可以存在于挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间。
[0110]在该实施例中，由于对应于注射盖210的各个体部分210-1至210-3的挡板230-1至230-3插入到导引部450中，所以挡板230-1至230-3可以稳定地固定到导引部450。另外，在该实施例中，由于所插入的挡板230-1至230-3的外周表面压靠导引部450的内壁，所以当源气体穿过注射盖210和挡板230-1至230-3时能够最小化涡流的形成。
[0111]为了防止源气体在注射盖210中停留或者返流，在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D可以小于6mm。
[0112]图16是示出了根据多个挡板插入注射盖中的深度的源气体流动的视图。图16(a)示出了当在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D是0(D = 0)时的情形，并且图16(b)示出了在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D是6mm时的情形。
[0113]参照图16，可以看到的是，存在有源气体的滞留区701，并且不像图16(a)，在图16(b)中发生了源气体的返流702。这是因为当距离D等于或大于6_时，注射盖210的内部是相对较小的，并且因此源气体停留或返回。
[0114]图13是示出了当典型的外延反应器包括注射盖501、挡板502和插入件503时的源气体流动的视图。图14是示出了当该实施例的外延反应器包括注射盖210、挡板230-1至230-3和插入件240时的源气体流动的视图。
[0115]图13示出了一种典型的气体供应单元，在气体供应单元中，挡板502布置在注射盖501和插入件503之间。在图13中，可以看到的是，经常形成涡流并且源气体流是集中的。这是因为当源气体从注射盖501流到挡板502中时，涡流可以增大，并且可以引起不稳定气流。在此，“不稳定气流”可以意为由于气体流动速度变化而导致源气体流到不理想的位置。
[0116]然而，在该实施例中，挡板230-1至230-3中的每个布置成与气体出口350a、350b和350c的相应一个相邻，如图14所示。因此，可以最小化在流动的源气体中的涡流的形成，并且源气体流动可以是稳定的。
[0117]在该实施例中，插入到导引部450中的挡板230-1至230-3布置成与气体出口350a、350b和350c相邻。由此，由于源气体均匀地供应到位于反应室105中的晶片W的中部区域S1与边缘区域S2和S3，可以提高正在生长的外延层的厚度的均匀性。
[0118]图15是示出了在注射盖、多个挡板和插入件中流动的源气体的流动速度的视图。图15(a)示出了在该实施例中源气体的流动速度，而图15(b)示出了在一体的挡板布置在注射盖上的典型情形中的源气体的流动速度。
[0119]参照图15，可以看到的是，相比于在典型情形中的源气体流动(b)，在该实施例中，源气体流动(a)更加均匀，而且它的流动速度更快。因此，在该实施例中，由于源气体的较快流动速度，可以提高生长速率，并且因此会提高生产率。
[0120]结合各实施例描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中并且无需包括在所有实施例中。此外，本发明的任何特定实施例的具体特征、结构或特性可以任何合适的方式与一个或多个其他实施例组合，或者可由这些实施例所属的技术领域的技术人员所改变。因此，应理解的是，与这些组合或变化相关联的内容落在本发明的精神和范围内。工业适用性
[0121 ]各实施例可应用于晶片制造工艺。
【主权项】
1.一种外延反应器，包括: 反应室； 基座，所述基座位于所述反应腔室中以使得晶片坐置在所述基座上；以及 气体流动控制器，所述气体流动控制器用于控制引入到所述反应室中的气体流动， 其中，所述气体流动控制器包括: 注射盖，所述注射盖具有用以分开所述气体流动的多个气体出口；和多个挡板，每个所述挡板具有与所述气体出口的相应一个对应的通孔，以及其中，各所述挡板彼此隔开，并且所述挡板的每个布置成与所述气体出口的相应一个相邻。2.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于: 所述注射盖具有从其一个表面突出的导引部以暴露所述气体出口；并且 所述挡板插入到所述导引部中。3.如权利要求2所述的外延反应器，其特征在于，所述导引部呈环形以环绕所述气体出□ ο4.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述挡板的每个包括一板和连接到所述板的一个表面的支承部，所述板具有位于其中的彼此间隔的通孔，所述支承部插入到所述气体出口的每个中，并且所述板插入导引部中。5.如权利要求4所述的外延反应器，其特征在于，所述支承部包括彼此间隔的多个支腿，并且所述支腿插入相关联的气体出口中。6.如权利要求4所述的外延反应器，其特征在于，插入所述导引部中的所述板的外周表面压靠所述导引部的内壁。7.如权利要求5所述的外延反应器，其特征在于，插入到所述气体出口中的支承部的一端接触所述注射盖的内底部。8.如权利要求4所述的外延反应器，其特征在于: 所述板具有沿所述板的纵向方向形成在其一端或两端中的凹槽;并且形成在插入所述导引部中的两个相邻板的一个的一端中的凹槽和形成在所述两个相邻板的另一个的一端中的凹槽彼此相邻，并且所述两个相邻的凹槽形成一个联接槽。9.如权利要求7所述的外延反应器，其特征在于，构造成使得所述支承部的一端接触所述注射盖的内底部的所述挡板的每个的上表面与所述导引部的上表面平齐。10.如权利要求7所述的外延反应器，其特征在于，构造成使得所述支承部的一端接触所述注射盖的内底部的所述挡板的每个的上表面位于所述导引部的上表面的下方，并且在所述挡板的每个的上表面和所述导引部的上表面之间存在距离。11.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于: 所述注射盖包括彼此隔开的至少两个部分;并且 所述气体出口中的一个设置在所述至少两个部分的对应一个中。12.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，还包括: 插入件，所述插入件包括彼此隔开的多个部段，以使得穿过所述通孔的气体穿过所述部段;和 衬套，所述衬套具有台阶部分以将穿过所述部段的气体导引至所述反应室。13.如权利要求10所述的外延反应器，其特征在于，所述距离小于6mm。14.如权利要求2所述的外延反应器，其特征在于，所述导引部具有凹槽，所述挡板的外周表面固定地配装到所述凹槽中。15.如权利要求2所述的外延反应器，其特征在于，所述挡板插入到所述导引部中，使得所述挡板的每个与所述气体出口的对应一个对准。16.如权利要求2所述的外延反应器，其特征在于，所述注射盖具有形成在其另一表面上的至少一个联接部。17.如权利要求5所述的外延反应器，其特征在于，所述挡板的一个支承部的支腿具有的长度与所述挡板的其余支承部的支腿的长度不同。
【专利摘要】一个实施例包括：反应室；基座，该基座位于反应室中并且使晶片坐置其中；和气体流动控制器，该气体流动控制器用于控制引入到反应室中的气体流动，其中，该气体流动控制器包括注射盖，该注射盖具有用于分开气体流动的多个气体出口，并且包括多个挡板，每个挡板具有与多个气体出口分别相对应的多个通孔，而且，多个挡板彼此隔开，并且挡板的每个布置成与所述多个气体出口的相应气体出口相邻。
【IPC分类】H01L21/20, H01L21/205
【公开号】CN105453221
【申请号】CN201480044338
【发明人】金寅谦, Y·M·赫
【申请人】Lg矽得荣株式会社
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月8日
【公告号】DE112014003693T5, US20160194784, WO2015020474A1