的第一表面与第二表面，且焊垫位于第一表面，激光阻档件位于焊垫上。接着在步骤S2中，于晶圆的第一表面暂时接合支撑件。之后在步骤S3中，在晶圆的第二表面中形成第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。接着在步骤S4中，于晶圆的第二表面上与第一穿孔中形成绝缘层，其中绝缘层具有相对第二表面的第三表面。之后在步骤S5中，使用激光贯穿绝缘层与焊垫以形成第二穿孔，其中激光由激光阻档件阻挡，且激光阻档件从第二穿孔裸露。最后在步骤S6中，于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上电镀重布线层。在以下叙述中，将说明上述步骤。
[0058]图5绘示根据本发明一实施方式的晶圆IlOa与激光阻档件120的剖面图。晶圆IlOa意指切割后可形成多个图2的晶片110的半导体基板。首先，可提供晶圆IlOa与激光阻档件120，其中晶圆IlOa具有焊垫112、及相对的第一表面111与第二表面113，且焊垫112位于第一表面111，激光阻档件120位于焊垫112上。在本实施方式中，可通过打一导线(例如金线)于晶圆IlOa的焊垫112上，接着切除部分导线，使晶圆IlOa的焊垫112上残留另一部分导线而形成激光阻档件120。激光阻档件120例如为金球。
[0059]图6绘示图5的晶圆I 1a接合支撑件210后的剖面图。同时参阅图5与图6，待图5的结构形成后，可暂时接合支撑件210于晶圆IlOa的第一表面111。支撑件210可提供晶圆IlOa支撑力，防止晶圆IlOa在后续制程中因受力而破裂。待接合支撑件210于晶圆IlOa后，可研磨晶圆IlOa的第二表面113，以减薄晶圆IlOa的厚度。
[0060]图7绘示图6的晶圆IlOa形成第一穿孔114后的剖面图。同时参阅图6与图7，接着，可在晶圆IlOa的第二表面113中形成第一穿孔114，使焊垫112从第一穿孔114裸露。在此步骤中，可采用蚀刻制程在晶圆IlOa中形成第一穿孔114，例如干蚀刻制程。
[0061]图8绘示图7的晶圆IlOa的第二表面113上与第一穿孔114中形成绝缘层140后的剖面图。同时参阅图7与图8，待第一穿孔114形成后，便可形成绝缘层140于晶圆IlOa的第二表面113上与第一穿孔114中，其中绝缘层140具有相对第二表面113的第三表面141。在此步骤中，绝缘层140可采用印刷的方式形成于晶圆IlOa的第二表面113上与第一穿孔114中。接着，设计者可依需求涂布、压印、制模或研磨绝缘层140的第三表面141，以减薄绝缘层140的厚度。
[0062]图9绘示图8的绝缘层140与焊垫112中形成第二穿孔150后的剖面图。同时参阅图8与图9，待图8的结构形成后，可使用激光贯穿绝缘层140与焊垫112以形成第二穿孔150。激光可由焊垫112上的激光阻档件120阻挡，使激光阻档件120从第二穿孔150裸露。此外，激光对准第一穿孔114与激光阻档件120发射，因此第二穿孔150可由第一穿孔114环绕。
[0063]图10绘示图9的绝缘层140的第三表面141、第二穿孔150的壁面与激光阻档件120上形成重布线层160后的剖面图。同时参阅图9与图10，待第二穿孔150形成于绝缘层140与焊垫112中后，可电镀重布线层160于绝缘层140的第三表面141上、第二穿孔150的壁面上与第二穿孔150中的激光阻档件120上。
[0064]图11绘示图10的绝缘层140与重布线层160上形成阻隔层170后的剖面图。同时参阅图10与图11，待图10的结构形成后，可形成阻隔层170于绝缘层140的第三表面141上与重布线层160上。接着，可图案化阻隔层170以形成开口 172，使部分的重布线层160可从阻隔层170的开口 172裸露。
[0065]图12绘示图11的重布线层160上形成导电结构180后的剖面图。同时参阅图11与图12，待阻隔层170的开口 172形成后，可形成导电结构180于开口 172中的重布线层160上，使得导电结构180可通过重布线层160电性连接焊垫112。在此步骤后，便可移除晶圆IlOa的第一表面111上的支撑件210。
[0066]最后，可沿线段L1、L2切割晶圆110a、绝缘层140与阻隔层170，以形成图2的晶片封装体100。
[0067]本发明的晶片封装体及其制造方法可省略已知化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，能节省制程的时间与机台的成本。此外，晶片的第一表面未经额外的加工，因此平坦性佳，可提升晶片封装体侦测时的准确度。
[0068]以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种晶片封装体，其特征在于，包含: 一晶片，具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，其中该焊垫位于该第一表面上，该第二表面具有一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸露； 一激光阻档件，位于该焊垫上； 一绝缘层，位于该第二表面上与该第一穿孔中，该绝缘层具有相对该第二表面的一第三表面，该绝缘层与该焊垫共同具有一第二穿孔，使该激光阻档件从该第二穿孔裸露； 一重布线层，位于该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔中的该激光阻档件上； 一阻隔层，位于该第三表面上与该重布线层上，该阻隔层具有一开口，使该重布线层从该开口裸露；以及 一导电结构，位于该开口中的该重布线层上，使该导电结构电性连接该焊垫。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻档件的材质包含金。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的孔径小于该第一穿孔的孔径。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有一空穴，且该空穴位于该阻隔层与该第二穿孔中的该重布线层之间。5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的该壁面为一粗糙面。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻档件具有朝向该重布线层的一第四表面，且该第四表面为一粗糙面。7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该绝缘层的该第三表面上的厚度大于该重布线层在该第二穿孔的该壁面上的厚度。8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该第二穿孔的该壁面上的厚度大于该重布线层在该激光阻档件上的厚度。9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的材质包含环氧树脂。10.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含: (a)提供一晶圆与一激光阻档件，其中该晶圆具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，该焊垫位于该第一表面，该激光阻档件位于该焊垫上； (b)于该晶圆的该第一表面暂时接合一支撑件； (C)在该晶圆的该第二表面中形成一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸露； (d)于该晶圆的该第二表面上与该第一穿孔中形成一绝缘层，其中该绝缘层具有相对该第二表面的一第三表面； (e)使用一激光贯穿该绝缘层与该焊垫以形成一第二穿孔，其中该激光由该激光阻档件阻挡，且该激光阻档件从该第二穿孔裸露；以及 (f)于该绝缘层的该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔中的该激光阻档件上电镀一重布线层。11.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含: 于该绝缘层的该第三表面上与该重布线层上形成一阻隔层；以及 图案化该阻隔层以形成一开口，使该重布线层从该开口裸露。12.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:于该开口中的该重布线层上形成一导电结构。13.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:切割该晶圆、该绝缘层与该阻隔层，以形成该晶片封装体。14.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:于该晶圆的该焊垫上打一导线；以及切除部分该导线，使该晶圆的该焊垫上残留另一部分该导线而形成该激光阻档件。15.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:研磨该晶圆的该第二表面。16.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该步骤(d)包含:于该晶圆的该第二表面上与该第一穿孔中印刷该绝缘层。17.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:涂布、压印、制模或研磨该绝缘层的该第三表面。18.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含:移除该晶圆的该第一表面上的该支撑件。
【专利摘要】一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。
【IPC分类】H01L21/768, H01L23/535, H01L23/485, H01L21/60
【公开号】CN105590916
【申请号】CN201510450190
【发明人】刘建宏, 温英男, 李士仪, 姚皓然
【申请人】精材科技股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年7月28日
【公告号】US20160133544