量为：15 %，其余为钴的配方来配制低矫顽力 钐钴磁体原材料，根据a值的不同分别命为配方I (a = 25% )和配方2 (a = 28% )。
[0041] 2)把配制好的原材料在真空或保护气体环境中进行熔炼，制成合金铸锭或铸片， 铸片的厚度为0.2-0. 5mm。
[0042] 3)将合金铸锭或铸片进行粗破碎制成尺寸小于Imm的颗粒，然后在保护气体下， 将料粉球磨成4~7 μ m粉末。
[0043] 4)将所述粉末在大于I. 5T的磁场中把料粉压制成型，然后在250MPa压力下等静 压制成生坯。
[0044] 5)将生坯放入烧结炉中，在1200°C左右烧结2小时，然后降低30°C固熔处理2. 5 小时，并采用淬火至800 °C以下温度。
[0045] 6)将所述烧结后的毛坯放入时效炉，在780 °C进行2h热处理，然后以0.2~ I. (TC /分降温冷却至400°C，保温0. 5h，随后空冷至室温，最终制得钐钴磁体产品毛坯。
[0046] 将实施例1根据配方1和配方2制备得到的钐钴磁体进行抽样测试，产品的磁性 能如表1所示。
[0047] 表1实施例1中配方1和配方2的钐钴磁体产品抽样测试磁性能（Hcj)
[0049] *表中统计分析的max、min、Average数值均为钐钴磁体Hcj测试结果的数学统计 分析结果，便于对于制备的产品总体平均性能的统计分析控制，以下各实施例亦是同样处 理。
[0050] 由表1可知，采用配方2得到的产品的平均内禀矫顽力为：13. 36k0e。
[0051] 实施例2
[0052] 按照质量百分比为：（Sm1 zREz)a Cou a b。d)CubFedZre，a 取值为：28%，RE 为 Nd，Z 取 值为0%和17. 86%，铜含量为8%，锆含量为：3%，铁含量为：15%，其余为钴的配方，配制 低矫顽力钐钴磁体原材料。实施例2相对实施例1的不同点就在于RE的成分及用量非同， 以添加 Nd含量作为区别点，分成两组，记为配方3 (添加5% Nd :Z = 17. 86%，用Nd置换总 量5% Sm，下同）、配方2 (未添加）。其余制备过程与实施例1 一样。
[0053] 将实施例2根据配方3和配方2制备得到的钐钴磁体进行抽样测试，结果产品的 磁性能如表2所示。
[0054] 表2添加 Nd成分后磁性能变化（He j)
[0056] 将配方3、配方4对比发现，稀土金属Nd的添加有助于大幅度降低磁体的内禀矫顽 力。
[0057] 实施例3
[0058] 按照质量百分比为：（Sm1 zREz)a Cou a b。d)CubFedZre，a取值为：28%，RE为MM，MM为 混合稀土，是GB/T4153-2008规定的194025A牌号。Z的取值为0%和20%，铜含量为8%， 错含量为：3 %，铁含量为：15%，其余为钻的配方，配制低矫顽力衫钻磁体原材料。以添加 丽添加量作为区别点，分成两组，记为配方4 (添加20 %丽，Z = 20 %，即用丽质换20 %的 Sm，下同）、配方2(未添加）。钐钴磁体的制备过程同实施例1。
[0059] 使用配方4和配方2重复多次加工制备得到相应的钐钴磁体样品，并对这些钐钴 磁体进行抽样检测，测试其内禀矫顽力，结果如表3所示。
[0060] 表3添加 MM成分后磁性能变化矫顽力范围
[0061]
[0062] 结果显示：用丽置换了 20% Sm的钐钴磁体样品，测试得到目标内禀矫顽力（Hcj) 为8. 55-12. 33k0e，材料的内禀矫顽力有所降低。
[0063] 以上实验充分证明，通过配方的调整，增加稀土、铜的含量，减少金属锆的含量可 以降低矫顽力，对制造低矫顽力钐钴磁体有利。用稀土元素 Nd、Gd、Ce等其它稀土元素部分 替代稀土 Sm可以降低钐钴磁体的内禀矫顽力，而且几种元素共同替代对内禀矫顽力的降 低更为有效。
[0064] 本专利为制造低矫顽力钐钴磁体提供了一种新的方法。
[0065] 实施例4
[0066] 按 Sml8 %，Nd 5 %，Gd5 %，Fe 13. 5 %，Zr 2. 5 %，Cu 7 %，余量 Co 进行配料得到用 于钐钴磁体加工的原材料。把配制好的原料在真空条件下进行恪炼，制备合金0. 3~0. 4_ 铸片。将此铸片破碎成尺寸小于Imm的颗粒，用球磨机在氮气氛保护下磨细得到4~7 μπι 的粉末料。在大于I. 5Τ的磁场中，把粉末料压制成0. 7公斤的生坯，将此生坯体在300MPa 压力下，等静压3分钟，得到待烧结的坯体。放入烧结炉中，抽真空，充入保护气体质换2次， 1210°C烧结2小时，降温40°C至1170°C固熔处理2~3小时，然后淬火至700°C以下。然后 将此烧结好的坯体放入时效炉，抽真空，加热770~780°C之间进行时效处理4小时。然后， 冷却至440~450°C，保温1小时，最后，冷却至室温，得到钐钴磁体。测试结果显示其内禀 矫顽力为6. 47~12. 18k0e，内禀矫顽力大幅度降低。
[0067] 实施例5
[0068] 按Sm24%，MM 5%，Fe 15%，Zr 3%，Cu 8%，余量Co进行配料，制备过程同实施 例4,得到低矫顽力的优质钐钴磁体。测试结果显示其内禀矫顽力为10. 16~16. 51k0e，内 禀矫顽力大幅度降低。
[0069] 实施例6
[0070] 按Sm24%，MM 5%，Fe 14%，Zr 2. 5%，Cu 7%，余量Co进行配料，把配制好的原 料在真空条件下进行熔炼，制备合金铸锭。将此铸锭破碎成颗粒，然后用液体磨在氩气氛围 保护下磨细得到4~6 μπι的粉末料。在2T的磁场中，把粉末料在300MPa压力下，等静压 3分钟，压制成0. 5公斤的待烧结的坯体。放入烧结炉中，抽真空，充入保护气体，1190°C烧 结1. 5小时，降温30°C至1160°C固熔处理2. 5小时，然后淬火至800°C。然后转移到时效 炉中，真空，加热700~710°C之间进行时效处理5小时，冷却至400~420°C，保温1. 5小 时，自然冷至室温得钐钴磁体。测试其内禀矫顽力为9. 58~16. 81kOe，内禀矫顽力大幅度 降低。
【主权项】
1. 一种钐钴磁体，其化学成分如下： (SniiZREZ)aCo(1abcd)CubZrcFed 其中RE是Nd、Gd和丽中至少一种； a=25%-29%，b=6%-9%，c= 2% ~3%，d=13%-17% ; Z=0-0. 4〇2. 根据权利要求1所述的钐钴磁体，其特征在于，所述MM是混合稀土材料。3. 根据权利要求1所述的钐钴磁体，其特征在于，钐钴磁体中还包含Nd、Gd、MM中的一 种。4. 一种制备上述钐钴磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 配料：根据设计的钐钴磁体成分按比例进行称重配料； (2) 熔炼：把配制好的原料熔炼，制备合金铸锭或铸片； (3) 破碎制粉： 301、 将铸锭或铸片，在密闭腔室内破碎成尺寸小于1mm的颗粒； 302、 将上述颗粒料用气流磨或球磨进一步磨细，得到4~7Mm的粉末料； (4) 压制成型： 401、 在大于1. 5T的磁场中，把粉末料压制成0. 5~1公斤的生还； 402、 将401压制的生坯在250~300MPa压力下，等静压3~5分钟； (5 )烧结： 501、 将经过402制备的生坯放入烧结炉中，抽真空，加热至1180~1280°C，然后充入保 护气体，烧结1~3小时； 502、 降低30~50°C进行固熔处理，时间2~3小时；然后，淬火至800°C以下； (6)时效：烧结后的坯体放入时效炉，抽真空，加热至770~780°C，热处理2~5小时；然 后，降温冷却至400~450°C，保温0. 5~2小时；最后，冷却至室温，得到钐钴磁体毛坯。5. 根据权利要求4所述制备上述钐钴磁体的方法，其特征在于，步骤302的气流磨或球 磨的过程中采用保护气氛或保护液体进行处理。6. 根据权利要求4所述制备上述钐钴磁体的方法，其特征在于，步骤（2)中，熔炼过程 是在真空或者保护气氛的条件下进行的。7. 根据权利要求6所述制备上述钐钴磁体的方法，其特征在于，在真空条件下熔炼，真 空度优于l〇Pa。8. 根据权利要求4所述制备上述钐钴磁体的方法，其特征在于，步骤（302)中，采用球 磨破碎颗粒料，球磨时原料用乙醚、汽油或丙酮作为介质。
【专利摘要】本发明公开了一种低矫顽力的钐钴磁体及其制备方法，所述钐钴磁体的化学成分如下：（Sm1-zREz）aCo(1-a-b-c-d)CubFedZrc；其中RE是Nd、Gd和MM中至少一种；a=25%-29%，b=6%-9%，c=2%～3%，d=13%-17%；Z=0-0.4。本发明的钐钴磁体是以2：17的钐钴磁体为基础，在元素组成和成分配比上进行精细调整，使钐钴磁体产品的内禀矫顽力Hcj大幅度的降低，很好的满足特殊情况下充磁磁场较低，但需要饱和磁化的工艺要求。
【IPC分类】B22F3/24, B22F3/02, H01F41/02, B22F3/10, H01F1/055
【公开号】CN105355352
【申请号】CN201510931854
【发明人】王晓松, 朱玲旭, 冯进
【申请人】成都银河磁体股份有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年12月14日