设备(ATE)255可被使用并可以被耦合到电阻补偿电路240和半导体电阻器220a-220n中的至少一个半导体电阻器，其中每个电阻器表示为高精度压电不敏感的电阻器(HPIR) ^TE255可以测量在给定半导体电阻器中的不同的电阻性区域，以评估电阻性补偿值，如果需要，则将电阻性补偿值存储在存储器中，因而在最佳情况下降低或消除由于XY平面应力引起的电阻变化。此工艺可以针对不同的温度值进行重复。
[0052]在测试期间，可以针对一些值计算电阻补偿曲线，因此电阻补偿电路240可以例如随时间推移而从存储的补偿值开始计算所需温度的补偿值，例如通过插值法。温度测试可以例如使用探测设备(晶片探测器)的热卡盘(板)来执行。ATE 255可以测量由IC 210a承载的一个半导体电阻器220a-220n或每个半导体电阻器。
[0053]在一些实施例中(图11)，半导体电阻器220e可以布置在器件210a和另一器件210b之间的划片线内部，例如类似于通常在参数测试期间被测量的测试元件组(TEG)结构。例如，可以测量在给定晶片上的TEG，以便为每个IC中的每个半导体电阻器的工艺失配提供校正，例如使用自适应算法。电阻补偿电路240可以微调半导体电阻器的不同组。
[0054]然后，可以在晶片测试(EWS，电子晶片分类)层级执行XY平面应力的补偿，该补偿执行于封装体内的IC的最终测试(FT)层级，因而提高质量与可靠性。
[0055]在另一个实施例中(未示出)，处理器41可以在IClO外部作为另一 1C，例如专用IC(ASIC)耦合到至少一个IC 10，如在系统级封装(SiP)中，然后与至少一个IC 10有关的补偿值可以存储在此ASIC中。
[0056]方法方面涉及一种补偿集成电路(IC)1中的电阻的方法。该方法包括使用在半导体衬底11上的电阻补偿电路40，以在与半导体电阻器20的第一电阻性区域22相关联的调节元件25处产生电压，从而基于测得的初始电阻调节第一电阻性区域的工作电阻。第一电阻性区域22在阱21中并具有L形和第二导电性类型。阱21在半导体衬底11中并具有第一导电性类型。
[0057]尽管本文已经用示例性半导体电阻器配置描述了集成电路的几个实施例，但应当理解的是，可以有任意数量的半导体电阻器，包括仅一个，和/或任意数量的配置包括任意数量的不同类型或相同类型的半导体电阻器。
[0058]在受益于前面的描述和相关附图之后，本领域技术人员将理解本实用新型的许多修改和其它实施例。因此，应当理解，本实用新型不限于所公开的具体实施例，而是旨在于将修改和实施例都包含在所附权利要求的范围内。
【主权项】
1.一种集成电路，包括: 半导体衬底； 半导体电阻器，包括 在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱， 在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以及 与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及 电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并且被配置为 测量所述第一电阻性区域的初始电阻，以及 基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压，以调节所述第一电阻性区域的工作电阻。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述半导体电阻器进一步包括在所述半导体衬底中的第二电阻性区域，所述第二电阻性区域邻近所述阱、具有所述第一导电性类型、具有L形并且被耦合到所述第一电阻性区域。3.根据权利要求2所述的集成电路，进一步包括测试元件，所述测试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间。4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及 在所述绝缘层之上的导电层。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述第一电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及 在所述绝缘层之上的导电层。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述阱中的掺杂区域，所述掺杂区域具有所述第一导电性类型并具有比所述阱更高的掺杂浓度；以及 被耦合到所述掺杂区域的接触件。7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括在所述半导体衬底上并且被耦合到所述电阻补偿电路的温度传感器;并且其中所述电阻补偿电路被配置为基于所述温度传感器在所述调节元件处产生所述电压。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电阻补偿电路包括处理器和与所述处理器耦合的存储器;其中所述存储器被配置为存储至少一个电阻补偿值。9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电阻性区域具有蜿蜒的形状。10.—种集成电路，包括: 半导体衬底； 多个半导体电阻器，每个半导体电阻器包括 在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱， 在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以及 与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及 温度传感器，在所述半导体衬底上；电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并被耦合至所述温度传感器，所述电阻补偿电路被配置为 测量每个第一电阻性区域的初始电阻，以及 基于测得的初始电阻和所述温度传感器在所述调节元件处产生电压，以调节每个第一电阻性区域的工作电阻。11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述多个半导体电阻器中的每一个半导体电阻器进一步包括在所述半导体衬底中的第二电阻性区域，所述第二电阻性区域邻近所述阱、具有所述第一导电性类型、具有L形并且被耦合到所述第一电阻性区域。12.根据权利要求11所述的集成电路，进一步包括测试元件，所述测试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间。13.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及 在所述绝缘层之上的导电层。14.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述第一电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及 在所述绝缘层之上的导电层。15.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述调节元件包括: 在所述阱中的掺杂区域，所述掺杂区域具有所述第一导电性类型并具有比所述阱更高的掺杂浓度；以及 被耦合到所述掺杂区域的接触件。16.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述电阻补偿电路包括处理器和与所述处理器耦合的存储器;其中所述存储器被配置为存储至少一个电阻补偿值。17.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述第一电阻性区域具有蜿蜒的形状。
【专利摘要】本申请涉及集成电路。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影响的改进的集成电路。
【IPC分类】H01L27/02
【公开号】CN205194698
【申请号】CN201520946630
【发明人】A·帕加尼, A·莫塔
【申请人】意法半导体股份有限公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年11月24日