区域212-1和焊盘区域212-2(如图4所示)，所述封装基板20由多层绝缘介质层上下叠压制成，这里以4层绝缘介质层为例进行说明，所述封装基板20由4等绝缘介质层，其中，距离所述裸片21自近至远地依次为第1层绝缘介质层201、第2层绝缘介质层202、第3层绝缘介质层203、第4层绝缘介质层204，所述至少一个温度测量元件23设置在所述封装基板20中的位于所述晶体管有源层212的电路区域212-2下方的所述第一空间24中，所述第一空间24位于距离所述裸片21最近的第1层绝缘介质层201的内部，所述第一空间24中除去所述至少一个温度测量元件23所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热胶，以防止所述倒装芯片裸片与所述温度测量芯片之间的短路，这里绝缘导热胶也可以使用其他绝缘导热物质来代替。
[0021]优选地，在所述第一空间24中放置所述至少一个温度测量元件23后的剩余空间填充绝缘导热胶后，进行加热固化流程以对所述绝缘导热胶进行固化。
[0022]所述晶体管有源层212的焊盘区域212-1通过焊球25与所述封装基板20互连，具体为，所述晶体管有源层212的焊盘区域212-1通过焊球25与所述第1层绝缘层201互连，以实现所述裸片21与所述封装基板20的互连。
[0023]另外，在本发明实施例的所述倒装芯片的倒装封装结构中，各层绝缘介质层的两面可设置导体互连线27，各层绝缘介质层内部可设置导体通孔28，从而形成用于连接所述至少一个温度测量元件23与所述倒装芯片的外部引脚26的互连结构。这样，可以实现通过所述外部引脚26来驱动上述各个温度测量元件23以及从上述各个温度测量元件读取监测的温度值。
[0024]其中，上述各个温度测量芯片23的厚度小于所述第1层绝缘介质层201的厚度，且所述各个温度测量芯片23为裸片或封装后的芯片。
[0025]本发明提供的倒装芯片的倒装封装结构，与现有技术相比，其通过将所述温度测量芯片安装在所述封装基板中的位于所述裸片下方的一个凹陷空间，使得所述温度测量器件与所述裸片之间只有一层绝缘导热层，可见，该安装方式一方面避免了基底绝缘层和塑封外壳热阻的影响另一方面避免了仅仅测量倒装芯片周围空气的温度作为所述倒装芯片的实际误差所引起的较大误差，因此，本发明设计的用于倒装芯片的温度测量结构能够更准确地测量所述倒装芯片裸片工作时产生的实际温度。
[0026]如图5-图9所示，为上述实施例中的倒装芯片的倒装封装结构的制作流程，具体制作流程如下:
[0027]S1、在所述封装基板20中设置所述至少一个温度测量元件23(如图5所示)。
[0028]S2、将所述裸片21倒装焊接于所述封装基板上，从而形成用于容纳所述至少一个温度测量元件23的第一空间24(如图6所示)。
[0029]S3、在所述第一空间24中除去所述至少一个温度测量元件23所占用的空间以外的剩余空间填充绝缘导热胶，并且所述绝缘导热胶注入所述剩余空间后进行加热固化流程(如图7所示)。
[0030]S4、在所述封装基板20的上部制作所述封装外壳22(如图8所示)。
[0031]S5、在所述封装基板20的下部制作所述外部引脚26(如图9所示)。
[0032]另外，本发明还提供一种倒装芯片，所述倒装芯片包括上述倒装芯片的倒装封装结构。
[0033]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种倒装芯片的倒装封装结构，包括封装基板、以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。2.根据权利要求1所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，还包括用于连接所述至少一个温度测量元件与所述倒装芯片的外部引脚的互连结构。3.根据权利要求1所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，所述裸片包括基底绝缘层和晶体管有源层，所述晶体管有源层包括电路区域和焊盘区域，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述晶体管有源层的电路区域下方的所述第一空间中，所述晶体管有源层的焊盘区域通过焊球与所述封装基板互连，以实现所述裸片与所述封装基板的互连。4.根据权利要求3所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，所述封装基板由多层绝缘介质层上下叠压制成，所述第一空间位于距离所述裸片最近的第1层绝缘介质层的内部，所述晶体管有源层的焊盘区域通过所述焊球与所述第1层绝缘层互连，以实现所述裸片与所述封装基板的互连。5.根据权利要求4所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，所述多层绝缘介质层的两面设置有导体互连线，所述多层绝缘介质层内部设置有导体通孔，以形成用于连接所述至少一个温度测量芯片与所述倒装芯片外部引脚的互连结构。6.根据权利要求1至5任一项所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，所述温度测量元件的厚度小于所述第1层绝缘介质层的厚度。7.根据权利要求1至5任一项所述的倒装芯片的倒装封装结构，其特征在于，所述温度测量元件为裸片或封装后的芯片。8.—种倒装芯片，其特征在于，所述倒装芯片具有权利要求1至7任一项所述的倒装芯片的倒装封装结构。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种倒装芯片的倒装封装结构及倒装芯片，涉及芯片封装技术领域，解决了现有芯片温度测量方式不准确测量倒装芯片的裸片工作时的温度的缺陷。本发明的芯片倒装封装结构包括封装基板，以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。
【IPC分类】H01L23/31, H01L21/67
【公开号】CN105489568
【申请号】CN201510833936
【发明人】孟真, 刘谋, 张兴成, 唐璇, 阎跃鹏
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月25日