。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。
[0040]结合本文中所公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或者在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPR0M存储器、EEPR0M存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或者本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。
[0041]相应地，本发明的一实施例可包括实施用于形成半导体器件的方法的计算机可读介质。相应地，本发明并不限于所解说的示例且任何用于执行文本所描述的功能性的手段均被包括在本发明的实施例中。
[0042]尽管上述公开示出了本发明的解说性实施例，但是应当注意到，在其中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必按任何特定次序来执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定于单数。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 耦合至基板的管芯； 耦合至所述管芯的与所述基板相对的表面的第一存储器器件；以及 耦合在所述管芯的与所述基板相对的表面和第二存储器器件之间的耦合器件，其中所述第二存储器器件至少部分地与所述第一存储器器件交叠。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一或第二存储器器件中的至少一者是DRAM。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一或第二存储器器件中的至少一者是从包括以下各项的组中选择的:随机存取存储器(RAM)、静态RAM (SRAM)、相变RAM (PRAM)、以及磁性 RAM(MRAM)。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耦合器件是中介体或分隔件。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括: 位于所述管芯与所述第一存储器器件和所述耦合器件之间的重分布层，其中所述重分布层促成将所述第一存储器器件和所述耦合器件进行耦合。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯具有将所述管芯电耦合到所述重分布层的单个接口。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括: 导热分隔件，所述导热分隔件毗邻所述第二存储器器件并且与所述第一存储器器件的剩余部分基本上交叠。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耦合器件具有与所述第一存储器器件的高度基本相同的高度。9.一种包括如权利要求1所述的半导体器件的设备，所述设备选自包括机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元和计算机的组。10.一种半导体器件，包括: 安装在基板上的管芯，所述管芯具有朝向所述基板的第一表面和与所述基板相对的第二表面； 安装在所述管芯的所述第二表面上的第一存储器器件； 安装在所述管芯的所述第二表面上的耦合器件；以及 至少部分地覆盖所述第一存储器器件并且至少部分地覆盖所述耦合器件的第二存储器器件，所述第二存储器器件通过所述耦合器件电耦合到所述管芯。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述耦合器件在所述第二表面上毗邻所述第一存储器器件。12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一或第二存储器器件中的至少一者是DRAM。13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述耦合器件是中介体或分隔件。14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括: 位于所述管芯和所述第一存储器器件之间的重分布层，其中所述重分布层促成将所述第一存储器器件和所述第二存储器器件耦合到所述管芯。15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述耦合器件具有与所述第一存储器器件基本相同的高度。16.一种包括如权利要求10所述的半导体器件的设备，所述设备选自包括机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元和计算机的组。17.一种用于形成半导体器件的方法，包括: 将管芯耦合到基板，以使得所述管芯的第一表面朝向所述基板，并且所述管芯的第二表面背朝所述基板； 将第一存储器器件耦合到所述管芯的所述第二表面；以及 将第二存储器器件耦合到所述管芯的所述第二表面，以使得所述第二存储器器件的至少第一部分与所述第一存储器器件交叠。18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，包括将耦合器件耦合到所述管芯的所述第二表面，其中所述第二存储器器件包括与所述第一存储器器件交叠的第一部分以及与所述親合器件交叠的第二部分。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，包括耦合导热分隔件，所述导热分隔件毗邻所述第二存储器器件并且与所述第一存储器器件的剩余部分基本上交叠。20.一种半导体器件，包括: 安装在基板上的管芯，所述管芯具有朝向所述基板的第一表面和与所述基板相对的第二表面； 安装在所述管芯的所述第二表面上的第一存储器器件； 第二存储器器件；以及 安装装置，用于将所述第二存储器器件安装到所述管芯的所述第二表面以使得所述第二存储器器件至少部分地与所述第一存储器器件交叠，并且用于将所述第二存储器器件电耦合到所述管芯。21.一种用于形成半导体器件的方法，包括: 用于将管芯耦合到基板以使得所述管芯的第一表面朝向所述基板并且所述管芯的第二表面背朝所述基板的步骤； 用于将第一存储器器件耦合到所述管芯的所述第二表面的步骤；以及 用于将第二存储器器件耦合到所述管芯的第二表面以使得所述第二存储器器件的至少第一部分与所述第一存储器器件交叠的步骤。22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，包括用于将耦合器件耦合到所述管芯的所述第二表面的步骤，其中所述第二存储器器件包括与所述第一存储器器件交叠的第一部分以及与所述耦合器件交叠的第二部分。23.—种包含指令的非瞬态计算机可读存储介质，所述指令在由计算机执行时使所述计算机:将管芯耦合到基板以使得所述管芯的第一表面朝向所述基板且所述管芯的第二表面背朝所述基板，将第一存储器器件耦合到所述管芯的所述第二表面，以及将第二存储器器件耦合到所述管芯的所述第二表面以使得所述第二存储器器件的至少第一部分与所述第一存储器器件交叠。24.如权利要求23所述的非瞬态计算机可读存储介质，其特征在于，包括用于将耦合器件耦合到所述管芯的所述第二表面的附加指令，其中所述第二存储器器件包括与所述第一存储器器件交叠的第一部分以及与所述耦合器件交叠的第二部分。
【专利摘要】一种半导体器件，包括耦合至基板的管芯，耦合至该管芯的与基板相对的表面的第一存储器器件，以及耦合在该管芯的与基板相对的表面和第二存储器器件之间的耦合器件，以使得第二存储器器件至少部分地与第一存储器器件交叠。还公开了一种用于以至少部分交叠的方式将第一和第二存储器器件安装到管芯上的方法。
【IPC分类】H01L25/18, H01L25/065
【公开号】CN105378920
【申请号】CN201480008501
【发明人】B·M·亨德森, S·顾
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年2月12日