310）中，以便构成壳体本体（200）；并且成形（610）塑料材料，以便至少部分地封闭塑料材料（310）和导体框（400）之间的缝隙（220）。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/52, B29C45/14, B29C45/16
【公开号】CN105308764
【申请号】CN201480036615
【发明人】M.布兰德尔, T.格布尔
【申请人】奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年6月25日
【公告号】DE102013212393A1, US20160133808, WO2014207036A1