晶圆背胶的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆背胶的制备方法。
【背景技术】
[0002]在集成电路后续封装过程中，需要进行晶圆背面减薄、分片、贴片、引线键合等工艺，在对晶圆进行分片之前，需要在晶圆的背面标记每个芯片的信息，目前，通常在晶圆背面形成一层聚合物，并且经过加热处理等工艺之后形成一层背胶，在背胶上用激光进行标记。
[0003]形成背胶的具体过程为，将晶圆反向放置，使用刮刀等工具将聚合物涂在晶圆背面形成聚合物薄膜，并且控制聚合物薄膜的厚度在20微米-25微米，之后将晶圆放在烘烤箱中烘烤约2小时，烤箱的温度控制在135°C -150°C。经过烘烤之后的聚合物薄膜形成一层硬度较大的薄膜，即为背胶。形成背胶之后，即可在背胶上进行激光标记。
[0004]但是，由于刮刀在刮制过程中的压力、速率等，聚合物本身的粘稠度以及环境中颗粒等因素的影响，形成的背胶的厚度、平整度等难以控制，需要反复调试。而且，由于聚合物使用时的解冻时间、暴露在空气中的时间等难以控制，使得聚合物自身的粘稠度不能确定。晶圆的背胶的平整度的差异，使得后续的工艺不稳定，导致废片率较高。因此，需要一种可控性好的形成晶圆背胶的方法。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，提供一种可控的晶圆背胶的制备方法，使得制备的晶圆背胶的平整度、厚度、粘稠度可以提前预定，提高工艺可靠性。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆背胶的制备方法，包括:
[0007]提供晶圆以及预制膜；
[0008]使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；
[0009]对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；以及
[0010]在所述背胶上标记所述晶圆的信息。
[0011]可选的，所述预制膜的两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层。
[0012]可选的，所述晶圆背胶的制备方法还包括:
[0013]在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之前，将所述预制膜的一侧的所述保护层撕下来；
[0014]在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤中，将所述预制膜的一侧面向所述晶圆的背面放置。
[0015]可选的，所述晶圆背胶的制备方法还包括:
[0016]在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之后，将所述预制膜的另一侧的所述保护层撕下来。
[0017]可选的，所述预制膜的厚度和粘稠度根据要求预先制定。
[0018]可选的，所述预制膜的为平整度小于等于5%。
[0019]可选的，加热处理所述预制膜的过程中采用的温度为130°C _150°C。
[0020]可选的，加热处理所述预制膜的过程中处理的时间为100min-120min。
[0021 ] 可选的，采用激光标记的方法在所述背胶上标记所述晶圆的信息。
[0022]可选的，所述信息包括输出电压、输出功率的信息。
[0023]与现有技术相比，本发明晶圆背胶的制备方法具有以下优点:
[0024]本发明提供的晶圆背胶的制备方法中，包括:提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可靠性。
【附图说明】
[0025]图1为本发明一实施例中晶圆背胶制备方法的流程图；
[0026]图2为本发明一实施例中晶圆背胶制备方法压制预制膜的示意图；
[0027]图3为本发明一实施例中在晶圆背胶上标记信息之后的示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合示意图对本发明的晶圆背胶的制备方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0029]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0030]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0031]本发明的核心思想在于，提供的晶圆背胶的制备方法中，包括:提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可靠性。
[0032]具体的，结合上述核心思想，本发明的晶圆背胶的制备方法的流程图参考图1所示，并结合图2进行具体说明。
[0033]执行步骤S1:提供晶圆I以及预制膜2。在本实施例中，所述晶圆I的内部包含不同的器件结构，需要将晶圆进行切割分片，形成一个个单独的芯片。但是将晶圆切割之前需要在晶圆的背面形成背胶，并且在背胶上利用激光进行标记，标记信息主要包括输出电压、输出功率等信息。所述预制膜2为根据要求预先制定的，使得所述预制膜2的厚度、平整度以及粘稠度可以预知。例如，本发明中，所述预制膜的平整度控制在小于5%，厚度为25微末。在本实施例中，所述预制膜2的两侧均有一层保护层，防止所述预制膜被周围环境污染，形成颗粒等污染物。
[0034]执行步骤S2:使用压膜机将所述预制膜2压制在所述晶圆I的背面。一般的，在使用压膜机将所述预制膜2压制在所述晶圆I的背面之前，将所述预制膜2 —侧的所述保护层撕下来，在所述预制膜2压制的所述晶圆I的过程中，将所述预制膜的一侧面向所述晶圆I放置，使用压膜机将所述预制膜2压制在所述晶圆I的背面，并且在进行接下来的操作之前，再将另一侧的所述保护层撕下来。
[0035]执行步骤S3:对所述预制膜2进行加热处理，形成背胶。在本实施例中，在烘烤箱中对所述预制膜进行加热处理，处理过程中，处理的温度控制在130°C _150°C，处理时间为100min-120min，例如，采用135°C烘烤120min。经过加热处理之后，所述预制膜2会形成较为坚硬的背胶3，参考图3所示。采用压制预制膜的方法制备形成的背胶，由于所述预制膜2的厚度、平整度以及粘稠度等可以预先制定，因此，形成的所述背胶3的厚度、平整度以及粘稠度等可以控制。
[0036]执行步骤S4:在所述背胶3上标记所述晶圆I的信息4。在本实施例中，采用激光标记的方法在所述背胶3上进行标记，在所述背胶3上进行标记时，对每个区域进行单独标记，使得经过后续的切割之后，每个单独的芯片的背面含有该芯片所需要的标记信息。标记的所述信息包括有该区域的输出功率、输出电压等信息。
[0037]综上所述，本发明提供的晶圆背胶的制备方法中，包括:提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提尚工艺的可靠性。
[0038]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种晶圆背胶的制备方法，其特征在于，包括: 提供晶圆以及预制膜； 使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面； 对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；以及 在所述背胶上标记所述晶圆的信息。2.如权利要求1所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述预制膜的两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层。3.如权利要求2所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述晶圆背胶的制备方法还包括: 在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之前，将所述预制膜的一侧的所述保护层撕下来； 在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤中，将所述预制膜的一侧面向所述晶圆的背面放置。4.如权利要求2所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述晶圆背胶的制备方法还包括: 在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之后，将所述预制膜的另一侧的所述保护层撕下来。5.如权利要求1所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述预制膜的厚度和粘稠度根据要求预先制定。6.如权利要求5所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述预制膜的平整度小于等于5%。7.如权利要求1所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，加热处理所述预制膜的过程中采用的温度为130°C -140°C。8.如权利要求6所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，加热处理所述预制膜的过程中处理的时间为100min-120min。9.如权利要求1所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，采用激光标记的方法在所述背胶上标记所述晶圆的信息。10.如权利要求9所述的晶圆背胶的制备方法，其特征在于，所述信息包括输出电压、输出功率的信息。
【专利摘要】本发明的晶圆背胶的制备方法中，包括：提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可靠性。
【IPC分类】H01L21/56
【公开号】CN105632945
【申请号】CN201410616537
【发明人】张纪阔, 章国伟
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月5日