一种氧化物晶体管的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种氧化物晶体管的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极层；在栅极层上形成二氧化硅层；在二氧化硅层上溅射氧化铟锡膜；涂正性光刻胶在氧化铟锡膜上光刻和刻蚀；剥离正性光刻胶；涂负性光刻胶在衬底背面曝光；在氧化铟锡膜上显影；剥离负性光刻胶；在氧化铟锡膜上同时溅射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜；涂正性光刻胶在氧化物晶体管薄膜和缓冲膜上显影；在氧化物晶体管薄膜和缓冲膜上刻蚀；剥离正性光刻胶；对接触过孔光刻和刻蚀；在源极层和漏极层上形成金属电极。本发明栅极层和源极层间的电场、栅极层和漏极层间的电场不受氧化物晶体管薄膜的影响，栅极层和源极层间的电容、栅极层和漏极层间的电容的偏差大问题得到解决。
【专利说明】
-种氧化物晶体管的制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及半导体技术领域，具体而言，设及一种氧化物晶体管的制造方法。
【背景技术】
[0002] 氧化物晶体管在制造的过程中，通常把刻蚀防止膜制造为si〇2单膜或SiN ysi〇2 双层膜结构。但是氧气等离子体在锻膜过程中，氧化物晶体管薄膜会受到影响，而且氨气流 入氧化物晶体管薄膜的可能性很高。同时，氧化物晶体管薄膜的栅极层和源极层、栅极层和 漏极层之间的电压是负电压的时候，即栅极层电压比源极层和漏极层电压低的情况下，阔 值电压变化的问题很严重。人们提出了一种栅极层和源极层之间的电压、栅极层和漏极层 之间的电压不受氧化物晶体管薄膜影响的氧化物晶体管结构，虽然运种样氧化物晶体管结 构使阔值电压变化的问题得到解决，但是运种氧化物晶体管结构会导致栅极层和源极层之 间的电容、栅极层和漏极层之间的电容的偏差大。
【发明内容】
[0003] 为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种能解决寄生电容偏差问题的氧化物 晶体管的制造方法。
[0004] 本发明提供了一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，包括W下步骤： 阳0化]步骤1，在衬底上形成栅极层；
[0006] 步骤2,在所述栅极层上形成二氧化娃层；
[0007] 步骤3,在所述二氧化娃层的上方瓣射氧化铜锡膜；
[0008] 步骤4,涂抹正性光刻胶，并在所述氧化铜锡膜上进行光刻；
[0009] 步骤5,在所述氧化铜锡膜上进行刻蚀；
[0010] 步骤6,剥离正性光刻胶；
[0011] 步骤7,涂抹负性光刻胶，并在所述衬底的背面进行曝光；
[0012] 步骤8,在所述氧化铜锡膜上显影；
[0013] 步骤9,剥离负性光刻胶；
[0014] 步骤10,在所述氧化铜锡膜上同时瓣射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜；
[0015] 步骤11，涂抹正性光刻胶，并在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上显影；
[0016] 步骤12,在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上进行刻蚀；
[0017] 步骤13,剥离正性光刻胶；
[0018] 步骤14,对接触过孔进行光刻和刻蚀；
[0019] 步骤15,在源极层和漏极层上形成金属电极。
[0020] 作为本发明进一步的改进，所述氧化铜锡膜为结晶膜。
[0021] 优选的，所述氧化铜锡膜的厚度为2〇oA。 W22] 作为本发明进一步的改进，所述氧化铜锡膜和所述栅极层的重叠长度为 0. 5 Um ~1 urn。
[0023] 作为本发明进一步的改进，所述缓冲膜为氧化铁膜或氧化侣膜。
[0024] 本发明的有益效果为：栅极层和源极层之间的电场、栅极层和漏极层之间的电场 不受氧化物晶体管薄膜的影响，栅极层和源极层之间的电容、栅极层和漏极层之间的电容 的偏差大问题得到解决。
【附图说明】
[00巧]图1为本发明的一种氧化物晶体管的结构图。
[0026] 图2为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤1的示意图。
[0027] 图3为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤2的示意图。
[0028] 图4为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤3的示意图。
[0029] 图5为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤4的示意图。
[0030] 图6为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤5的示意图。
[0031] 图7为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤6的示意图。
[0032] 图8为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤7的示意图。
[0033] 图9为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤8的示意图。
[0034] 图10为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤9的示意图。
[0035] 图11为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤10的示意图。
[0036] 图12为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤11的示意图。
[0037] 图13为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤12的示意图。
[003引图14为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤13的示意图。
[0039] 图15为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤14的示意图。 W40] 图16为本发明的一种氧化物晶体管制造方法中步骤15的示意图。
[0041] 图中，
[0042] 1、衬底；2、二氧化娃层；3、栅极层；4、氧化铜锡膜；5、氧化物晶体管薄膜；6、缓冲 膜；7、接触过孔；8、负性光刻胶；9、金属电极；10、正性光刻胶。
【具体实施方式】
[0043] 下面通过具体的实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。 W44] 如图1为本发明实施例一种氧化物晶体管。
[0045] 图2-图16为本发明实施例一种氧化物晶体管制造方法，包括W下步骤：
[0046] 步骤1，在衬底上形成栅极层；
[0047] 步骤2,在所述栅极层上形成二氧化娃层；
[0048] 步骤3,在所述二氧化娃层的上方瓣射氧化铜锡膜；
[0049] 步骤4,涂抹正性光刻胶，并在所述氧化铜锡膜上进行光刻；
[0050] 步骤5,在所述氧化铜锡膜上进行刻蚀；
[0051] 步骤6,剥离正性光刻胶；
[0052] 步骤7,涂抹负性光刻胶，并在所述衬底的背面进行曝光；
[0053] 步骤8,在所述氧化铜锡膜上显影；
[0054] 步骤9,剥离负性光刻胶；
[0055] 步骤10,在所述氧化铜锡膜上同时瓣射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜；
[0056] 步骤11，涂抹正性光刻胶，并在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上显影；
[0057] 步骤12,在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上进行刻蚀；
[0058] 步骤13,剥离正性光刻胶；
[0059] 步骤14,对接触过孔进行光刻和刻蚀；
[0060] 步骤15,在源极层和漏极层上形成金属电极。
[0061] 本实施例中，氧化铜锡膜为高溫形成的结晶膜，氧化铜锡膜的厚度为200A，氧化 铜锡膜和所述栅极层的重叠长度为0. 5 y m~1 y m，缓冲膜为氧化铁膜或氧化侣膜。
[0062] W上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可W有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，包括W下步骤： 步骤1，在衬底上形成栅极层； 步骤2,在所述栅极层上形成二氧化娃层； 步骤3,在所述二氧化娃层的上方瓣射氧化铜锡膜； 步骤4,涂抹正性光刻胶，并在所述氧化铜锡膜上进行光刻； 步骤5,在所述氧化铜锡膜上进行刻蚀； 步骤6,剥离正性光刻胶； 步骤7,涂抹负性光刻胶，并在所述衬底的背面进行曝光； 步骤8,在所述氧化铜锡膜上显影； 步骤9,剥离负性光刻胶； 步骤10,在所述氧化铜锡膜上同时瓣射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜； 步骤11，涂抹正性光刻胶，并在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上显影； 步骤12,在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上进行刻蚀； 步骤13,剥离正性光刻胶； 步骤14,对接触过孔进行光刻和刻蚀； 步骤15,在源极层和漏极层上形成金属电极。2. 根据权利要求1所述的一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化铜锡 膜为结晶膜。3. 根据权利要求1或2所述的一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化铜 锡膜的厚度为200A。4. 根据权利要求1所述的一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化铜锡 膜和所述栅极层的重叠长度为0. 5 μ m~1 μ m。5. 根据权利要求1所述的一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，所述缓冲膜为 氧化铁膜或氧化侣膜。
【文档编号】H01L21/34GK105845580SQ201510024459
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年1月17日
【发明人】李昌熙
【申请人】上海善星实业有限公司