；步骤十、提供第三引线框，所述第三引线框为Z形，所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段；
步骤十一、在第三引线框的第二上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；
步骤十二、将第三引线框的第二上水平段压合在第二引线框的第一上水平段上表面的第二芯片上，压合后第一引线框、第二引线框和第三引线框形成整体框架，第一引线框下表面、第二引线框第一下水平段下表面与第三引线框第二下水平段下表面齐平；
步骤十三、将步骤十二形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；
步骤十四、将步骤十三经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封，塑封后第三引线框的第二上水平段的上表面暴露在塑封料之外；
步骤十五、将步骤十四完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式塑封体，切割或是冲切独立开来，制得框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构。
[0018]所述第一引线框压合第二引线框形成整体框架，可以在第二引线框植入第二芯片后进行实施。
[0019]所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质。
[0020]所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。
[0021]所述压板材质的热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框和第三引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~_6/°C。
[0022]所述步骤二、步骤五和步骤十一可通过不同机台同时进行。
[0023]与现有技术相比，本发明的优点在于:
1、本发明一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构的第二引线框与第三引线框直接与MOS芯片的源极和栅极形成电性连接，取代了传统MOS芯片封装中利用金属焊线形成互联的工艺，充分减少了封装电阻。同时由于引线框内脚与外脚为一体成型形成，进一步减少了封装电阻，本发明的技术可以比传统封装设计的封装电阻降低至少30%以上；
2、本发明一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构的第二引线框与第三引线框直接通过锡膏与MOS芯片的源极和栅极形成电性连接，完全减免了金属焊线的互联工序，完全节省了金属焊线互联工序的设备购置、工序材料等成本。且本发明的第二引线框和第三引线框都为整条一体成型的，与芯片形成电性连接也是整条一步完成，与传统金属焊线、金属片互联一个个芯片形成互联的工艺相比，工艺较为简单，生产效率有了明显的提高；
3、本发明的一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构及其工艺方法，由于芯片上下两个表面都直接与引线框相接触，芯片工作时产生的热量可通过引线框散出，且本发明的第一引线框下表面以及第三引线框部分上表面均直接暴露在塑封料之外，本发明的框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构具有较好的散热性能；而且本发明可再依据产品功率、导热或是散热的不同自由的在引线框上外加散热器，用以进一步增加产品热消散的能力；
4、本发明的一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构使用上下压板压住整体框架进行回流焊，使得框架在回流焊时不易被锡膏受热熔解后的冷却过程的凝聚所顶起，保证框架结构的总高度，防止芯片的移动或旋转，并且能确保框架暴露外脚的共面性。
【附图说明】
[0024]图1为一种已知的MOS堆叠封装结构示意图。
[0025]图2为本发明制造的一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构的侧面图。
[0026]图3为本发明制造的一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构的俯视图。
[0027]图4为本发明中第一引线框的立体视图。
[0028]图5为本发明中第二引线框的立体视图。
[0029]图6为本发明中第三引线框的立体视图。
[0030]图7为本发明中第一引线框、第一芯片、第二引线框、第二芯片和第三引线框的分解立体示意图。
[0031]图8(a)至图8(0)为本发明一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构工艺方法的流程图。
[0032]其中:
引线框11 第一芯片12 第二芯片13 第一金属夹板14 第二金属夹板15 第一金属焊线16 第二金属焊线17 第一引线框21 第二引线框22 第一上水平段221 第一中间连接段222 第一下水平段223 第三引线框23 第二上水平段231 第二中间连接段232 第二下水平段233 第一芯片24 第二芯片25 锡膏26 塑封料27。
【具体实施方式】
[0033]以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
[0034]如图8(a)?图8(n)所示，本实施例中的一种框架外露多芯片正装堆叠夹芯封装结构的工艺方法，其具体工艺步骤如下:
步骤一、参见图8(a)，提供第一引线框，第一引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质；
步骤二、参见图8(b)，在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏，目的是为实现后续第一芯片植入后与基岛接合，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；
步骤三、参见图8(c)，在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片；步骤四、参见图8(d)，提供第二引线框，所述第二引线框为Z形，所述Z形的第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段和第一下水平段，第二引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质；
步骤五、参见图8(e)，在第二引线框的第一上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；步骤六、参见图8(f)，将第二引线框的第一上水平段压合在第一引线框上表面的第一芯片上，使第一芯片与第二引线框通过第一上水平段下表面的锡膏形成电性连接，压合后第一引线框和第二引线框形成整体框架，第一引线框下表面与第二引线框第一下水平段下表面齐平；
步骤七、参见图8(g)，将步骤六形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能，其热膨胀系数CTE与第一引线框和第二引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C;
步骤八、参见图8(h)，完成回流焊后，在第二引线框的第一上水平段的上表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；
步骤九、参见图8(i)，在步骤八中第二引线框的第一上水平段上表面涂覆的锡膏上植入第二芯片；
步骤十、参见图8(j)，提供第三引线框，所述第三引线框为Z形，所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段，第三引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质；
步骤十一、参见图8(k)，在第三引线框的第二上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；步骤十二、参见图8(1)，将第三引线框的第二上水平段压合在第二引线框的第一上水平段上表面的第二芯片上，使第二芯片与第三引线框通过第二上水平段下表面的锡膏形成电性连接，压合后第一引线框、第二引线框和第三引线框形成整体框架，第一引线框下表面、第二引线框第一下水平段下表面与第三引线框第二下水平段下表面齐平；
步骤十三、参见图8(m)，将步骤十二形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能，其热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框和第三引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10