封装和引线键合或倒装芯片操作，固化1C芯片15后，并进行胶封，使1C芯片15、引脚、键合线或凸块封装于胶封体11内，胶封体11的厚度为 0.175 mm。
[0023]3)采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜10相连的独立封装体:
单层基板封装体进行镭射切割，采用half cut工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜10相连的独立封装体，半切时保留单层基板封装体的背铜10不被切穿，保留的背铜10铜层厚度为llum，相邻封装体间的半切间距为0.125 mm。
[0024]4)对通过背铜10相连的独立封装体的背铜10以外的表面进行金属屏蔽层13电镀；
在独立封装体除底面背铜10以外的表面镀铜或不锈钢，使金属屏蔽层13的厚度大于
lum0
[0025]5)移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体；
通过蚀刻工艺将独立封装体的底层连接处的背铜10移除，露出基板底面的引脚，得到独立的半成品封装体；
6)对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。
[0026]将多个半成品封装体翻转后用胶带14固定成一版进行后续加工，对底面引脚植锡球16或印刷锡膏17进行集中处理，此时，所述的带金属屏蔽层13的单层超薄基板封装结构的厚度为0.2mm。
[0027]根据上述方法所制得的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚；所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1 um，封装结构的单层基板的厚度为0.05mm。
[0028]实施例2
在实施例1的基础上，进行基板封装，得到单层基板封装体A1的厚度为0.3mm，对得到的单层基板封装体进行元件封装和胶封时，胶封层A2厚度为0.48 mm ;半切时，保留的背铜铜层A3厚度为25um，相邻封装体间的半切间距B为0.8mm，金属屏蔽层13的厚度C大于lum ;整个带金属屏蔽层13的单层超薄基板封装结构的厚度为0.8mm。
[0029]根据上述方法所制得的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚；所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1 um，封装结构的单层基板的厚度为0.3mm
实施例3
在实施例1的基础上，经half cut处理后，第6)步中对引脚做化镀处理时，先在引脚上镀一层镍层，然后再镀一层金层，可有效避免引脚电镀时短路的缺陷。
[0030]本发明设计开发了一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺及其制品，实现对超薄封装结构金属屏蔽层的有效涂覆，使封装结构达到良好的电磁屏蔽和电磁兼容性能，并对单层超薄基板封装结构的产品进行金属屏蔽层涂覆工艺进行改进，采用Half cut工艺，一次性对整条单层超薄基板封装产品进行金属屏蔽层涂覆，从而提高生产效率；并在后续的单层超薄基板封装产品的引脚处，植锡球或印刷锡膏，或者通过化学沉积工艺沉积Ni/Au，有效避免引脚电镀时短路的缺陷。本发明应用半切(Half Cut)工艺，可以对整条(strip)产品进行电磁屏蔽层(EMI Shielding)涂覆作业，从而提高效率；实现了单层超薄基板工艺和电磁屏蔽层(EMI Shielding)涂覆工艺的结合，可以应用于所有类型封装产品；同时，本发明对该类型产品引脚采用植锡球或印刷锡膏，或通过化学沉积工艺沉积Ni/Au,避免单层超薄产品应用于电磁屏蔽层(EMI Shielding)涂覆工艺时基板引脚电镀时短路的缺陷。
[0031]最终，以上实施例和附图仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过上述实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。
【主权项】
1.一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，其制备工艺步骤为: 1)进行基板加工，得到单层基板； 2)对得到的单层基板进行元件封装和胶封，得到单层基板封装体； 3)采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体； 4)对通过背铜相连的独立封装体的背铜以外的表面进行金属屏蔽层电镀； 5)移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体； 6)对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。2.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第1)步中进行基板加工，得到单层基板的具体步骤为: a)取一载板，在载板的上下两面分别压合铜层，将铜层均蚀刻变薄，在载板两面的铜层上电镀铜柱； b)待铜柱电镀结束后，在载板的两面压合BT树脂和金属铜层，使铜柱封装于BT树脂层中，得到基体； c)在基体上开铜窗和钻孔，将开设的铜窗和钻孔进行电镀，形成引脚；对基体上的金属铜层进行图形光刻和蚀刻，形成第一导线层，此时形成基板基体； d)在基板基体上的引脚处设置阻焊层，阻焊层为防焊膜绿漆； e)在基板基体上的引脚处表面电镀镍层或金层； f )将基板基体上的载板移除，分别得到载板两侧的单层基板。3.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，所述带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的厚度为0.2-0.8mm。4.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，第2)步对单层基板封装体进行元件封装和胶封时的具体步骤为:对得到的单层基板封装体进行元件封装和引线键合或倒装芯片操作，固化1C芯片后，并进行胶封，使1C芯片、引脚、键合线或凸块封装于胶封体内，胶封体的厚度为0.175-0.48 mm。5.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，第3)步采用半切工艺对单层基板封装体进行半切的具体步骤为:对第2)步中得到的单层基板封装体进行镭射切割，采用half cut工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体，半切时保留单层基板封装体的背铜不被切穿，保留的背铜铜层厚度为11-25 um，相邻封装体间的半切间距为0.125-0.8 mm。6.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装体的制备工艺，其特征在于，第4)步镀金属屏蔽层时，在独立封装体除底面背铜以外的表面镀铜或不锈钢，使金属屏蔽层的厚度大于1 um。7.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第6)步中，对底面引脚进行集中处理时，通过植锡球或印刷锡膏对引脚进行集中处理。8.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第6)步中，对底面引脚进行集中处理时，通过化镀对引脚进行处理，先在引脚上镀一层镍层，然后再镀一层金层。9.根据上述权利要求所制得的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚；其特征在于:所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1 umD10.根据上述权利要求9所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，其特征在于:封装结构的单层基板的厚度为0.05-0.3 mm。
【专利摘要】本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺及其制品，具体步骤为：1）进行基板加工，得到单层基板2)对单层基板进行元件封装和胶封，得到单层基板封装体3）采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体4）对通过背铜相连的独立封装体的背铜以外的表面进行金属屏蔽层电镀5）移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体6）对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。本发明采用half？cut工艺将引脚的化镀处理和金属屏蔽层电镀处理过程分开，避免引脚处的重复电镀，并可对单层超薄基板封装结构的金属屏蔽层和引脚集中统一处理，提高生产效率。
【IPC分类】H01L23/13, H01L23/28, H01L21/56
【公开号】CN105428325
【申请号】CN201510967437
【发明人】郭桂冠, 王政尧
【申请人】苏州日月新半导体有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年12月22日