域技术人员应知地，半圆形是一种特殊的扇形，但也属于扇形的一种。将上述扇形喷嘴601a按图6中(b)图的形式安装在一个直杆603a上，再将该直杆603a正对待处理晶圆的中心安装固定在半导体处理装置的工作室内，通过晶圆载台的旋转运动，即能保证晶圆处理过程中的全局性和均勻性。使用该直杆603a与扇形喷嘴601a形成的液面形状如图6中的(c)图所示。当然，同样可以达到均匀和全局处理晶圆的目的地，扇形喷嘴601a的数目以及安装在直杆603a上的形式是可以变化的，例如扇形喷嘴601a的个数可以是一个或四个，扇形喷嘴601a关于直杆603a对称排布。
[0063]图6中的(d)展示的是另外一种扇形喷嘴604d。这种扇形喷嘴604d本身就可看作一个扇形喷头，其半径大于或等于待处理晶圆的半径。这种扇形喷嘴604d采用直下式喷射，各点的流量一致。其喷出的液面形状与扇形喷头自身的形状相同。将该扇形喷嘴604d的圆心对准待处理晶圆的圆心，固定安装在工作室内的顶部，随着晶圆载台的旋转，即能均匀地、完整地将反应需要的有机溶剂涂敷至整个晶圆表面。实现上述过程所使用的扇形喷嘴604d的数目可以为一个或多个。
[0064]图7是一种半圆形喷嘴701，如图7中的(a)图。该半圆形喷嘴701具有一个半圆形喷头702，能够以超声振动的形式激发喷出的液体以一种均匀的、半圆形截面形态逐渐地覆盖至晶圆表面，液体横截面如图7中(b)图所示。这种半圆形喷头702在行业内通常被称作Megpie，其工作的模式以及喷出的液体扩散的形式与市场上贩售的加湿器的原理有点相似。使用这种半圆形喷头702的好处在于该喷头能够很好的控制液面横截面的形状并保证其喷出的液体在横截面各点均匀分布。另外，需要说明的是，这种Megpie喷头之所以能够控制液面形状，主要取决于其是由超声激发的，而并不是因为喷头是半圆形的缘故。所以，即使半圆形喷头702被替换为其他形状，例如可以是方形或三角形，只要是使用这种Megpie喷头，同样可以保证液面为半圆形，当然也可以将液面改变为其他相应的形状。
[0065]图8和图9是实施例中可选用的另外两种圆形喷嘴。图8中(a)图所示的是一种圆形喷嘴801，该圆形喷嘴801具有一个圆形喷头802，能够扩散式的将液面喷射至晶圆表面，形成如图8中(b)图所示的圆形液面。图9中(a)图展示的也是一种圆形喷嘴901，该圆形喷嘴901相对于圆形喷嘴801更加扁平化，具有一个大小与晶圆相当的圆形喷头902，采用直下式的方式直接对准晶圆喷射液体，形成均匀的圆形液面，如图9中(b)图所示。
[0066]图10和图11介绍的是用于其他实施例的另外两种线形喷嘴。图10中(a)图所示的线形喷嘴1001仅在该线形喷嘴1001的一个侧边开有喷射孔1002，能够形成如图10中(b)图所示的半圆形液面，并保证喷洒的均匀度。通过晶圆载台的旋转，可以将液体喷洒至晶圆的整个表面。而图11中(a)图同样展示了一种线形喷嘴1101，其不同之处在于该线形喷嘴1101的两个侧边对称的分别开有一排喷射口 1102，相应的，其形成的液面为如图11中(b)图所展示的圆形液面。
[0067]本发明的保护范围并不仅限于上述说明书中描述的技术方案，还应包含有在此基础上不偏离本发明所述技术方案设计思路作出的相应变式。
【主权项】
1.一种半导体处理装置，具有密闭的工作室，其特征在于，所述处理装置还包括: 发射端口，所述发射端口向所述工作室内发射工艺用有机溶剂； 晶圆载台，所述晶圆载台与所述发射端口的位置相对，所述晶圆载台用于承载和固定晶圆；以及 清洗管路； 其中，所述发射端口在平行于所述晶圆载台的平面内不发生相对于晶圆载台的平移运动。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗管路内通入至少含有一种强氧化剂的清洗药剂，所述强氧化剂与工艺完成后剩余的有机溶剂发生反应。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为扇形喷嘴。4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其半径大于或等于待处理晶圆的半径，采用直下式喷射，喷出的液面形状与喷头自身的形状相同，扇形喷嘴的圆心对准待处理晶圆的圆心，随着晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其喷出的液体的横截面为扇形，且横截面所呈扇形的半径与待处理晶圆的半径相当，所述扇形喷嘴安装在直杆上，直杆正对待处理晶圆的中心，通过晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为半圆形喷头，以超声振动的形式激发喷出的溶剂以均匀的、半圆形截面形态逐渐地覆盖至晶圆表面。7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为圆形喷嘴或线形喷嘴。8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述圆形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为圆形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形。9.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈一条线段，所述线形喷嘴的长度略长于待处理晶圆的半径，且所述线形喷嘴的一端正好位于晶圆圆心的正上方，随着晶圆载台的旋转，所述线形喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。10.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形或半圆形。11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为安装有多个集束型喷嘴的喷射板，所述喷射板覆盖了位于其下方的半个晶圆，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。12.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为多个集束型喷嘴离散排布在沿着喷射杆的直线上，所述发射端口发射的液面范围为长条形，整个喷射杆的长度略长于晶圆的直径，喷射杆的中心对准晶圆的中心，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。13.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理装置具有抽气泵，所述抽气泵在处理工艺开始之前将所述工作室抽至真空。14.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述强氧化剂为等离子态的O2015.根据权利要求14所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理装置包括安装在所述清洗管路和所述工作室之间的等离子发生器。16.根据权利要求14所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗药剂中掺杂有空气、氩气或氦气三者中的一种或几种。17.根据权利要求15所述的半导体处理装置，其特征在于，所述等离子发生器为射频等离子发生器、变压器耦合等离子发生器、感应耦合等离子发生器或远程等离子发生器。18.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述强氧化剂为03。19.根据权利要求18所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗药剂中掺杂有sf6。20.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置具有排放系统，将反应生成物排除出工作室。
【专利摘要】本发明提出了一种半导体处理装置。该半导体处理装置具有一个密闭的工作室，除此之外该半导体处理装置还包括用于发射工艺用有机溶剂的发射端口、承载和固定晶圆的晶圆载台、以及输送清洗药剂的清洗管路，其中晶圆载台与发射端口的位置相对。在半导体处理装置对晶圆加工处理完成之后，向清洗管路中通入至少含有一种强氧化剂的清洗药剂，通过强氧化剂与剩余有机溶剂的相互反应，能够消耗残留的废液，实现自清洗功能。该半导体处理装置所使用的发射端口为圆形喷嘴、扇形喷嘴、线形喷嘴及半圆形喷嘴等，且该发射端口与晶圆载台不发生相对的水平位移。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN105529286
【申请号】CN201410513507
【发明人】贾照伟, 王坚, 王晖
【申请人】盛美半导体设备（上海）有限公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2014年9月29日