专利名称：压电元件以及压电元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种能够以晶圆(wafer)状态、来制造多个盖部(lid portion)及基底部(base portion)的压电元件以及压电元件的制造方法。
背景技术：
能够一次性地大量制造表面安装用的压电元件是较好的。如专利文献I所示的压电兀件是利用形状与晶体晶圆的形状相同的盖晶圆(lid wafer)及基底晶圆(basewafer)，来包夹着形成有多个晶体振动片的晶体晶圆，借此而进行制造。另外，在专利文献I的压电元件的制造方法中，在与盖晶圆以及基底晶圆的盖部及基底部的四个角落相对应的 部分，分别形成有开ロ部。借此，在各个压电元件的四个角落形成侧部配线，该侧部配线将晶体振动片的激振电极与外部端子予以电性连接。当以晶圆为单位而制造的压电元件在个别地被分尚之后，至此而完成制造。[现有技术文献][专利文献][专利文献I]日本专利特开2006-148758号公报然而，对于专利文献I的以晶圆状态来制造压电元件的方法而言，由于贯通孔仅形成于压电元件的四个角落，因此，相邻的压电元件彼此处于几乎成为一体的状态。在该状态下，无论从哪ー个方向(矩形的四条边)来将压电元件予以切断，在切断时，施加负载时的时间会变长，因此，压电元件容易破损。另外，相邻的压电元件的激振电极彼此会因形成于贯通孔的侧面电极而导电，因此，不易以晶圆为单位来对各个晶体振动片的频率进行测定。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种压电元件及压电元件的制造方法，在从晶圆状态切割成各个压电元件单体时不易产生破损，能以晶圆状态来測定各个晶体振动片的频率并进行调整。第一观点的压电元件包括通过施加电压而发生振动的振动部。该压电元件包括矩形的第一板，构成收纳着振动部的封装体的一部分，且具有一对直线状的第一边及与第ー边垂直的一对直线状的第二边；矩形的第二板，接合于第一板，且构成收纳着振动部的封装体的一部分；以及粘接剂，包含将第一板与第二板予以接合的玻璃材料。另外，在ー对第ー边上，形成有从外周凹陷的ー对城堡形部分(castellation), 一对城堡形部分分别配置于如下的两个区域，该两个区域是被通过第一板的中心、且被与第二边呈平行的直线所分开。在第二观点的压电元件中，第一板包括基底部，该基底部安装有压电元件且载置有振动部；第二板包括盖部，该盖部接合于基底部且将振动部予以密封。在第三观点的压电元件中，第二板包含压电框架(frame)，该压电框架具有振动部与框体，该框体将振动部予以包围且构成封装体的一部分，第一板包含接合于压电框架的框体的一个面的基底部，且所述压电组件还包括盖部，该盖部借由粘接剂而接合于压电框架的框体的另一面，且构成将振动部予以密封的封装体的一部分。在第四观点的压电元件中，粘接剂是在350°C 410°C时熔融的玻璃材料。第五观点的压电元件的制造方法是包括通过施加电压而发生振动的振动部的压电元件的制造方法。该压电元件的制造方法包括准备第一晶圆的步骤，该第一晶圆具有多个矩形的第一板，所述多个矩形的第一板构成收纳着振动部的封装体的一部分，且包含一对第一边及与第一边垂直的ー对第二边；形成贯通孔的步骤，在ー对第一边上，从第一边和第二边的交点到第一边的中央之间，形成将第一晶圆予以贯通的贯通孔；准备第二晶圆的步骤，所述第二晶圆具有多个矩形的第二板，所述多个矩形的第二板构成收纳着振动部的 封装体的一部分；第一接合步骤，借由包含玻璃材料的粘接剂来将第一晶圆与第二晶圆予以接合；第一切断步骤，在第一接合步骤之后，以通过第一边的方式，将已接合的第一晶圆及第ニ晶圆予以切断；以及第二切断步骤，在第一切断步骤之后，以通过第二边的方式，将已接合的第一晶圆及第ニ晶圆予以切断。在第六观点的压电元件的制造方法中，第一晶圆包含基底晶圆，该基底晶圆具有载置着振动部的多个基底部；第二晶圆包含盖晶圆，该盖晶圆具有多个盖部，所述多个盖部接合于基底晶圆，且构成将振动部予以密封的封装体。在第七观点的压电元件的制造方法中，第二晶圆包含压电晶圆，该压电晶圆具有多个压电框架，所述压电框架具有振动部与框体，该框体将振动部予以包围且构成封装体的一部分；第一晶圆包含基底晶圆，该基底晶圆接合于压电晶圆的一面、且该基底晶圆具有多个基底部，所述压电元件的制造方法还包括准备盖晶圆的步骤，所述盖晶圆具有多个盖部，所述盖部将所述框体以及所述基底部与所述振动部予以密封、而构成所述封装体；以及第二接合步骤，在第一接合步骤之后以及在第一切断步骤之前，借由粘接剂来将盖晶圆接合于压电晶圆的另一面。在第八观点的压电元件的制造方法中，在准备第一晶圆的步骤中，第一边的长度形成得比第二边的长度更短。在第九观点的压电元件的制造方法中，在第一切断步骤中，将贯通孔一分为ニ。在第十观点的压电元件的制造方法中，在第一切断步骤中，沿着贯通孔的缘部，以在一个压电元件中至少形成两个贯通孔的方式来进行切断。[发明的效果]根据本发明，可获得如下的压电元件以及压电元件的制造方法，在从晶圆状态切割成各个压电元件单体时不易产生破损，且能够以晶圆状态来对各个晶体振动片的频率进行測定，且可对所述频率进行调整。
图I是第一实施形态的第一晶体振动子100的分解立体图。图2(a)是图I的A-A剖面图。图2(b)是第一晶体振动子100的底视图。图3是表示第一实施形态的第一晶体振动子100的制造过程的流程图。
图4是晶体晶圆IOW的平面图。图5是盖晶圆IlW的平面图。图6是基底晶圆12W的平面图。图7是基 底晶圆12W的底视图。图8是第二实施形态的第二晶体振动子200的分解立体图。图9是第二晶体振动子200的底视图。图10是基底晶圆22W的平面图。图11是基底晶圆22W的底视图。图12是第三实施形态的第三晶体振动子300的分解立体图。图13是第三晶体振动子300的底视图。图14是基底晶圆32W的底视图。图15是第四实施形态的第四晶体振动子400的分解立体图。图16是图15的B-B剖面图。图17是晶体晶圆40W的平面图。图18(a)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的晶体振动片40'进行观察所见的平面图。图18(b)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的晶体振动片40'进行观察所见的透视图。图18(c)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的基底部42'进行观察所见的平面图。图18(d)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的基底部42'进行观察所见的透视图。图19是图18(b)的D-D剖面图。图20(a)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的第四晶体振动子400'进行观察所见的平面图，且并未描绘盖部41。图20(b)是虚线E的放大图。[符号的说明]10、20、30、40、40':晶体振动片10W、30W、40W :晶体晶圆11,41 :盖部IlW :盖晶圆12、12A、12B、12C、12D、22、32、42、42':基底部12W、22W、32W、42W :基底晶圆13:导电性粘接剂32A-, 32B :基底部100、200、300、400 :晶体振动子101:晶体片102a、102b、402a、402b :激振电极103aU03b,303a,303b,403a,403b,403a'、403b':引出电极104 :连结部111、121、411、421 :凹部122a 122d、222a、222c、406a 406d、422a 422d :城堡形部分123a 123d、223a、223c、323a 323d、407a 407d、423a 423d、423a ' 423d':侧面电极l24a、l24b、324a、324b :连接电极125a 125d、225a 225d、325a 325d、425a 425d :安装端子226 :金属膜400':第四晶体振动子401:晶体振动部404a、404b、404a'、404b':支撑部405a、405b、405a'、405b':贯通开ロ部
407M、423M :连接垫408 :框体A-A、B-B、D-D :首Ij 面Ax :对称轴BH1、BH2、CH :贯通孔CL :切割线CT:模腔E :虚线LI :第一边L2 :第二边LG :低熔点玻璃Ml :第一端面M2 :第二端面M3 :安装面M4 :侧面Me :表面Mi :背面PB1、PB2:探针SLl :第一切割线SL2 :第二切割线SPl SP7:间隔SlO S19、SlOl S103、S121 S123 :步骤\、V、V :轴
具体实施例方式在本说明书中，使用AT切割的晶体振动片作为压电振动片。即，AT切割的晶体振动片是主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心，从Z轴向Y轴方向倾斜35度15分。因此，以AT切割的晶体振动片的X轴方向为基准，使用倾斜的新的轴作为V轴以及Z'轴。即，在各实施形态中，以晶体振动子的长度方向作为X轴方向，以晶体振动子的高度方向为Y'轴方向，且以与X轴方向及Y'轴方向垂直的方向作为Z'轴方向来进行说明。
(第一实施形态)<第一晶体振动子100的整体构成>一面參照图I以及图2 (a)、图2 (b)，一面对第一晶体振动子100的整体构成进行说明。图I是第一晶体振动子100的分解立体图，图2 (a)是图I的A-A剖面图，图2 (b)是第一晶体振动子100的底视图。再者，在图I中，以使连接电极124a、124b的整体可被看到的方式，透明地描绘了作为粘接剂的低熔点玻璃(glass)LG。如图I以及图2(a)、图2(b)所示，第一晶体振动子100包括具有盖凹部111的盖部11 ;具有基底凹部121的基底部12 ;以及载置于基底部12的平板状的晶体振动片10。晶体振动片10包含^AT切割的晶体片101，在该晶体片101的中央附近的两个主面上、相向地配置有ー对激振电极102a、102b。另外，晶体片101的底面(+Z'侧)的延伸至-X侧为止的引出电极103a是连接于激振电极102a，晶体片101的底面(-Z'侧)的延伸 至+X侧为止的引出电极103b是连接于激振电极102b。晶体振动片10亦可为台面(mesa)型晶体振动片或倒台面型晶体振动片。此处，激振电极102a、102b以及引出电极103a、103b例如可使用作为基底的铬层，且在铬层的上表面使用有金层。另外，铬层的厚度例如为0. 05 ii m 0. I ii m，金层的厚度例如为0. 2 u m 2 u m。基底部12包含玻璃或压电材料，且在表面(+Y'侧的面)上包括第二端面M2，该第二端面M2形成于基底凹部121的周围。矩形的基底部12包含沿着Z'轴方向延伸的ー对第一边LI、以及沿着X轴方向延伸的ー对第二边L2。另外,基底部12在ー对第一边LI上分别形成有四个城堡形部分122 (castellation)。具体而言，在-X轴侧的第一边LI上形成有两个基底城堡形部分122a、122b (basecastellation)，所述两个基底城堡形部分122a、122b在形成基底贯通孔BHl (參照图6及图7)时沿着Z'轴方向延伸。此处，基底城堡形部分122a形成于+Z侧，基底城堡形部分122b形成于-Z侧。而且，基底城堡形部分122a与基底城堡形部分122b分别配置于两个区域，利用通过矩形的基底部12的中心、且与第二边L2呈平行的对称轴Ax而分开所述两个区域。即，基底城堡形部分122a与基底城堡形部分122b在Z'轴方向上，分别配置于对称轴Ax的两侧。同样地，在+X轴侧的第一边LI上形成有另外的两个基底城堡形部分122c、122d，所述另外的两个基底城堡形部分122c、122d在形成基底贯通孔BHl (參照图6及图7)时沿着Z'轴方向延伸。此处，基底城堡形部分122c形成于-Z侧，基底城堡形部分122d形成于+Z侧。而且，基底城堡形部分122c与基底城堡形部分122d分别配置于被对称轴Ax分开的两个区域。即，基底城堡形部分122c与基底城堡形部分122d在Z'轴方向上，分别配置于对称轴Ax的两侧。再者，基底城堡形部分122a与基底城堡形部分122c、以及基底城堡形部分122b与基底城堡形部分122d优选为相对于基底部12的中心呈点对称。另外，在基底城堡形部分122a 122d中，分别形成有基底侧面电极123a 123d。另外，在基底部12的第二端面M2上形成有一对连接电极124a、124b。此处，连接电极124a电性连接于基底侧面电极123a，连接电极124b电性连接于基底侧面电极123c，该基底侧面电极123c与基底侧面电极123a配置在基底部12的对角线方向上。
而且，基底部12在安装面M3上包括两对安装端子125a 125d，所述两对安装端子125a 125d分别与基底侧面电极123a 123d形成电性连接。再者，两对安装端子125a 125d中，一对安装端子是外部电极用的安装端子(以下称为外部电极)125a、125c，该外部电极用的安装端子(以下称为外部电极)125a、125c是经由配置在基底部12的对角线方向上的基底侧面电极123a、123c而分别连接到连接电极124a、124b。S卩，外部电极125a、125c配置在基底部12的对角线方向上。另外，交变电压(使正负交变的电位)施加至外部电极125a、125c之后，晶体振动片10进行厚度滑移振动。另ー方面，两对安装端子125a 125d中，另ー对安装端子是接地电极(earthelectrode)用的安装端子(以下称为接地电极)125b、125d,该接地电极用的安装端子(以下称为接地电极)125b、125d使用于与基底侧面电极123b、123d连接而进行接地。即，接地 电极125b、125d配置在与基底部12的外部电极125a、125c不同的对角线方向上。此处，接地电极125b、125d用于进行接地，但还包括用作如下的端子的情况，该端子用以将第一晶体振动子100牢固地接合于安装印刷基板(未图示)且不进行电性连接。如图2(b)所示，分别相隔地形成ー对外部电极125a、125c及ー对接地电极125b、125d。另外，与基底部12的+Z'侧的ー边相隔地形成外部电极125a及接地电极125d，与基底部12的-Z'侧的另一边相隔地形成接地电极125b及外部电极125c。此处，外部电极125a与接地电极125b、以及外部电极125c与接地电极125d在Z'轴方向上的间隔SPl例如为200iim 500iim左右。另外，外部电极125a及接地电极125d与基底部12的W侧的ー边、以及接地电极125b及外部电极125c与基底部12的-Z'侧的另ー边的间隔SP2例如为Oiim IOOiim左右。在第一晶体振动子100中，晶体振动片10的X轴方向的长度大于基底凹部121的X轴方向的长度。因此，若利用导电性粘接剂13来将晶体振动片10载置于基底部12，则如图2(a)所示，晶体振动片10的X轴方向的两端会载置于基底部12的第二端面M2。此时，晶体振动片10的引出电极103a及引出电极103b分别电性连接于基底部12的连接电极124a及连接电极124b。借此，外部电极125a及外部电极125c经由基底侧面电极123a及基底侧面电极123c、连接电极124a及连接电极124b、导电性粘接剂13以及引出电极103a及引出电极103b，而分别电性连接于激振电极102a及激振电极102b。盖部11包括盖凹部111，与基底凹部121相比较，在XZ'平面上的面积更大；以及第一端面M1，形成于所述盖凹部111的周围。再者，盖部11的第一端面Ml与基底部12的第二端面M2接合，借由盖凹部111以及基底凹部121来形成模腔(cavity) CT，该模腔CT收纳着晶体振动片10。另外，模腔CT充斥着惰性气体或气密为真空状态。此处，盖部11的第一端面Ml与基底部12的第二端面M2例如是由非导电性粘接剂即低熔点玻璃LG来接合。低熔点玻璃LG包括钒系玻璃，该钒系玻璃在350°C 410°C时熔融且不含铅(lead free) 0钒系玻璃添加有粘合剂(binder)与溶剂且呈浆料状，该钒系玻璃熔融之后固化，借此粘接于其他构件。另外，所述钒系玻璃在粘接时的气密性与耐水性、耐湿性等的可靠性高。而且，对于钒系玻璃而言，对玻璃构造进行控制，借此也可灵活地控制热膨胀系数。对于盖部11而言，盖凹部111的X轴方向的长度大于晶体振动片10的X轴方向的长度及基底凹部121的X轴方向的长度。另外，如图I以及图2(a)、图2(b)所示，低熔点玻璃LG在基底部12的第二端面M2的外侧(宽度为300 iim左右)，将盖部11与基底部12
予以接合。另外，在第一实施形态中，晶体振动片10载置于基底部12的第二端面M2，但也可收纳在基底凹部121的内部。此时，连接电极从基底城堡形部分122a、122c经由第二端面M2，延伸地形成至基底凹部121的底面为止。另外，在所述情况下，盖部也可呈未形成有盖凹部的平板状。<第一晶体振动子100的制造方法>图3是表示第一晶体振动子100的制造过程的流程图。在图3中，晶体振动片10的制造步骤(step)SlO、盖部11的制造步骤S11、以及基底部12的制造步骤S12可同时进行以进行制造。另外，图4是可同时制造多个晶体振动片10的晶体晶圆IOW的平面图，图5是可同时制造多个盖部11的盖晶圆IlW的平面图。图6是可同时制造多个基底部12的 基底晶圆12W的平面图，图7是所述基底晶圆12W的底视图。在步骤SlO中，制造晶体振动片10。步骤SlO包含步骤SlOl 步骤S103。在步骤SlOl中，如图4所示，借由蚀刻(etching)，在均一的晶体晶圆IOW上形成多个晶体振动片10的外形。此处，各晶体振动片10借由连结部104而连接于晶体晶圆10W。在步骤S102中，首先借由派镀(sputtering)或真空蒸镀,在晶体晶圆IOW的两个面及侧面上依序形成铬层及金层。接着，将光致抗蚀剂(photoresist)均一地涂布至金属层的整个面。然后，使用曝光装置(未图示)，将光掩模(photomask)上所描绘的激振电极、引出电极的图案(pattern)曝光至晶体晶圆10W。接着，对从光致抗蚀剂露出的金属层进行蚀刻。借此,如图4所示，在晶体晶圆10W的两个面及侧面上，形成激振电极102a、激振电极102b及引出电极103a、引出电极103b。在步骤S103中，将晶体振动片10分别予以切断。在切断步骤中，使用利用激光(laser)的切割(dicing)装置、或利用切断用刀片(blade)的切割装置等，沿着图4所示的点划线的切割线CL来进行切断。在步骤SI I中，制造盖部11。如图5所示，在均一厚度的晶体平板的盖晶圆IIW上，形成数百至数千个盖凹部111。在盖晶圆IlW上，借由蚀刻或机械加工来形成盖凹部111，第一端面Ml形成于盖凹部111的周围。在步骤S12中，制造基底部12。步骤S12包含步骤S121 步骤S123。在步骤S121中，如图6所示，在均一厚度的晶体平板的基底晶圆12W上，形成数百至数千个基底凹部121。在基底晶圆12W上，借由蚀刻或机械加工来形成基底凹部121，第ニ端面M2形成于基底凹部121的周围。同时，在各基底部12的ー对第一边LI上，各形成有两个将基底晶圆12W予以贯通的圆角长方形的基底贯通孔BH1。此处，两个贯通孔BHl在V轴方向上配置于对称轴Ax的两侧。另外，圆角长方形的基底贯通孔BHl被一分为ニ之后，则成为ー个基底城堡形部分122a 122d(參照图I)。在步骤S 122中，借由溅镀或真空蒸镀，在基底晶圆12W的两个面上，将铬(Cr)层作为基底，在该铬(Cr)层的表面形成金(Au)层。然后，进行蚀刻，借此，如图6所示，在第ニ端面M2上形成连接电极124a、124b。同时，在基底贯通孔BHl的整个面上形成基底侧面电极123a 123d (參照图I)。同时，如图7所示，在基底晶圆12W的底面上形成ー对外部电极125a、125c及ー对接地电极125b、125d。此处，在X轴方向上相邻且形成于基底部12的外部电极与接地电极形成为一体。具体而言，将图7的点线所包围的四个基底部(12A 12D)作为一例来进行说明。基底部12B的外部电极125a、基底部12C的接地电极125d、以及基底贯通孔BHl的基底侧面电极123a、123d形成为一体。另外，基底部12B的外部电极125c、基底部12A的接地电极125b、以及基底贯通孔BHl的基底侧面电极123b、123c形成为一体。而且，与在Z'轴方向上相邻且形成于基底部12D的安装端子(外部电极、接地电极)隔开间隔SP3，而形成基底部12B的安装端子(外部电极、接地电极)。此处，间隔SP3为40 ii m 280 u m左右。再者，例如当 间隔SP3为40 ii m时，若后述的步骤S17中所说明的切割宽度也为40 u m,则图2(b)所示的间隔SP2成为Oym。即，处于如下的状态在X轴方向上相邻且形成于基底部12的外部电极与接地电极连接，在Z'轴方向上相邻且形成于基底部12的外部电极不与接地电极连接。在步骤S123中，利用网版(screen)印刷，将低熔点玻璃LG印刷至基底晶圆12W的第二端面M2中的与第一端面Ml相对应的区域。然后，使低熔点玻璃LG暂时硬化，借此，低熔点玻璃LG膜形成于基底晶圆12W的第二端面M2。在本实施形态中，低熔点玻璃LG形成于基底部12的第二端面M2，但也可形成于盖部I的第一端面Ml。此时，低熔点玻璃膜LG优选是不形成干与基底贯通孔BHl相对应的部位。在步骤S13中，步骤SlO中所制造的各个晶体振动片10利用导电性粘接剂13而载置于基底部12的第二端面M2，该基底部12形成在晶圆12W上。此时，以使晶体振动片10的引出电极103a、103b与基底部12的第二端面M2上所形成的连接电极124a、124b的位置对准的方式，将晶体振动片10载置于基底部12的第二端面M2。在基底晶圆12W上载置有数百至数千个晶体振动片10。在步骤S14中，将ー对频率测定用的探针(probe)PBl、PB2(參照图7)分别抵接于相同的基底部12的ー对外部电极125a与外部电极125c，逐个地对晶体振动片10的振动频率进行測定。此处，參照图7来进行说明。即使交变电压从探针PB1、PB2施加至基底部12B的外部电极125a、125c，基底部12A、12C、12D的外部电极125a、125c彼此也不会分别电性连接。因此，不会受到来自基底部12A、12C、12D的晶体振动片10的影响。因此，在被切割之如的晶圆状态下，可正确地对基底部12B的晶体振动片10的振动频率进行測定。另外，在步骤S14中，一对频率测定用的探针PB1、PB2抵接于ー对外部电极125a、125c，但也可抵接于ー对连接电极124a、124b或ー对基底侧面电极123a、123c，从而对晶体振动片10的振动频率进行測定。在步骤S15中，对晶体振动片10的激振电极102a的厚度进行调整。将金属溅镀至激振电极102a来使质量增加、从而使频率下降，或进行逆溅镀来使金属从激振电极102a升华使质量减小、从而使频率上升。频率调整的详情已掲示于本申请人的日本专利特开2009-141825。再者，只要振动频率的测定结果处于规定范围内，则不一定必须对振动频率进行调整。也可在步骤S14中，对ー个晶体振动片10的振动频率进行測定之后，在步骤S15中，对一个晶体振动片10的振动频率进行调整。对于基底晶圆12W上的全部的晶体振动片10，反复地进行所述步骤。另外，也可在步骤S14中，对基底晶圆12W上的全部的晶体振动片10的振动频率进行测定之后，在步骤S15中，逐个地对晶体振动片10的振动频率进行调整。在步骤S16中，对低熔点玻璃LG进行加热，对盖晶圆IlW与基底晶圆12W加压。借此，借由作为粘接剂的低熔点玻璃LG来将盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以接合。在步骤S17中，沿着Z'轴方向，将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。在切断步骤中，使用利用激光的切割装置、或利用切断用刀片的切割装置等来进行切断。在步骤S17中，沿着图5 图7所示的点划线的第一切割线(scribe line) SLl,将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。即，沿着形成有贯通孔BHl的第一边LI，将盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。此处，当切割装置通过贯通孔BHl吋，负载不施加于基底晶圆12W，因此，施加负载时的整体时间变短。因此，基底晶圆12W不易产生电极的剥离等的破损。在步骤S18中，沿着X轴方向，将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。即，沿着图5 图7所示的点划线的第二切割线SL2，将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。再者，在第二切割线SL2中未形成有贯通孔BH1，但在步骤S17中，沿着Z'轴方向来将盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断，因此，在切断时，可使将负载施加于盖晶圆IlW与基底晶圆12W时的时间缩短。因此，基底晶圆12W不易产生电极的剥离等的破损。此处，借由步骤S17以及步骤S18，由已接合的盖晶圆IlW以及基底晶圆12W来制造数百、数千个第一晶体振动子100。在步骤S17及步骤S18中，首先，沿着第一边LI将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断，接着，沿着第二边L2将已接合的盖晶圆IlW与基底晶圆12W予以切断。因此，为了在切断吋，使施加负载时的时间缩短，优选将第一边LI形成得比第二边L2更短。在步骤S19中，确认各个第一晶体振动子100的频率，所述各个第一晶体振动子100是由步骤S17以及步骤S18切断而成为单体。(第二实施形态)<第二晶体振动子200的整体构成>一面參照图8以及图9，对第二晶体振动子200的整体构成进行说明。图8是第二晶体振动子200的分解立体图，图9是第二晶体振动子200的底视图。再者，在图8中，以使连接电极124a、124b的整体可被看到的方式，透明地描绘了作为密封材料的低熔点玻璃LG。在第二实施形态中，对第一实施形态中所说明的构成要件附上相同的符号来进行说明。如图8所示，第二晶体振动子200包括盖部11、基底部22、以及载置于基底部22的晶体振动片10。基底部22包含玻璃或压电材料，且在表面(+Y'侧的面)上包括第二端面M2，该第二端面M2形成于基底凹部121的周围。矩形的基底部22包含沿着Z'轴方向延伸且平行的ー对第一边LI、及沿着X轴方向延伸且平行的ー对第二边L2。另外，基底部22在一对第一边LI上分別形成有一对城堡形部分222a、222c。具体而言，在-X轴侧的第一边LI的+Z'轴侧形成有基底城堡形部分222a，该基底城堡形部分222a在形成基底贯通孔BH2(參照图10及图11)时沿着Z'轴方向延伸。即，基底城堡形部分222a配置于对称轴Ax的+Z'轴侧的区域。同样地，在+X轴侧的第一边LI的-Z'轴侧形成有基底城堡形部分222c，该基底城堡形部分222c在形成基底贯通孔、BH2(參照图10及图11)时沿着Z'轴方向延伸。即，基底城堡形部分222c配置于对称轴Ax的-V轴侧的区域。此处，基底城堡形部分222a与基底城堡形部分222c优选为相对于矩形的基底部22的中心呈点对称。另外，在基底城堡形部分222a、222c中分别形成有基底侧面电极223a、223c (參照图9)。如图9所示，基底部22在安装面M3上形成有ー对外部电极225a、225c以及用于进行接地的接地电极225b、225d，所述ー对外部电极225a、225c分别与基底侧面电极223a、223c形成电性连接。在基底部22中，外部电极225a、225c分别与基底侧面电极223a、223c导电，该基底侧面电极223a、223c形成于基底城堡形部分222a、222c，在接地电极225b、225d侧未形成有城堡形部分。另外，如图9所示，分别相隔地形成有ー对外部电极225a、225c以及ー对接地电极225b、225d。另外，与基底部22的+Z'侧的第二边L2 (參照图8)的缘部相隔地形成外部电极225a及接地电极225d，与基底部22的-Z'侧的第二边L2 (參照图8)的缘部相隔地形 成接地电极225b及外部电极225c。在第二实施形态中，除了形成有ー对外部电极225a、225c以外，还形成有接地电极225b、225d，但也可采用未形成有接地电极225b、225d的构成。<第二晶体振动子200的制造方法>第二晶体振动子200的制造方法的流程、与图3中所说明的第一晶体振动子100的制造方法的流程大致相同。然而，当以基底晶圆22W的状态来形成基底部22吋，贯通孔BH2不同。图10是基底晶圆22W的平面图，图11是基底晶圆22W的底视图。如图10所示，在ー个第二晶体振动子200中，在+X轴侧的第一边LI的-Z'轴侧、及-X轴侧的第一边LI的+Z'轴侧形成有ー对贯通孔BH2。S卩，在Z'轴方向上相邻的贯通孔BH2交替地配置于第二切割线SL2的两侧。因此，存在如下的情況，即，若在图3的步骤S17中，沿着第一切割线SLl将基底晶圆22W予以切断，则会在基底部22的第一边LI上形成金属膜226 (參照图8)。具体而言，如图8以及图9所示，在-X轴侧的第一边LI上的基底城堡形部分222a的-V轴侧、以及+X轴侧的第一边LI上的基底城堡形部分222c的W轴侧分别形成金属膜226，该金属膜226连接于接地电极225b、225d。如图11所示，对于第二晶体振动子200而言，可将ー对频率测定用的探针PB1、PB2分别抵接于相同的基底部22的ー对外部电极225a与外部电极225c,而对各个晶体振动片10(參照图8)的振动频率进行測定。具体而言，与图3的步骤S14中的图7的说明相同，因此，将说明予以省略。而且，在第二实施形态中，当从已接合的盖晶圆11W(參照图5)与基底晶圆22W切割出各个第二晶体振动子200时，首先，沿着形成有贯通孔BH2的第一切割线SLl来切断。然后，沿着未形成有贯通孔BH2的第二切割线SL2，将已接合的盖晶圆11W(參照图5)与基底晶圆22W予以切断。根据如上所述的切断方法，在切断时，可使将负载施加于盖晶圆IlW与基底晶圆22W时的时间缩短。因此，基底晶圆22W不易产生电极的剥离等的破损。(第三实施形态)<第三晶体振动子300的整体构成>
一面參照图12以及图13，一面对第三晶体振动子300的整体构成进行说明。图12是第三晶体振动子300的分解立体图，图13是第三晶体振动子300的底视图。再者，在图12中，以使连接电极324a、324b的整体可被看到的方式，透明地描绘了作为密封材料的低熔点玻璃LG。另外，对第一实施形态中所说明的构成要件附上相同的符号来进行说明。如图12以及图13所示，第三晶体振动子300包括盖部11、基底部32、以及载置于基底部32的平板状的晶体振动片30。晶体振动片30包含经AT切割的晶体片101，在该晶体片101的中央附近的两个主面上、相向地配置有ー对激振电极102a、102b。另外，晶体片101的底面(+Z'侧)的延伸至-X侧为止的引出电极303a是连接于激振电极102a，晶体片101的底面(-Z'侧)的延伸至-X侧为止的引出电极303b是连接于激振电极102b。对于晶体振动片30而言，仅引出电极的形状与第一实施形态的晶体振动片10不同。在基底部32的X轴方向的ー对第一边LI上，形成有形成基底贯通孔BHl (參照图14)时的四个基底城堡形部分122a 122d。此处，基底城堡形部分122a与基底城堡形部分122b分别配置于两个区域，利用通过矩形的基底部32的中心、且与第二边L2呈平行的对称轴Ax而分开所述两个区域。即，基底城堡形部分122a与基底城堡形部分122b在V轴方向上，分别配置于对称轴Ax的两侧。同样地，基底城堡形部分122c与基底城堡形部分122d分别配置于被对称轴Ax分开的两个区域。即，基底城堡形部分122c与基底城堡形部分122d在Z'轴方向上，分别配置于对称轴Ax的两侧。另外，在基底城堡形部分122a 122d分别形成有基底侧面电极323a 323d。根据晶体振动片30的形状，形成于第二端面M2的连接电极324a、324b分别连接于基底部32的-X侧所形成的基底侧面电极323a、323b。另外，在基底部32的安装面M3的-X侧形成有ー对外部电极325a、325b，该ー对外部电极325a、325b分别连接于基底侧面电极323a、323b。另ー方面，基底部32的+X侧所形成的基底侧面电极323c、323d，连接着基底部32的安装面M3的+X侧所形成的ー对接地电极325c、325d。如图13所示，分别相隔地形成有ー对外部电极325a、325b以及ー对接地电极325c、325d。此处，ー对外部电极325a、325b彼此、以及ー对接地电极325c、325d彼此在Z'轴方向上的间隔SPl例如为200 iim 500 iim左右。另外，与基底部32的+Z'侧的第二边L2的缘部相隔地形成外部电极325a及接地电极325d，与基底部32的-V侧的第二边L2的缘部相隔地形成外部电极325b及接地电极325c。此处，外部电极325a及接地电极325d与基底部32的+Z侧的第二边L2的缘部、以及外部电极325b及接地电极325c与基底部32的-Z侧的第二边L2的缘部的间隔SP2例如为0 ii m 100 ii m左右。<第三晶体振动子300的制造方法>第三晶体振动子300的制造方法的流程、与图3中所说明的第一晶体振动子100的制造方法的流程大致相同。然而，当以基底晶圆32W的状态来形成基底部32时，如图14 所示，外部电极与接地电极的位置不同。图14是可同时制造多个基底部32的基底晶圆32W的底视图。如图14所示，在X轴方向上相邻的基底部32A、32B中，外部电极325a与接地电极325d形成为一体，外部电极325b与接地电极325c形成为一体。另外，在Z'轴方向上相邻的基底部的安装端子(外部电极、接地电极)是分别相隔地形成，所述安装端子的Z'轴方向的间隔SP3为40i!m 280 u m左右。因此，若将一对频率測定用的探针PB1、PB2分别抵接于基底部32A的外部电极325a与外部电极325b，则可对一个晶体振动片30的振动频率进行測定。即使交变电压从探针PB1、PB2施加至基底部32A的外部电极325a、325b，只要外部电极325a、325b仅连接于基底部32B的接地电极325c、325d，则不会与基底部32B的晶体振动片30形成电性连接。因此，无来自相邻的基底部32的影响，可在晶圆状态下，正确地对晶体振动片30的振动频率进行測定。而且，在第三实施形态中，当从已接合的盖晶圆11W(參照图5)与基底晶圆32W切割出各个第三晶体振动子300时，首先，沿着形成有贯通孔BHl的第一切割线SLl来切断。然后，沿着未形成有贯通孔BHl的第二切割线SL2，将已接合的盖晶圆11W(參照图5)与基 底晶圆32W予以切断。根据如上所述的切断方法，在切断时，可使将负载施加于基底晶圆32W时的时间缩短。因此，基底晶圆32W不易产生电极的剥离等的破损。(第四实施形态)〈第四晶体振动子400的整体构成>一面參照图15以及图16，一面对第四晶体振动子400的整体构成进行说明。图15是第四晶体振动子400的分解立体图，图16是图15的B-B剖面图。如图15以及图16所示，第四晶体振动子400包括具有盖凹部411的盖部41、具有基底凹部421的基底部42、以及包夹于盖部41及基底部42的矩形的晶体振动片40。晶体振动片40包含晶体振动部401，在两个面上形成有激振电极402a、402b ;以及框体408，将晶体振动部401予以包围。另外，在晶体振动部401与框体408之间具有一对支撑部404a、404b，所述ー对支撑部404a、404b以从晶体振动部401沿着X轴方向的两侧分别延伸的方式，而与框体408连结。因此，在晶体振动部401与框体408之间形成ー对“L”字型的贯通开ロ部405a、405b。在晶体振动片40的X轴方向的两侧所配置的沿着Z'轴方向延伸的两边上，各形成有两个形成为圆角长方形的晶体贯通孔CH(參照图17)时的晶体城堡形部分406a 406d。在晶体城堡形部分406a 406d中，分别形成有晶体侧面电极 407a 407d。另外，在支撑部404a的表面Me上形成有引出电极403a，该引出电极403a将激振电极402a与晶体振动片40的-X轴方向的ー边的+Z侧所形成的晶体侧面电极407a予以连接。此处，晶体侧面电极407a优选为延伸至晶体振动片40的背面Mi为止地形成有连接垫(pad)407M。连接垫407M确实地电性连接于后述的基底侧面电极423a的连接垫423M。同样地，在支撑部404b的背面Mi上形成有引出电极403b，该引出电极403b将激振电极402b与晶体振动片40的+X轴方向的另ー边的-Z侧所形成的晶体侧面电极407c予以连接。此处，引出电极403b连接于后述的基底侧面电极423c的连接垫423M。基底部42包含玻璃或晶体材料，该基底部42包括沿着Z'轴方向延伸的ー对第ー边LI及沿着X轴方向延伸的ー对第二边L2，且基底部42呈矩形，而且在表面(+Y'侧的面)包括第二端面M2，该第二端面M2形成于基底凹部421的周围。基底部42在ー对第一边LI上各形成有两个形成基底贯通孔BH1(參照图6及图7)时的基底城堡形部分422a 422d。具体而言，基底城堡形部分422a、422b形成于-X轴侧，基底城堡形部分422c、422d形成于+X轴侧。此处，基底城堡形部分422a与基底城堡形部分422b、以及基底城堡形部分422c与基底城堡形部分422d分别配置于被对称轴Ax分开的两个区域。另外，基底城堡形部分422a与基底城堡形部分422c、以及基底城堡形部分422b与基底城堡形部分422d优选为相对于基底部42的中心呈点对称。而且，在基底城堡形部分422a 422d中分别形成有基底侧面电极423a 423d。此处，基底部42的-X轴方向的第一边LI的+Z侧所形成的基底侧面电极423a是经由形成于第二端面M2的连接垫423M，而连接于晶体振动片40上所形成的晶体侧面电极407a的连接垫407M。借此，基底侧面电极423a经由连接垫407M及晶体侧面电极407a而连接于引出电极403a。另外，基底部42的+X轴方向的第一边LI的-Z侧所形成的基底侧面电极423c是连接于晶体振动片40上所形成的引出电极403b。另ー方面，在基底部42的安装面M3的对角线上，形成有ー对外部电极425a、425c以及ー对接地电极425b、425d(參照图2(b))。再者，ー对外部电极425a、425c分别连接于基底侧面电极423a、423c，该基底侧面电极423a、423c连接于晶体振动片40的引出电极 403a、403b。另外，ー对接地电极425b、425d分别连接于其他的基底侧面电极423b、423d。另外，如图16所示，借由盖部41、晶体振动片40的框体408以及基底部42来形成模腔CT，该模腔CT收纳着晶体振动片40的晶体振动部401。此处，盖部41与晶体振动片40、以及晶体振动片40与基底部42是由作为密封材料的低熔点玻璃LG来接合。另外，在第四实施形态中，如第一实施形态中的说明所述，ー对外部电极以及ー对接地电极配置在第四晶体振动子400的安装面的对角线方向上，但也可如第二实施形态中的说明所述，ー对的外部电极以及ー对接地电极形成在同一边上。而且，也可如第二实施形态中的说明所述，不形成与ー对接地电极相对应的城堡形部分。〈第四晶体振动子400的制造方法>第四晶体振动子400的制造方法的流程、与图3中所说明的第一晶体振动子100的制造方法的流程大致相同，因此，一面參照图3，一面进行说明。另外，图17是可同时制造多个晶体振动片40的晶体晶圆40W的平面图。在步骤SlOl中，如图17所示，借由蚀刻，在均一的晶体晶圆40W上形成多个晶体振动片40的外形。即，形成晶体振动部401、框体408、与一对贯通开ロ部405a、405b。同时，在各晶体振动片40的X轴方向的两边上，各形成两个将晶体晶圆40W予以贯通的晶体贯通孔CH。晶体贯通孔CH被一分为ニ之后,则成为一个晶体城堡形部分406a 406d (參照图15)。在步骤Sll中，制造多个盖部41。此处，盖部41的制造方法与第一实施形态相同。在步骤S12中，借由步骤S121 步骤S123来制造多个基底部42。与第一实施形态相比较，不同点仅在于在第二端面M2上形成ー对连接垫423M(參照图15)，以代替连接电极124a、124b (參照图6)。在步骤S13中，晶体晶圆利用低熔点玻璃而接合于形成有多个基底部42的基底晶圆，所述晶体晶圆包含步骤SlO中所制造的多个晶体振动片40。此时，晶体晶圆40W的连接垫407M连接于基底晶圆的ー个连接垫423M，晶体晶圆40W的引出电极403b连接于基底晶圆的另ー个连接垫423M。在步骤S14中，将ー对频率測定用的探针PBl、PB2分别抵接于相同的基底部42的外部电极425a与外部电极425c，对各个晶体振动部401的振动频率进行測定。此处，即使交变电压施加至外部电极425a、425c，外部电极425a、425c也仅连接于相邻的基底部42的接地电极425b、425d，外部电极425a、425c彼此并不分别电性连接。因此，可在晶圆状态下，正确地对晶体振动部401的振动频率进行測定。在步骤S15中，如第一实施形态中的说明所述，对晶体振动部401的激振电极402a的厚度进行调整。在步骤S16中，对低熔点玻璃LG进行加热，对盖晶圆与基底晶圆加压，借此，利用低熔点玻璃LG来将盖晶圆与基底晶圆予以接合。在步骤S17中，沿着Z'轴方向，将已接合的盖晶圆41W(參照图5)、晶体晶圆40W(參照图17)、以及基底晶圆42W(參照图6及图7)予以切断。在切断步骤中，使用利用激光的切割装置、或利用切断用刀片的切割装置等来进行切断。在步骤S17中，沿着图5 图7以及图17所示的点划线的第一切割线SL1，将已接合的盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W予以切断。即，沿着形成有贯通孔BHl、CH的第一边LI，将盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W予以切断。此处，当切割装置通过贯通孔BH1、CH吋，负载不施加于晶体晶圆40W以及基底晶圆42W，因此，施加负载时的整体时间变短。因此，晶体晶圆40W以及基底晶圆42W不易广生电极的剥尚等的破损。 在步骤S18中，沿着X轴方向，将已接合的盖晶圆41W(參照图5)、晶体晶圆40W(參照图17)、以及基底晶圆42W(參照图6及图7)予以切断。即，沿着图5 图7以及图17所示的点划线的第二切割线SL2，将已接合的盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W予以切断。再者，在第二切割线SL2中未形成有贯通孔BH1、CH，但在步骤S17中，沿着Z'轴方向来将盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W予以切断。因此，可使将负载施加于晶体晶圆40W与基底晶圆42W时的时间缩短。因此，晶体晶圆40W以及基底晶圆42W不易产生电极的剥离等的破损。此处，借由步骤S17以及步骤S18，由已接合的盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W来制造数百、数千个第四晶体振动子400。在步骤S19中，确认各个第四晶体振动子400的频率，所述各个第四晶体振动子400是由步骤S17以及步骤S18切断而成为单体。在第四实施形态中，利用基底部42的制造步骤S12，形成基底侧面电极423a 423d、外部电极425a、外部电极425c、接地电极425b、以及接地电极425d之后，利用步骤S13来将晶体晶圆与基底晶圆予以接合。然而，也可在将晶体晶圆与未形成有各电极的基底晶圆予以接合之后，借由溅镀等来形成基底侧面电极423a 423d、外部电极425a、外部电极425c、接地电极425b、以及接地电极425d。因此，也可不形成图15以及图16中所说明的基底部42的连接垫423M。另外，如上所述的制造方法也适用于以下的第四实施形态的变形例。(第四实施形态的变形例)〈第四晶体振动子400丨的整体构成>一面參照图18(a) 图18(d)至图20 (a)、图20 (b)，一面对第四实施形态的变形例的第四晶体振动子400'的整体构成进行说明。图18(a)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的晶体振动片40'进行观察所见的平面图，图18(b)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的晶体振动片40'进行观察所见的透视图，图18(c)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的基底部42'进行观察所见的平面图，图18(d)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的基底部42'进行观察所见的透视图。图19是图18(b)的D-D剖面图。图20(a)是从+Y'侧来对第四实施形态的变形例的第四晶体振动子400'进行观察所见的平面图，且省略描绘盖部41。另外，在图20(a)、图20(b)中，以使基底部42'可被看到的方式，透明地描绘了晶体振动片40'。如图18(a)以及图18(b) 所示，第四晶体振动子400'的晶体振动片40'未形成有第四实施形态中所说明的晶体城堡形部分。晶体振动片40'包含晶体振动部401，在两个面上形成有激振电极402a、402b ;以及框体408，将晶体振动部401予以包围。在晶体振动部401与框体408之间具有一对支撑部404a' AOib'，该ー对支撑部404a' AOib'分别从晶体振动部401向-X侧延伸。因此，在晶体振动部401与框体408之间形成有矩形的贯通开ロ部405a'，该矩形的贯通开ロ部405a'的ー边(_X侧)形成开ロ，在一对支撑部404a' AOib1之间形成有矩形的贯通开ロ部405b'。如图19所示，引出电极403a'经由贯通开ロ部405a'的侧面M4，而从晶体振动片40'的表面Me延伸形成至背面Mi为止，所述引出电极403a'连接于晶体振动片40'的表面Me上所形成的激振电极402a。返回至图18(a)以及图18(b)，延伸至晶体振动片40'的背面Mi为止的引出电极403a'，形成于晶体振动片40'的-X侧的+Z'侧的ー个角落。此处，如第四实施形态中的说明所述，由于以晶圆状态来制造晶体振动片40'，因此，以不会受到来自相邻的晶体振动片40'的影响的方式，与晶体振动片40'的+Z'侧的ー边隔开间隔SPl地形成引出电极403a'(參照图7)。另外，晶体振动片40'的背面Mi上所形成的引出电极403b'是从晶体振动部401的-X侧延伸，且沿着框体408，形成于晶体振动片40'的+X侧的-Z'侧的另ー个角落。此处，如第四实施形态中的说明所述，由于以晶圆状态来制造晶体振动片40'，因此，以不会受到来自相邻的晶体振动片40'的影响的方式，与晶体振动片40'的-Z'侧的另ー边隔开间隔SPl地形成引出电极403b'。如图18(c)以及图18(d)所示，第四实施形态的变形例的基底部42'与第四实施形态的基底部42大致相同。然而，连接于接地电极425b、425d的基底侧面电极423b、423d (參照图15)是延伸至基底部42'的第二端面M2为止，而形成连接垫423M。而且，如图20(a)所示，以使晶体振动片40'的引出电极403a' ,403b/与连接于外部电极425a、425b的连接垫423M分别连接的方式，将盖部41 (參照图15)、晶体振动片40'、以及基底部42'予以接合。借此，形成于基底部42'的外部电极425a、425b与形成于晶体振动片40'的激振电极402a、402b分别连接。另外，较为理想的是，相隔地形成引出电极403b'与连接垫423M，所述引出电极403b'在晶体振动片40'的背面Mi经由框体408而延伸，所述连接垫423M形成于基底部42'的第二端面M2且连接于基底城堡形部分422b。原因在干当以晶圆状态来同时制造多个基底部42'吋，连接于基底城堡形部分422b的接地电极425b会连接于相邻的基底部42'的外部电极425c (參照图7)。S卩，较为理想的是，如图20(b)所示，在X轴方向上，与连接于基底城堡形部分422b的连接垫423M隔开间隔SP7的方式而，形成引出电极403b'。此处，间隔SP7只要为IOiim左右即可。在图20(a)、图20(b)中，在X轴方向上，相隔地形成有引出电极403b'与-X侧的连接垫423M，但不一定必须相隔。S卩，若在Y'轴方向上，借由低熔点玻璃LG来将引出电极403b'与-X侧的连接垫423M予以阻断，则也可不形成图20 (a)、图20(b)所示的X轴方向的间隔SP7。然而，此时优选以确实地将引出电极403b'与+X侧的连接垫423M予以连接的方式，而形成连结电极(未图示)，该连结电极(未图示)将外部电极425c(參照图18(d))的整体或一部分、基底侧面电极423c、以及引出电极403b'予以覆盖。借此，由于可使框体408的宽度减小，因此，可将晶体振动子予以小型化，从而可使晶体振动部401变大。〈第四晶体振动子400丨的制造方法>
第四晶体振动子400'的制造方法与第四实施形态大致相同。即，在第四实施形态的变形例中，当从已接合的盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W切割出各个第四晶体振动子400时，首先，沿着形成有贯通孔BHl的第一切割线SLl来切断。然后，沿着未形成有贯通孔BHl的第二切割线SL2，将已接合的盖晶圆41W、晶体晶圆40W、以及基底晶圆42W予以切断。根据如上所述的切断方法，在切断时，可使将负载施加于基底晶圆42W时的时间缩短。因此，基底晶圆42W不易产生电极的剥离等的破损。[产业上的可利用性]以上，详细地对本发明的最佳实施形态进行了说明，但本领域技术人员显然了解可在本发明的技术范围内，对实施形态添加各种变更、变形来实施。例如，在本说明书中，已将经AT切割的晶体振动片作为一例来进行说明，但也可适用于包括ー对振动臂的音叉型晶体振动片。另外，在本说明书中，借由低熔点玻璃来将基底晶圆、晶体晶圆、以及盖晶圆予以接合，但也可使用聚酰亚胺树脂(polyimide resin)来代替低熔点玻璃。在使用聚酰亚胺树脂的情况下，可采用网版印刷，也可将感光性的聚酰亚胺树脂涂布于整个面之后进行曝光。而且，在本说明书中，使用了晶体振动片，但除了晶体以外，还可利用钽酸锂、铌酸锂等的压电材料。此外，也可将本发明作为压电元件而应用于压电振荡器，该压电振荡器是将装入有振荡电路的集成电路(Integrated Circuit, IC)等配置于封装体(package)内而成。
权利要求
1.一种压电元件，为具有通过施加电压而发生振动的振动部的压电元件，所述压电元件的特征在于包括 矩形的第一板，构成收纳着所述振动部的封装体的一部分，且所述第一板具有ー对直线状的第一边、及与所述第一边垂直的一对直线状的第二边；以及 矩形的第二板，接合于所述第一板，且所述第二板构成收纳着所述振动部的封装体的一部分， 其中，在所述ー对第一边上形成有从外周凹陷而成的一对城堡形部分，所述ー对城堡形部分是分别配置于两个区域，所述两个区域是被通过所述第一板的中心、且与所述第二边呈平行的直线所分开。
2.根据权利要求I所述的压电元件，其特征在干， 所述第一板包括基底部，所述基底部安装有所述压电元件、且载置有所述振动部， 所述第二板包括盖部，所述盖部接合于所述基底部、且将所述振动部予以密封。
3.根据权利要求I所述的压电元件，其特征在干， 所述第二板包括压电框架，所述压电框架具有所述振动部与框体，所述框体将所述振动部予以包围且构成所述封装体的一部分， 所述第一板包括接合于所述压电框架的所述框体的一个面的基底部，且 所述压电元件还包括 盖部，所述盖部接合于所述压电框架的所述框体的另一面，且构成将所述振动部予以密封的所述封装体的一部分。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的压电元件，其特征在干， 借由粘接剂来将所述第一板与所述第二板予以接合， 所述粘接剂是在350°C 410°C时熔融的玻璃材料。
5.一种压电元件的制造方法，为具有通过施加电压而发生振动的振动部的压电元件的制造方法，所述压电元件的制造方法的特征在于包括 准备第一晶圆的步骤，所述第一晶圆具有多个矩形的第一板，所述多个矩形的第一板构成收纳着所述振动部的封装体的一部分，且所述第一板包含ー对第一边、及与所述第一边垂直的ー对第二边； 形成贯通孔的步骤，在所述ー对第一边上，从所述第一边和所述第二边的交点到所述第一边的中央之间，形成将所述第一晶圆予以贯通的贯通孔； 准备第二晶圆的步骤，所述第二晶圆具有多个矩形的第二板，所述第二板构成收纳着所述振动部的封装体的一部分； 第一接合步骤，借由粘接剂来将所述第一晶圆与所述第二晶圆予以接合； 第一切断步骤，在所述第一接合步骤之后，沿着所述第一边将已接合的所述第一晶圆及所述第二晶圆予以切断；以及 第二切断步骤，在所述第一切断步骤之后，沿着所述第二边将已接合的所述第一晶圆及所述第二晶圆予以切断。
6.根据权利要求5所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 所述第一晶圆包括基底晶圆，所述基底晶圆具有载置着所述振动部的多个基底部， 所述第二晶圆包括盖晶圆，所述盖晶圆具有多个盖部，所述多个盖部接合于所述基底晶圆，且构成将所述振动部予以密封的所述封装体。
7.根据权利要求5所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 所述第二晶圆包括压电晶圆，所述压电晶圆具有多个压电框架，所述压电框架具有所述振动部与框体，所述框体将所述振动部予以包围且构成所述封装体的一部分， 所述第一晶圆包括基底晶圆，所述基底晶圆接合于所述压电晶圆的一面、且所述基底晶圆具有多个基底部， 其中，所述压电元件的制造方法还包括 准备盖晶圆的步骤，所述盖晶圆具有多个盖部，所述盖部将所述框体以及所述基底部 与所述振动部予以密封、而构成所述封装体；以及 第二接合步骤，在所述第一切断步骤之前，借由所述粘接剂来将所述盖晶圆接合于所述压电晶圆的另一面。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 在准备所述第一晶圆的步骤中，所述第一边的长度形成得比所述第二边的长度更短。
9.根据权利要求5至7中任一项所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 在所述第一切断步骤中，将所述贯通孔一分为ニ。
10.根据权利要求8所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 在所述第一切断步骤中，将所述贯通孔一分为ニ。
11.根据权利要求5至7中任一项所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 在所述第一切断步骤中，沿着所述贯通孔的缘部，以在ー个所述压电元件中至少形成两个所述贯通孔的方式进行切断。
12.根据权利要求8所述的压电元件的制造方法，其特征在干， 在所述第一切断步骤中，沿着所述贯通孔的缘部，以在ー个所述压电元件中至少形成两个所述贯通孔的方式进行切断。
全文摘要
本发明的目的是提供一种压电元件以及压电元件的制造方法，在从晶圆状态切割成各个压电元件单体时不易产生破损，能以晶圆状态来测定各个晶体振动片的频率并进行调整。压电元件(100)包括矩形的第一板(12)，构成收纳着振动部(10)的封装体的一部分，且具有一对直线状的第一边(L1)及与第一边垂直的一对直线状的第二边(L2)；矩形的第二板(11)，接合于第一板且构成收纳着振动部的封装体的一部分；以及粘接剂(LG)，包含将第一板与第二板予以接合的玻璃材料。另外，在一对第一边上，形成有从外周凹陷的一对城堡形部分(122)，一对城堡形部分分别配置于如下的两个区域，该两个区域是被通过第一板的中心且与第二边呈平行的直线(Ax)所分开。
文档编号H03H3/02GK102651637SQ20121003977
公开日2012年8月29日 申请日期2012年2月20日 优先权日2011年2月23日
发明者关口浩基 申请人:日本电波工业株式会社