一种绝缘栅型光电导开关的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种绝缘栅型光电导开关，其包括：半绝缘衬底、该半绝缘衬底的上表面上制成的阳极、在该半绝缘衬底的下表面上制成的第一n型掺杂层、在该第一n型掺杂层上制成的p型掺杂层、在该p型掺杂层上制成的第二n型掺杂层、在该第二n型掺杂层上制成的阴极、朝向所述第一n型掺杂层竖直延伸且到达该第一n型掺杂层的一部分的多个凹槽、在该多个凹槽的底部和槽壁以及所述第二n型掺杂层上制成的绝缘层、以及在该多个凹槽的底部和槽壁上的绝缘层上制成的栅极和为确保该多个凹槽处的栅极彼此电连接而在位于所述第二n型掺杂层上的绝缘层的一部分上制成的栅极，其中阴极与栅极之间是电隔离的。
【专利说明】
-种绝缘栅型光电导开关
技术领域
[0001] 本发明设及半导体技术领域，具体而言设及一种新型光电导开关。
【背景技术】
[0002] 由超短脉冲激光触发的光电导开关(photoconductive semiconductor switch, 缩写PCSS)是一种低抖动、超宽带、抗电磁干扰的高功率开关器件，按照光生载流子是否雪 崩倍增分为两种工作模式一-线性模式和高倍增模式(也称非线性模式或锁定模式）。传统 的光电导开关由阳极、半绝缘衬底、阴极组成，所述半绝缘衬底通常是引入深能级杂质或缺 陷对低电阻率的半导体晶体进行高度补偿而获得的，如铁渗杂的氮化嫁(GaN:化)和饥渗杂 的碳化娃(SiC = V)D^GaN材料为例，需要渗入浓度高达10"cm-3W上的Fe杂质，才能使GaN晶 体的电阻率达到高阻水平，运样的GaN:Fe晶体才可W用作传统的光电导开关的半绝缘衬 底。但是由于难W避免地存在高浓度的深能级，传统的光电导开关的暗态电阻呈现明显地 非线性，W至于该开关的暗态漏电流随着直流偏置电压升高而显著增长，直至击穿。光电导 开关在直流电压偏置下的漏电流问题限制了它的直流耐压能力，由于光生载流子的平均漂 移速度通常正比于偏置电压，因此也限制了光电导开关输出的光电流峰值。
[0003] 此外，对于GaAsJnP材料制作的光电导开关，在高偏置电压下具有高倍增工作模 式。该工作模式的显著优点是：由于光生载流子发生雪崩倍增，不但可W弱光触发，而且所 得光电流脉冲的上升沿可远远快于触发光的上升沿，因此脉冲光源可W用成本低廉且便携 性好的激光二极管，而不是昂贵笨重的功率脉冲激光器。该GaAsJnP材料制作的光电导开 关的主要缺点是:进入高倍增工作模式后电流"锁定"，除非施加在半绝缘衬底上的偏置电 场能快速降低至高倍增所需的阔值电场W下，否则该开关不能在纳秒甚至微秒量级内自行 关断。
[0004] 对于上述的问题，现有的解决方案是：用占空比小的高压脉冲源作为光电导开关 的偏置电压源，例如马克斯(Marx)电路，可W抑制光电导开关的暗态漏电流，并且可W强制 GaAsJnP材料制作的光电导开关退出高倍增工作模式。但是，高压脉冲源通常含多个高功 率器件，且要考虑它们之间传输线阻抗匹配的困难，因此运样的系统具有成本高且便携性 较差的缺点，在需要高重复频率时运一缺点尤其明显。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种新型光电导开关，W改善上述的问题。
[0006] 本发明实施例提供了一种光电导开关器件，其包括:半绝缘衬底、该半绝缘衬底的 上表面上制成的阳极、在该半绝缘衬底的下表面上制成的第一 n型渗杂层、在该第一 n型渗 杂层上制成的P型渗杂层、在该P型渗杂层上制成的第二n型渗杂层、在该第二n型渗杂层上 制成的阴极、朝向所述第一 n型渗杂层竖直延伸且到达该第一 n型渗杂层的一部分的多个凹 槽、在该多个凹槽的底部和槽壁W及所述第二n型渗杂层上制成的绝缘层、W及在该多个凹 槽的底部和槽壁上的绝缘层上制成的栅极和为确保该多个凹槽处的栅极彼此电连接而在 位于所述第二n型渗杂层上的绝缘层的一部分上制成的栅极，其中阴极与栅极之间是电隔 离的，通过设计所述第一n型渗杂层、所述P型渗杂层和所述第二n型渗杂层的浓度和厚度参 数W确保所述第一 n型渗杂层和所述P型渗杂层之间形成的反向p-n结的空间电荷区随偏置 电压的增大而先扩展到所述的半绝缘衬底一侧，而不是先扩展到所述第二n型渗杂层。
[0007] 优选的，所述第二n型渗杂层上的阴极、绝缘层和栅极之间的位置关系是:所述阴 极在所述第二n型渗杂层的表面上，所述绝缘层在所述阴极的表面上，所述栅极在所述绝缘 层的表面上，此时所述凹槽是穿过所述阴极层、所述第二n型渗杂层和所述P型渗杂层W达 到所述第一 n型渗杂层的一部分内。
[0008] 优选的，所述第二n型渗杂层上的阴极、绝缘层和栅极之间的位置关系是:所述阴 极在所述第二n型渗杂层的一部分表面上，所述绝缘层在所述第二n型渗杂层的未被阴极覆 盖的表面上，所述栅极在所述绝缘层的表面上且与所述阴极之间有一定的间隔W确保电隔 离，此时所述凹槽是穿过所述第二n型渗杂层和所述P型渗杂层W达到所述第一 n型渗杂层 的一部分内。
[0009] 优选的，所述第一n型渗杂层、所述P型渗杂层、所述第二n型渗杂层、所述绝缘层和 所述栅极形成金属绝缘半导体场效应晶体管结构，其中每个金属绝缘半导体场效应晶体管 单元的栅极是布置在所述凹槽底部的所述栅极，多个金属绝缘半导体场效应晶体管单元是 电学并联关系。
[0010] 优选的，所述金属绝缘半导体场效应晶体管单元的个数、形状和排列方式的设计 要求为：1)有利于减小光电导开关的电流密度;2)所述多个MISFET单元的总的沟道漏电流 小;3)便于后续的封装工艺。
[0011] 优选的，第一n型渗杂层和P型渗杂层之间的反向p-n结的击穿电压阔值为所述光 电导开关器件的额定直流偏置电压的0.1-0.9倍之间的任意值。
[0012] 有益效果:本发明的新型光电导开关改善了传统的光电导开关的直流暗态漏电流 大的问题，因此与具有相同衬底的传统的纵向型光电导开关相比，其直流耐压更高且其光 电流脉冲峰值更高。此外，本发明的光电导开关改善了 WGaAsJnP材料制作的传统光电导 开关在直流偏置下的电流锁定问题。因为本发明的新型光电导开关无需使用高压脉冲电 源，例如马克斯电路，所W其具有系统成本低、易便携和重复工作频率高的优点。
【附图说明】
[0013] 图1是本发明的新型光电导开关器件结构的一个示例性的局部剖面图；
[0014] 图2是示意性示出多个凹槽的布局及其电连接关系的一个实施例的图案；
[0015] 图3是示意性示出多个凹槽的布局及其电连接关系的另一个实施例的图案；
[0016] 图4是一种合理的触发信号时序；
[0017] 图5是另一种合理的触发信号时序；
[0018] 图6是脉冲激光从本发明的开关器件的阳极面入射的示意图；
[0019] 图7是脉冲激光从本发明的开关器件的半绝缘衬底的侧面入射的示意图。
[0020] 图中，1-阳极，2-阴极，3-栅极，4-绝缘层，6-半绝缘衬底（即激光触发区），7-栅极 触发区，9-脉冲激光，12-n型渗杂层，13-P型渗杂层，14-n型渗杂层。
【具体实施方式】
[0021] 下面将结合本发明的附图和具体实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地 描述。
[0022] 图1是本发明的光电导开关器件结构的剖视图。如图1所示，本发明提供的光电导 开关器件包括:半绝缘衬底6、该半绝缘衬底6的上表面上制成的阳极1、在该半绝缘衬底6的 下表面上制成的n型渗杂层12、在该n型渗杂层12上制成的P型渗杂层13、在该P型渗杂层13 上制成的n型渗杂层14、在n型渗杂层14上制成的阴极2、朝向n型渗杂层12竖直延伸且到达 该n型渗杂层12的一部分的多个凹槽、在该多个凹槽的底部和槽壁W及n型渗杂层14上制成 的绝缘层4、W及在该多个凹槽的底部和槽壁上的绝缘层4上制成的栅极3和为确保该多个 凹槽处的栅极3彼此电连接而在位于n型渗杂层14上的绝缘层4的一部分上制成的栅极3,其 中阴极2与栅极3之间是电隔离的。
[0023] 另外，通过设计所述第一 n型渗杂层、所述P型渗杂层和所述第二n型渗杂层的浓度 和厚度参数W确保所述第一 n型渗杂层和所述P型渗杂层之间形成的反向p-n结的空间电荷 区随偏置电压的增大而先扩展到所述的半绝缘衬底一侧，而不是先扩展到所述第二n型渗 杂层。
[0024] 在一个实施例中，n型渗杂层14上的阴极2、绝缘层4和栅极3之间的位置关系是：阴 极2在n型渗杂层14的局部表面上，绝缘层4在阴极2的局部表面上，栅极3在绝缘层4的表面 上。在运种情况下，凹槽是穿过阴极2、n型渗杂层14和P型渗杂层13W达到n型渗杂层12的一 部分内；由于凹槽的底部和槽壁上都覆盖了绝缘层4,所W阴极2与栅极3之间是电隔离的。
[0025] 在另一个实施例中，n型渗杂层14上的阴极2、绝缘层4和栅极3之间的位置关系是： 阴极2在n型渗杂层14的一部分表面上，绝缘层4在n型渗杂层14的未被阴极2覆盖的表面上， 栅极3在绝缘层4的表面上且与阴极2之间有一定的间隔W确保电隔离。在运种情况下，凹槽 是穿过n型渗杂层14和P型渗杂层13W达到n型渗杂层12的一部分内。
[0026] 通常，激光从阳极面入射或是从半绝缘衬底的侧面入射，例如图6和7所示，会在半 绝缘衬底内产生光生电子-空穴对，因此半绝缘衬底6在运里也可W称为激光触发区6。因为 在工作中，实施的栅极电压会触发n型渗杂层12、p型渗杂层13和n型渗杂层14的电子或空穴 活动，所Wn型渗杂层12、p型渗杂层13和n型渗杂层14在运里也可W合并称为栅极触发区7。
[0027] 所述多个凹槽是用刻蚀工艺从n型渗杂层14朝向n型渗杂层12的方向进行刻蚀而 成的。该多个凹槽的每一个的剖面形状为"V"字或"U"字，即V型槽或者U型槽。上述的为确保 多个凹槽处的栅极3彼此电连接而在位于n型渗杂层14上的绝缘层4的一部分上制成的栅极 3的结构可W采用本领域公知的任何电连接方式，例如图2和3分别示意性所示的多个凹槽 的布局和彼此电连接方式的一个实例的图案。
[00%]所述n型渗杂层12、p型渗杂层13、n型渗杂层14、绝缘层4和栅极3形成n型沟道的金 属绝缘半导体场效应晶体管(MISFET)结构，包含布置在一个凹槽内的栅极3的MISFET结构 为一个MISFET单元。从普通MISFET器件的源极和漏极命名规则可知，与n型沟道的高电位端 相连的渗杂层12可视为该MISFET结构的漏极，因此各个MISFET单元的漏极是相互电连接。 与沟道的低电位端相连的渗杂层14可视为MISFET结构的源极。栅极3可视为MISFET结构的 栅极。运样，因为多个MISFET单元的源极、漏极和栅极都是各自电连接在一起，所W多个 MISFET单元是电学并联关系，其优点是通态电阻很小，在高压应用中MISFET单元上的通态 压降可W忽略不计。该多个MISFET单元的整体结构的等效电路为一个理想的n沟道MISFET 元件。另外，优选的，所述多个MISFET单元的个数、形状和排列方式（即凹槽的个数、形状和 排列方式)的设计原则为：1)有利于减小光电导开关的电流密度;2)所述多个MISFET单元的 总的沟道漏电流小;3)便于后续的封装工艺。
[0029] 可W采用公知的材料制作阳极1。当激励光电导开关器件的激光波长小于半绝缘 衬底材料的本征吸收限时，因为光吸收深度小，激光应从阳极面入射，此时适合使用透明且 导电的氧化铜锡等已知材料作为阳极；当激光波长大于半绝缘衬底材料的本征吸收限时， 因光吸收深度大，激光应从半绝缘衬底的侧面入射，此时可W使用普通金属作为阳极，而不 限于透明且导电的材料。可W采用公知的瓣射法、CV的去等来制作。
[0030] 所述n型渗杂层12、p型渗杂层13和n型渗杂层14可W通过外延生长法制作，当然也 可W使用其它工艺。
[0031] 可W采用公知的材料制作绝缘层4,例如可W使用致密的氧化娃（Si〇2)、氮化娃 (Si3N4)等材料。可W采用公知的沉积法或涂覆法等来制作。
[0032] 可W采用公知的金属材料制作栅极3,例如可W使用侣(Al)、儀(Ni)、金(Au)、铜 (化)等。可W采用公知的瓣射法、CV的去等来制作。
[0033] 可W采用公知的金属材料制作阴极2,例如侣(Al)、金(Au)、铜(化)等。可W采用公 知的瓣射法、CV的去等来制作。
[0034] 在实践中，通过合理设计各渗杂层(渗杂层12、13和14)的浓度和厚度等参数，W确 保渗杂层12和13之间形成的反向p-n结的空间电荷区随偏置电压的增大而先扩展到激光触 发区6-侧，而不是先扩展到渗杂层14,因此该反向p-n结等效为一个稳压二极管，其击穿电 压阔值(Vth)可W被设计为在该光电导开关的额定直流偏置电压的0.1-0.9倍之间的任意 值。尽管在渗杂层13和14之间还存在一个正向p-n结，但其引起的电压降很小，可W忽略不 计。渗杂层13、14、15的电阻都很小，引起的电压降可W忽略。因此，当该光电导开关外加偏 置电压大于击穿电压阔值Vth时，栅极触发区7的电压近似为常数Vth。
[0035] 本发明的新型光电导开关的工作过程包括W下步骤：
[0036] 1)在静态时（即激光触发信号尚未入射到所述开关器件时），激光触发区6和栅极 触发区7共同承受外加直流偏置电压Us,其中栅极触发区7的电压为Vth,所W激光触发区6的 电压为化S-Vth),该值可略小于其半绝缘衬底最大直流耐压。如前所述，半绝缘衬底的电阻 率是非线性的，电压越大，电阻率越小，则激光触发区6的电阻为自身电压的函数，表示为R (U)，因此在上述静态时的光电导开关漏电流夫
小于由相同衬底制作且相同直流 偏置电压下的传统光电导开关的暗态漏电流
[0037] 2)当正电压信号施加到栅极时，使MISFET单元的沟道在纳秒量级时间内开通，渗 杂层14的电子可W通过沟道流向渗杂层12,即栅极触发区7被开通，原来栅极触发区7上承 受的电压被转移给激光触发区6，使激光触发区6开始动态地承受可能高于自身直流耐压能 力的高压Us。本领域技术人员都知道，半导体可W承受大于自身直流最大耐压几倍大的瞬 态高压Us。然后，在激光触发区6发生高压电击穿之前，开始下面的步骤3。
[0038] 3)用脉冲激光9照射激光触发区6产生光生电子-空穴对，电子-空穴对在电场作用 下分离，分别向阳极和阴极方向运动，激光触发区6被开通。至此光电导开关器件被开通，对 外输出光电流。
[0039] 4)当停止施加激励信号(脉冲激光和栅极电压），激光触发区6中的非平衡载流子 会因被电极吸收和复合而消失，从而衬底恢复高阻状态；用零电压或负电压信号施加至栅 极使MISFET单元的导电沟道在纳秒(ns)量级的短时间内关闭，从而渗杂层12和13之间的P-n结恢复反向击穿状态。此时激光触发区6和栅极触发区7都被关断，光电导开关恢复到前述 的静态期。
[0040] 本发明的新型光电导开关的信号时序，仅要求确保栅极触发区7先于激光触发区6 被开通。因此信号存在两种可能的时序去关断本发明的开关，分别如图4和图5所示。
[0041] 图4是触发信号的一个工作时序图，虚线代表栅极电压，实线代表激光脉冲波形， 点划线代表在激光触发区6内的非平衡载流子数目，ti代表光电导开关输出电流脉冲的起 始时刻，t2代表光电导开关电流脉冲的结束时刻。该时序适用于光电导开关的线性工作模 式。激光停止照射后，光生载流子因复合和电极吸收而很快消失，从而衬底恢复高阻状态， 至此光电导开关输出电流趋于零。然后，用零电压或负电压信号施加至栅极W使MISFET单 元的导电沟道在ns量级的短时间内关闭，从而渗杂层12和13之间的p-n结恢复反向击穿状 态，栅极触发区7被关断。
[0042] 图5是触发信号的另一个工作时序图，虚线代表栅极电压，实线代表激光脉冲波 形，点划线代表激光触发区6内非平衡载流子数目，ti代表光电导开关输出电流脉冲的起始 时刻，t2代表光电导开关输出电流脉冲的结束时刻。该时序适用于光电导开关的非线性工 作模式。激光停止照射后，半绝缘衬底中载流子雪崩倍增仍在继续，使得激光触发区6不能 自行关断。用零电压或负电压信号施加至栅极W使MISFET单元的导电沟道在ns量级的短时 间内关闭，在此过程中激光触发区6的电压快速向栅极触发区7转移。当激光触发区6的电场 降至高倍增模式所需的阔值电压W下时，激光触发区6会退出高倍增工作模式并逐渐恢复 高阻状态。
[0043] 本发明实施例的新型光电导开关器件的有益效果是:本发明的新型光电导开关改 善了传统的光电导开关的直流暗态漏电流大的问题，因此与具有相同衬底的传统的光电导 开关相比，其直流耐压更高且其光电流脉冲峰值更高。此外，本发明的光电导开关改善了 W GaAsJnP材料制作的传统光电导开关在直流偏置下的电流锁定问题。因为本发明的新型光 电导开关无需使用高压脉冲电源，例如马克斯电路，所W其具有系统成本低、易便携和重复 工作频率高的优点。
[0044] 可W采用公知的半导体工艺来制作本发明的新型光电导开关器件，本领域的技术 人员在阅读本发明说明书并清楚地了解了光电导开关器件的上述结构之后，可W采用公知 的半导体工艺制作出该光电导开关器件，因此运里不再过多描述其制作步骤。
[0045] 下面通过具体实例来进一步描述本发明。
[0046] 用HV阳法在蓝宝石基底上生长直径为2英寸、厚度(D)为600-4000WH、暗态电阻率 大于IX IO8Q ? cm的半绝缘GaN = Fe衬底。为了避免电流集中，n型渗杂层12由厚度为1.5-化 m、浓度为1 X IQiS-I X l〇i8cnf3的重渗杂n型外延层和在其上生长的厚度为0.5-15WH、浓度为 I X l〇U-l X l〇i6cnf3的轻渗杂n型外延层组成。P型渗杂层13的厚度为10-200皿，浓度为I X 1〇14-1 X 10"cm-3。!!型渗杂层14的厚度为0.1-3皿，浓度为1 X 1〇15-1 X 1〇21畑1-3。反向p-n结的 击穿电压阔值Vth，其范围应在20-2 X 104V。按图2所示，用常规的纵向型MISFET工艺制作例 如I-IO4个U型n沟道MISFET单元，其中凹槽刻蚀深度至进入n型渗杂层12内1-15WH，绝缘层 材料为Si3N4,淀积厚度为1-15WI1。
[0047] 测试用激光来自Q开关锭侣石恼石激光器，激光脉宽为1ns，波长为532皿。激光照 射光电导开关的方式如图7所示。光纤每根直径为0.5mm，分为11束安装在光电导开关的左 右两侧，互相W交叉指方向相对，可W使光电流较为均匀地分布，提高器件通流能力。
[0048] 设置外加直流偏置电压Us为Vth的两倍（即半绝缘衬底层上的直流偏置电压也为 Vth)。触发信号的时序如图4所示。用MISFET功率器件的常规驱动电路获得IOV栅极触发电压 信号，上升沿为20ns，下降沿为30ns，脉宽为80ns。激光器在MISFET单元开通后发出能量为 SmJ的一个激光脉冲。因为所用激光器的脉宽仅Ins，且GaN: Fe载流子寿命仅亚纳秒数量级， 所W本发明的新型光电导开关的输出电脉冲波形与激光波形近似，脉宽略有展宽。根据GaN 的速-场特性曲线可知，在偏置电场小于150kV/cm的范围内，光生载流子平均漂移速度近似 正比于半绝缘衬底层的偏置电场。因此在满足化s/D)<150kV/cm关系式时，Us越大，则本实 施例的光电流脉冲的峰值就越大。
[0049] 用同样的半绝缘GaN:化晶圆制作一个传统的纵向型光电导开关，与本发明的新型 光电导开关作对比测试。在二者外加直流偏置电压相等时，该传统的光电导开关的暗态漏 电流比本发明的新型光电导开关在静态时漏电流大1倍及W上。在二者的半绝缘衬底层直 流偏置电场相等且小于150kV/cm时，该传统的光电导开关的光电流峰值比本发明的新型光 电导开关的光电流峰值小1倍左右。
[0050] W上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明掲露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应W所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1. 一种光电导开关器件，其包括:半绝缘衬底、该半绝缘衬底的上表面上制成的阳极、 在该半绝缘衬底的下表面上制成的第一 η型掺杂层、在该第一 η型掺杂层上制成的p型掺杂 层、在该Ρ型掺杂层上制成的第二η型掺杂层、在该第二η型掺杂层上制成的阴极、朝向所述 第一 η型掺杂层竖直延伸且到达该第一 η型掺杂层的一部分的多个凹槽、在该多个凹槽的底 部和槽壁以及所述第二η型掺杂层上制成的绝缘层、以及在该多个凹槽的底部和槽壁上的 绝缘层上制成的栅极和为确保该多个凹槽处的栅极彼此电连接而在位于所述第二η型掺杂 层上的绝缘层的一部分上制成的栅极，其中阴极与栅极之间是电隔离的，通过设计所述第 一 η型掺杂层、所述Ρ型掺杂层和所述第二η型掺杂层的浓度和厚度参数以确保所述第一 η型 掺杂层和所述Ρ型掺杂层之间形成的反向ρ-η结的空间电荷区随偏置电压的增大而先扩展 到所述的半绝缘衬底一侧，而不是先扩展到所述第二η型掺杂层。2. 根据权利要求1所述的光电导开关器件，其特征在于，所述第二η型掺杂层上的阴极、 绝缘层和栅极之间的位置关系是:所述阴极在所述第二η型掺杂层的表面上，所述绝缘层在 所述阴极的表面上，所述栅极在所述绝缘层的表面上，此时所述凹槽是穿过所述阴极层、所 述第二η型掺杂层和所述ρ型掺杂层以达到所述第一 η型掺杂层的一部分内。3. 根据权利要求1所述的光电导开关器件，其特征在于，所述第二η型掺杂层上的阴极、 绝缘层和栅极之间的位置关系是:所述阴极在所述第二η型掺杂层的一部分表面上，所述绝 缘层在所述第二η型掺杂层的未被阴极覆盖的表面上，所述栅极在所述绝缘层的表面上且 与所述阴极之间有一定的间隔以确保电隔离，此时所述凹槽是穿过所述第二η型掺杂层和 所述Ρ型掺杂层以达到所述第一 η型掺杂层的一部分内。4. 根据权利要求1所述的光电导开关器件，其特征在于，所述第一 η型掺杂层、所述ρ型 掺杂层、所述第二η型掺杂层、所述绝缘层和所述栅极形成金属绝缘半导体场效应晶体管结 构，其中每个金属绝缘半导体场效应晶体管单元的栅极是布置在所述凹槽底部的所述栅 极，多个金属绝缘半导体场效应晶体管单元是电学并联关系。5. 根据权利要求4所述的光电导开关器件，其特征在于，所述金属绝缘半导体场效应晶 体管单元的个数、形状和排列方式的设计要求为：1)有利于减小光电导开关的电流密度;2) 所述多个MISFET单元的总的沟道漏电流小;3)便于后续的封装工艺。6. 根据权利要求1所述的光电导开关器件，其特征在于，第一 η型掺杂层和ρ型掺杂层之 间的反向Ρ-η结的击穿电压阈值为所述光电导开关器件的额定直流偏置电压的0.1-0.9倍 之间的任意值。
【文档编号】H01L31/113GK105826406SQ201610161024
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月21日
【发明人】王馨梅, 苏迪普·凯·马祖姆德, 施卫
【申请人】西安理工大学, 伊利诺伊大学董事会