SD与Gate间接触电阻小于ITO层与源漏金属层间电阻，在膜层间电阻增大的基础上，通过PVX过孔增加纵向电阻负载，能够使得GND保护电路的整体电阻增大，消耗ESD产生的电荷的能力提尚，有利于提尚GND保护电路的整体电阻值。
[0040]在本实用新型一些实施例中，如图2所示，阵列基板201上设有第一导电图形202、第二导电图形203、所述第二导电图形203包括多个间隔设置的第二导电线段2031，所述第二导电线段2031对应相邻第一导电线段2021之间的间隙设置。
[0041]图1所示的实施例，相当于将第一导电图形和第二导电图形并联连接。而图2所示的实施例，相当于将第一导电图形和第二导电图形串联连接，进一步增加了 GND保护电路的总电阻。与现有技术中的GND保护电路相比，本实用新型实施例的GND保护电路采用了电阻串联和过孔连接结合的方式，通过电阻串联增加了电阻，而过孔处电阻较大，进一步增加了整个GND保护电路的电阻。
[0042]在本实用新型一些实施例中，参照图3所示的导电图形一个导线单元结构图，所述第一导电线段1021的宽度与所述第二导电图形103的宽度不同。导电图形由多个图3所示的导线单元连接而成。
[0043]在本实用新型一些实施例中，所述第二导电图形的宽度小于第一导电线段的宽度。具体的，所述第二导电图形的宽度为第一导电线段宽度的一半。
[0044]在本实用新型一些实施例中，所述第一导电线段的长度大于第一导电线段之间间隙的长度。
[0045]现有技术中，GND保护电路的线宽往往是一致的，本实用新型一种实施例所采用的GND保护电路，仍然参照图3，第一导电线段1021的宽度为第二导电图形103宽度的二倍；第一导电线段1021的长度是第一导电线段之间间隙长度的二倍。采用这种设计，有利于在电路的不同部位产生大小不同的电阻，相比现有技术中线路粗细均匀、电阻均匀分布的方案，本实施例能够更好的产生压降、释放静电。
[0046]本实用新型实施例所提供的导电图形的等效电路图如图5所示，根据电阻率计算公式R = L/SXr，若第一导电线段的宽度为第二导电图形宽度的二倍，第一导电线段的长度与第一导电线段之间间隙长度相等，第一导电线段的宽度为现有技术中导电图形中线宽，膜厚不变，则可以得出:R3 = 2R1 ;R2为图3所示导电图形宽边等效电阻/2 ;
[0047]在位置501 处:电阻 R = (2R3+2R4) X (2R3+2R4)/2X (2R3+2R4) = R3+R4 =5.6R1 ；
[0048]在位置502处:电阻R = 5.4R1 ;位置507处的电阻与位置502处相等；
[0049]在位置503处:电阻R = 3.75R1 ;位置503处的电阻与位置506处相等；
[0050]在位置504处:电阻R = 1.82R1 ;位置505处的电阻与位置504处相等；
[0051]其中R3为导电图形短边等效电阻/2 ;R4为导电图形长边等效电阻/2，根据基板长边与短边之比为1.8计算。
[0052]若第一导电线段的宽度为第二导电图形宽度的二倍，第一导电线段的长度是第一导电线段之间间隙长度的二倍，第一导电线段的宽度为现有技术中导电图形中线宽，则可以得出:R5 = 4R1，R5为导电图形短边等效电阻/2 ;电阻值为初始值的4倍。若参照图5所示的等效电路图，在电阻最小的位置504和505处:
[0053]电阻R = 3.64R1。
[0054]在本实用新型一些实施例中，所述绝缘层为PVX钝化层。
[0055]PVX钝化层过孔处电阻阻值较大，能够有效增加导电图形的整体电阻值。同时，在导电图形线宽一致的情况下，通过设置PVX过孔还能够在导电图形中不同位置形成不同的电阻率，有利于产生压降、释放静电。
[0056]同时，本实用新型提供一种显示面板，包括本实用新型任意一项实施例所述的阵列基板。
[0057]进一步，本实用新型提供一种显示装置，包括本实用新型任意一项实施例所提供的阵列基板。
[0058]从上面所述可以看出，本实用新型提供的阵列基板、显示面板及显示装置，具有设置于阵列基板周边的特殊导电图形，该导电图形具有至少两层导电物质，这两层导电物质之间通过过孔形成电连接，由于两个膜层形成电连接的过孔处电阻较大，使得整个导电图形具有较大的电阻，从而能够具有更好的静电防护作用，达到了防止ESD损伤的技术效果，解决了产品信赖性中ESD测试NG的技术问题。本实用新型通过利用膜层间电阻差异，达到了在设置导电图形的基础上进一步增加接触电阻，加之过孔处电阻较大，进而解决了因导电图形的导线电阻过小，无法抵御ESD的技术问题。
[0059]此外，本实用新型实施例提供的阵列基板，利用透明导电层以及源漏金属层、或透明导电层以及栅金属层作为导电图形的膜层物质，能够利用显示面板本身的膜层，无需新增膜层，同时能够在显示面板中的膜层形成的过程中同时形成导电图形的膜层，从而具有较为简单的制造工艺。本实用新型不用增加任何多余Mask，不用改变膜层厚度，不用增加工序，不会降低产能，达到了抗击ESD的效果本实用新型通过对ESD损伤机理的分析，确认了改善ESD的方法并提出了改善方案。
[0060]应当理解，本说明书所描述的多个实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0061]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括组成GND保护电路的第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括多个间隔设置的第一导电线段，相邻第一导电线段之间通过第二导电图形相连接，所述第一导电线段与所述第二导电图形之间间隔有绝缘层，所述第一导电线段和所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层的过孔连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电线段为采用透明导电层形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形为采用源漏金属层或栅金属层形成。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形包括多个间隔设置的第二导电线段，所述第二导电线段对应相邻第一导电线段之间的间隙设置。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电线段的宽度与所述第二导电图形的宽度不同。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形的宽度为第一导电线段宽度的一半。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电线段的长度大于第一导电线段之间间隙的长度。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为钝化层。9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板，包括组成GND保护电路的第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括多个间隔设置的第一导电线段，相邻第一导电线段之间通过第二导电图形相连接，所述第一导电线段与所述第二导电图形之间间隔有绝缘层，所述第一导电线段和所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层的过孔连接。同时，本实用新型提供一种显示面板，包括本实用新型任意一项实施例所提供的阵列基板。进一步，本实用新型还提供一种显示装置，包括本实用新型任意一项实施例所提供的阵列基板。
【IPC分类】H01L27/12, G09G3/20, H01L23/60
【公开号】CN204905256
【申请号】CN201520714663
【发明人】徐敬义, 杨波, 任艳伟, 刘宇, 赵欣, 赵艳艳, 赵二鹏, 王志强, 张伟
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月15日