高温炉管氮化、快速热退火氮化或等离子体氮化，当然，还可W采用其它的氮 化工艺，送里不再赏述。
[0048] 接着，如图2B所示，在所述介电层201上依次形成粘附层和电极材料层202。
[0049] 为了简便，粘附层和电极材料层仅W-层示出，但可W想到的是，粘附层与电极材 料层可W是两种不同材料的膜层，粘附层位于电极材料层的下方。
[0050] 形成所述粘附层和所述电极材料层202的形成工艺可W采用本领域技术人员熟 知的任何现有技术，例如；电子束蒸锥、化学气相沉积、磁控瓣射或物理气相沉积等工艺。本 实施例中，较佳地选用磁控瓣射。
[0051] 可选地，所述粘附层的材料为化，所述电极材料层为Au。示例性地，所述粘附层的 厚度为50~1500A。所述电极材料层的厚度为500~5000A。上述厚度范围仅是示例性地， 可根据实际情况进行调整。
[0052] 在一个示例中，将基底放入多祀共瓣磁控瓣射腔体中，在一个瓣射祀上安装金属 館祀材，在一个瓣射祀上安装金祀材。先对金属館祀材进行瓣射，形成预定厚度（例如， 750 A )的館层作为粘附层。再对金祀材进行瓣射，形成预定厚度（例如，3000 A )的 金层作为电极材料层。
[0053] 接着，如图2C所示，在所述电极材料层202上沉积形成保护材料层203。
[0054] 保护材料层203可W包括数种电介质材料的任何一种。非限制性实例包括氧化 物、氮化物和氮氧化物，尤其是，娃的氧化物、氮化物和氮氧化物，但不包括其他元素的氧化 物、氮化物和氮氧化物。较佳地，所述保护材料层为氧化物。可选地，所述保护材料层203 的厚度为500~1500埃。可W使用包括但不限于；化学气相沉积方法和物理气相沉积方法 的方法形成保护材料层203。
[00巧]接着，如图2D所示，在所述保护材料层203上形成图案化的第二光阻层204,其中 所述图案化的第二光阻层204覆盖所述保护材料层203的边缘区域。图2D左图为剖面示 意图，图2D右图为俯视图，由俯视图可W看出，图案化的第二光阻层204呈圆环形，覆盖所 述保护材料层203的边缘区域。但并不仅局限于圆环形状，其根据基底或电极材料层的形 状可有所不同，例如当基底为方形时，则电极材料层也为方形，相应的，位于边缘四周的图 案化的第二光阻层可W为方框形状。
[0056] 接着，如图沈所示，W所述图案化的第二光阻层204为掩膜，刻蚀所述保护材料层 203直到暴露所述电极材料层202, W形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层203a。
[0057] 具体地，所述对所述保护材料层203的刻蚀既可W选用干法刻蚀也可W采用湿法 刻蚀。干法刻蚀能够采用基于氣化碳气体的各向异性刻蚀法。湿法刻蚀能够采用氨氣酸溶 液，例如氨氣酸缓冲溶液化Uffer solution of hy化ofIuoric acid度HF))或缓冲氧化物 刻蚀剂化Uffer oxide etchant (BOE))。本实施中，较佳地采用湿法刻法对所述保护材料层 203进行刻蚀。
[005引示例性地，当所述基底为圆形（例如，娃晶圆）时，所述保护层为圆环形状。但并 不仅限于圆环形状，其还可W为其它方框形，或多边环形，具体取决于电极材料层的形状。
[0059] 形成所述保护层203a后，去除所述图案化的第二光阻层。可采用本领域技术人员 熟知的任何适用的方法去除所述图案化的第二光阻层，例如灰化工艺等。
[0060] 接着，如图2F所示，在暴露的所述电极材料层202的表面上形成图案化的第一光 阻层205。所述图案化的第一光阻层205定义有电极的图案。
[0061] 接着，如图2G所示，W所述图案化的第一光阻层205和保护层203a为掩膜，刻蚀 所述粘附层和电极材料层202, W形成电极202a。
[0062] 可选地，所述第一光阻层的厚度为20000~60000埃。可采用定义有电极图案的 掩膜板对第一光阻层进行曝光和显影后，形成图案化的第一光阻层205。
[0063] 示例性地，采用湿法刻蚀的方法对所述粘附层和电极材料层202进行刻蚀。在一 个示例中，当所述粘附层为Cr,电极材料层为Au时，所述湿法刻蚀的溶液为王水，也可W为 包括12和KI的溶液。在湿法刻蚀过程中，由于图案化的第一光阻层205和保护层203a共 同作为掩膜，避免了对于边缘的粘附层和电极材料层的刻蚀速率比中必的刻蚀速率高的问 题的发生，故不会在晶圆的边缘产生缺陷，导致电极剥离问题。
[0064] 之后还包括去除所述图案化的第一光阻层和保护层的步骤，在此不作赏述。
[0065] 综上所述，根据本发明的制作方法，在湿法刻蚀过程中，避免了对于边缘的粘附层 和电极材料层的刻蚀速率比中必的刻蚀速率高的问题的发生，故不会在晶圆的边缘产生薄 弱点，导致电极剥离，进而提高了器件的良率和性能。
[0066] 参照图3,其中示出了根据本发明实施例的方法依次实施的步骤的流程图，用于简 要示出整个制造工艺的流程。
[0067] 在步骤301中，提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层；
[0068] 在步骤302中，形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；
[0069] 在步骤303中，在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；
[0070] 在步骤304中，W所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极 材料层和粘附层，W形成电极；
[0071] 在步骤305中，去除所述图案化的第一光阻层。
[0072] 本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于 举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人 员可W理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可W做出更多种的 变型和修改，送些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围W内。本发明的保护范围由 附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1. 一种半导体器件的制作方法，包括： 提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层； 形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层； 在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层； 以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以 形成电极； 去除所述图案化的第一光阻层。2. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粘附层的材料为Cr。3. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电极材料层的材料为金。4. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为圆环形状。5. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括以下步 骤： 在所述电极材料层上沉积形成保护材料层； 在所述保护材料层上形成图案化的第二光阻层，其中所述图案化的第二光阻层覆盖所 述保护材料层的边缘区域； 以所述图案化的第二光阻层为掩膜，刻蚀所述保护层材料层直到暴露所述电极材料 层，以形成所述保护层； 去除所述图案化的第二光阻层。6. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺形成所述粘附层 和电极材料层。7. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化物。8. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为50~丨500A。9. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述粘附层和电极材料层之 前，还包括在所述基底上沉积形成介电层的步骤。10. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方法对所述粘附层 和所述电极材料层进行刻蚀。
【专利摘要】本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层；形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；去除所述图案化的第一光阻层。根据本发明的制作方法，在湿法刻蚀过程中，避免了对于边缘的粘附层和电极材料层的刻蚀速率比中心的刻蚀速率高的问题的发生，故不会在晶圆的边缘产生薄弱点，导致电极剥离，进而提高了器件的良率和性能。
【IPC分类】H01L21/28
【公开号】CN105632907
【申请号】CN201410587117
【发明人】金滕滕, 杨勇
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月28日