本申请是申请日为2011年9月8日、申请号为201180046337.0的中国专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及耐化学品性及粘接性优良的印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板及印刷电路板。特别是提供对于以BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂浸渗基材为代表的封装用基板、并且对于形成精细图案时的化学品处理，可以得到强的剥离强度，且能够进行精细蚀刻的铜箔及其制造方法以及印刷电路板。另外，提供在对铜箔进行整体蚀刻后、通过无电解镀敷形成铜图案的方法中，可以大幅地提高剥离强度的印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板。
背景技术：
半导体封装基板用铜箔一般也称作印刷电路板用铜箔，通常通过如下的工序制作。首先，在合成树脂等基材上在高温高压下层叠粘接铜箔。接着，为了在基板上形成目标导电性电路，利用耐腐蚀性树脂等材料在铜箔上印刷与电路同等的电路。然后，通过蚀刻处理除去露出的铜箔的不需要部分。蚀刻后，除去由树脂等材料构成的印刷部，在基板上形成导电性电路。最后在所形成的导电性电路上焊接预定的元件，从而形成电子器件用的各种印刷电路板。最后，与抗蚀剂或叠增(ビルドアップ)树脂基板接合。一般，对于印刷电路板用铜箔的品质要求，在与树脂基材粘接的粘接面(所谓的粗化面)和非粘接面(所谓的光泽面)是不同的，需要同时满足二者。对于光泽面，要求：(1)外观良好以及保存时没有氧化变色；(2)焊料濡湿性良好；(3)高温加热时没有氧化变色；(4)与抗蚀剂的粘附性良好等。另一方面，对于粗化面，主要的要求可以列举：(1)保存时没有氧化变色；(2)即使在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后，与基材的剥离强度依然充分；(3)与基材层叠、蚀刻后不产生所谓的层叠污点等。另外，近年来伴随图案的精细化，正在要求铜箔的低轮廓(ロープロファイル)化。考虑该点，则需要增加铜箔粗化面的剥离强度。另外，伴随通信的高速化、大容量化，个人电脑、移动体通信等电子设备的电信号的高频化不断发展，因此要求能够适应该发展的印刷电路板以及铜箔。电信号的频率达到1GHz以上时，电流仅流经导体表面的集肤效应的影响变得显著，从而不能无视电流传递路径因表面凹凸而产生变化从而阻抗增大的影响。从这一点考虑也期望铜箔的表面粗糙度小。为了应对这样的要求，已对印刷电路板用铜箔提出了多种处理方法。通常，印刷电路板用铜箔的处理方法中使用压延铜箔或电解铜箔，首先，为了提高铜箔与树脂的粘接力(剥离强度)，一般进行对铜箔表面施加由铜和氧化铜构成的微粒的粗化处理。然后，为了使其具有耐热/防锈特性，形成黄铜或锌等的耐热处理层(阻挡层)。然后，为了防止搬运中或保存中的表面氧化等，实施浸渍或电解铬酸盐处理或者电解铬、锌处理等防锈处理，由此得到成品。其中，特别是粗化处理层对于提高铜箔与树脂的粘接力(剥离强度)起到显著的作用。目前认为，该粗化处理中圆化(球状)的突起物为好。该圆化的突起物通过抑制枝晶的发展而得到。但是，该圆化的突起物在蚀刻时剥离，产生“落粉”现象。该现象可以说是必然的。这是因为，与圆化(球状)的突起物的直径相比，球状突起物与铜箔的接触面积非常小。为了避免该“落粉”现象，在上述粗化处理后，在突起物上形成薄的铜镀层来防止突起物的剥离(参考专利文献1)。这具有防止“落粉”的效果，但存在工序增加、“落粉”的防止效果根据其薄的铜镀层产生差异的问题。另外，已知在铜箔上形成由铜和镍的合金构成的针状的结节包覆层的技术(专利文献2)。由于该结节包覆层形成为针状，因此，一般认为，与上述专利文献1中公开的圆化(球状)的突起物相比，其与树脂的粘接强度增加，但该结节包覆层为成分与作为基质的铜箔不同的铜-镍合金，从而在形成铜电路的蚀刻时具有不同的蚀刻速度。因此，存在不适于稳定的电路设计的问题。在形成印刷电路板用铜箔时，一般形成耐热/防锈处理层。形成有作为用于形成耐热处理层的金属或合金的例子的Zn、Cu-Ni、Cu-Co以及Cu-Zn等的被覆层的多个铜箔已实际应用(例如，参考专利文献3)。这些中，形成有由Cu-Zn(黄铜)构成的耐热处理层的铜箔在工业上被广泛使用，这是因为，在层叠到包含环氧树脂等的印刷电路板上的情况下不会产生树脂层的斑点，并且，具有高温加热后的剥离强度的劣化少等优良的特性。关于用于形成由该黄铜构成的耐热处理层的方法，在专利文献4和专利文献5中进行了详细说明。接着，为了形成印刷电路，对形成有这样的由黄铜构成的耐热处理层的铜箔进行蚀刻处理。最近，印刷电路的形成大多使用盐酸系蚀刻液。但是，用盐酸系蚀刻液(例如CuCl2、FeCl3等)对使用形成有由黄铜构成的耐热处理层的铜箔的印刷电路板进行蚀刻处理，除去除印刷电路部分以外的铜箔的不需要部分而形成导电性电路时，存在如下的问题点：在电路图案的两侧引起所谓的电路端部(边缘部)的侵蚀(电路侵蚀)现象，从而与树脂基材的剥离强度变差。该电路侵蚀现象是指如下现象：从通过上述蚀刻处理形成的电路的铜箔与树脂基材的粘接边界层、即由黄铜构成的耐热/防锈处理层露出的蚀刻侧面开始，被上述蚀刻液侵蚀，并且之后的水洗不充分，因此，通常呈黄色(由于由黄铜构成)的两侧被侵蚀而呈红色，并且该部分的剥离强度显著变差。而且，如果该现象在整个电路图案中产生，则电路图案从基材剥离，造成问题。因此，提出了如下的方案：在铜箔的表面进行粗化处理、锌或锌合金的防锈处理及铬酸盐处理后，在铬酸盐处理后的表面上，吸附少量含有铬离子的硅烷偶联剂以提高耐盐酸性(参考专利文献7)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平8-236930号公报专利文献2：日本专利第3459964号公报专利文献3：日本特公昭51-35711号公报专利文献4：日本特公昭54-6701号公报专利文献5：日本专利第3306404号公报专利文献6：日本特愿2002-170827号公报专利文献7：日本特开平3-122298号公报
技术实现要素：
本发明的课题在于，开发在不使铜箔的其它诸特性变差的情况下回避上述电路侵蚀现象的半导体封装基板用铜箔。特别地，其课题在于，提供可以改善铜箔的粗化处理和工序，并提高铜箔与树脂的粘接强度的印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板。为了解决上述课题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果，提供如下的印刷电路板用铜箔及其制造方法以及印刷电路板。1)一种印刷电路板用铜箔，其特征在于，在铜箔的至少一个面上具有铜箔的粗化处理层，所述铜箔的粗化处理层中，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与所述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下。2)根据上述1)所述的印刷电路板用铜箔，其特征在于，在铜箔的至少一个面上，粒子长度的50％的位置的粒子中央的平均直径D2与所述粒子根部的平均直径D1之比D2/D1为1～4。3)根据上述2)所述的印刷电路板用铜箔，其特征在于，粒子长度的90％的位置的粒子顶端的平均直径D3与所述粒子中央的平均直径D2之比D3/D2为0.8～1.0。4)根据上述2)或3)所述的印刷电路板用铜箔，其特征在于，所述粒子中央D2的平均直径为0.7～1.5μm。5)根据上述3)或4)所述的印刷电路板用铜箔，其特征在于，所述粒子顶端的平均直径D3为0.7～1.5μm。6)根据上述1)～5)中任一项所述的印刷电路板用铜箔，其特征在于，在所述粗化处理层上具备含有选自锌、镍、铜、磷的至少一种以上元素的耐热/防锈层，在该耐热/防锈层上具备铬酸盐覆膜层，在该铬酸盐覆膜层上具备硅烷偶联剂层。7)一种印刷电路板用铜箔的制造方法，其特征在于，使用含有选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子的至少一种以上物质的包含硫酸/硫酸铜的电解浴，形成上述1)～6)中任一项所述的粗化处理层。8)根据上述7)所述的印刷电路板用铜箔的制造方法，其特征在于，在所述粗化处理层上形成含有选自锌、镍、铜、磷的至少一种以上元素的耐热/防锈层，然后在该耐热/防锈层上形成铬酸盐覆膜层，再在该铬酸盐覆膜层上形成硅烷偶联剂层。9)一种印刷电路板用铜箔，其特征在于，在具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔上层叠树脂层后通过蚀刻除去铜层后的树脂的表面中，具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为20％以上。10)一种印刷电路板用树脂基板，其特征在于，在所述1)～8)中任一项的具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔上层叠树脂层后通过蚀刻除去铜层后的树脂中，转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为20％以上。11)一种印刷电路板，其中，在具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔上层叠树脂层后通过蚀刻除去铜层后的树脂表面上，按照无电解镀铜、电镀的顺序进行镀敷，形成铜层，再通过蚀刻形成电路。12)一种印刷电路板，其中，在所述1～8中任一项的具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔上层叠树脂层后通过蚀刻除去铜层后的树脂表面上，按照无电解镀铜、电镀的顺序进行镀敷，形成铜层，再通过蚀刻形成电路。13)根据1)或12)所述的印刷电路板，其特征在于，在10μm的电路宽度中存在5个以上的针状粒子。发明效果如上所示，本发明的印刷电路板用铜箔，在铜箔的至少一个面上形成针状或棒状的微细的粗化粒子，而不形成目前认为良好的粗化处理的圆化的(球状)突起物。该铜箔具有如下的优良效果：可以提供能够提高与树脂的粘接强度，对于封装用基板，并且即使对于形成精细图案时的化学品处理，也能够增大剥离强度，能够进行精细蚀刻的印刷电路板。另外，该铜箔对于如下的方法也有用：先通过蚀刻除去整个铜层，再向树脂层转印粗化面，由此提高与之后在树脂面上形成的电路用的铜镀层(无电解镀敷层)的粘附力。本发明在近年来印刷电路的精细图案化以及高频化发展中作为印刷电路用铜箔(半导体封装基板用铜箔)、及半导体封装基板用铜箔与半导体封装用树脂粘贴而制作的半导体封装用基板极其有效。附图说明图1是粒子尺寸的概略说明图。图2是实施例1的粗化处理层的FIB-SIM照片(左侧)及在铜层上层叠树脂后、通过蚀刻除去铜层后的树脂(复制物(レプリカ))表面的SEM照片(右侧)。图3是比较例1的粗化处理层的FIB-SIM照片及在铜层上层叠树脂后、通过蚀刻除去铜层后的树脂(复制物)表面的SEM照片(右侧)。具体实施方式接着，为了容易地理解本发明，具体且详细地说明本发明。本发明中使用的铜箔可以为电解铜箔或者压延铜箔。如上所述，本发明的印刷电路板用铜箔，在铜箔的至少一个面上形成针状或棒状的微细的粗化粒子，而不形成目前认为良好的粗化处理的圆化的(球状)突起物。其形状为，具有粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。作为更期望的形状，在铜箔的至少一个面上，粒子长度的50％的位置的粒子中央的平均直径D2与上述粒子根部的平均直径D1之比D2/D1为1～4。另外，粒子长度的90％的位置的粒子顶端的平均直径D3与上述粒子中央的平均直径D2之比D3/D2可以设定为0.8～1.0。该情况下，期望上述粒子中央D2的平均直径为0.7～1.5μm，上述粒子顶端的平均直径D3为0.7～1.5μm。图1表示粒子尺寸的概略说明图。在图1中，表示粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1、粒子长度的50％的位置的粒子中央的平均直径D2、粒子长度的90％的位置的粒子顶端D3。由此，可以指定粒子的形状。另外，可以在上述粗化处理层上形成含有选自锌、镍、铜、磷的至少一种以上元素的耐热/防锈层，在该耐热/防锈层上形成铬酸盐覆膜层，并在该铬酸盐覆膜层上形成硅烷偶联剂层。这些铜箔的粗化处理层可以使用含有选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子的物质的至少一种以上的包含硫酸/硫酸铜的电解浴而形成，可以通过以形成上述形状的方式任意设定电解处理条件而实现。另外，可以在所述粗化处理层上形成含有选自锌、镍、铜、磷的至少一种以上元素的耐热/防锈层，然后在该耐热/防锈层上形成铬酸盐覆膜层，再在该铬酸盐覆膜层上形成硅烷偶联剂层。形成有上述粗化处理层的铜箔和树脂可以通过压制法或层压法等方法形成层叠体。另外，象这样在具有粗化处理层的铜箔上层叠树脂，并通过蚀刻除去铜层后，在除去铜层后的树脂上转印了铜箔的粗化面的凹凸。该被转印的树脂的凹凸显示了铜箔表面的粗化粒子的形状和个数分布，是重要的。在铜箔的粗糙面的粒子的根部细的情况下，孔的直径变小，树脂表面中孔所占面积的总和变小。铜箔的粗糙面的粒子的根部细的、所谓的倒泪滴状的粒子，表面上看铜箔与树脂的粘接强度增加，但由于铜层与粗化粒子的粘附宽度窄，因此，在将铜层和树脂层剥离时，粗化粒子容易从其根部切断，在铜层与粗化粒子的界面或者在从粗化粒子的根部切断的部分剥离，从而粘附力降低。树脂表面中孔所占面积的总和需要为20％以上。另外，在铜箔的粗糙面的粒子的根部细的情况下，通过蚀刻除去铜层后的树脂的孔变为陶罐状，表面的孔小，因此，即使在树脂表面形成无电解镀敷的情况下，无电解镀敷液也不会进入，从而无电解镀敷变得不完全。当然，产生镀敷的剥离强度降低这样的问题。可见，铜箔的粗化面需要某种程度的直径和长度，从而转印该铜箔的粗糙面后具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和变得重要。通过将其设定为20％以上，可以提高电路的剥离强度。如上所述，可以得到在具有粗化处理层的铜箔上层叠树脂层后、通过蚀刻除去铜层后的树脂表面上，按照无电解镀铜、电解镀铜的顺序进行镀敷，形成铜层，再通过蚀刻形成电路的印刷电路板，无电解镀敷、电镀层(铜层)在树脂基板的粗糙面的凹凸上形成，从而反映该树脂表面的凹凸，形成针状粒子或棒状的粒子。优选在10μm的电路宽度中存在5个以上的针状粒子或棒状的粒子，由此，可以大幅提高树脂与通过无电解镀敷形成的电路层的粘接强度。本发明提供这样形成的印刷电路板。如上所述，包含针状或者棒状的微细的铜的粗化粒子的粗化处理层，可以使用含有选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子的物质的至少一种以上的包含硫酸/硫酸铜的电解浴来制造。包含针状的微细的铜的粗化粒子的粗化处理层，为了防止落粉、提高剥离强度，期望用包含硫酸/硫酸铜的电解浴进行镀覆。具体的处理条件如下所示。(液组成1)CuSO4·5H2O：39.3～118g/LCu：10～30g/LH2SO4:10～150g/LNa2WO4·2H2O：0～90mg/LW：0～50mg/L十二烷基硫酸钠：0～50mgH3AsO3(60％水溶液)：0～6315mg/LAs：0～2000mg/L(电镀条件1)温度：30～70℃(电流条件1)电流密度：25～110A/dm2粗化库仑量：50～500As/dm2镀敷时间：0.5～20秒(液组成2)CuSO4·5H2O：78～314g/LCu：20～80g/LH2SO4:50～200g/L(电镀条件2)温度：30～70℃(电流条件2)电流密度：5～50A/dm2粗化库仑量：50～300As/dm2镀敷时间：1～60秒另外，可以在上述粗化处理层上进一步形成含有选自锌、镍、铜、磷的至少一种以上元素的耐热/防锈层，在该耐热/防锈层上形成铬酸盐覆膜层，并在该铬酸盐覆膜层上形成硅烷偶联剂层，来制成印刷电路板用铜箔。作为耐热/防锈层，没有特别限制，可以使用现有的耐热/防锈层。例如，可以对半导体封装基板用铜箔使用目前使用的黄铜包覆层。另外，在该耐热/防锈层上形成铬酸盐覆膜层以及硅烷偶联剂层，从而得到铜箔的至少与树脂的粘接面。在树脂上层叠粘接具有包含这些铬酸盐覆膜层和硅烷偶联剂层的包覆层的铜箔，再在该铜箔上形成耐腐蚀性的印刷电路，然后，通过蚀刻除去除印刷电路部分以外的铜箔的不需要部分，形成导电性电路。作为耐热/防锈层，可以使用现有的处理，具体而言，例如，可以使用下面的处理。(液组成)NaOH：40～200g/LNaCN：70～250g/LCuCN：50～200g/LZn(CN)2：2～100g/LAs2O3：0.01～1g/L(液温)40～90℃(电流条件)电流密度：1～50A/dm2镀敷时间：1～20秒上述铬酸盐覆膜层可以使用电解铬酸盐覆膜层或者浸渍铬酸盐覆膜层。该铬酸盐覆膜层优选Cr量为25-150μg/dm2。Cr量低于25μg/dm2时，没有防锈层的效果。另外，Cr量超过150μg/dm2时，效果饱和，因此造成浪费。因此，Cr量优选设定为25-150μg/dm2。下面记载用于形成上述铬酸盐覆膜层的条件例。但是，如上所述，无需限定于该条件，已经公知的铬酸盐处理均可使用。该防锈处理是对耐酸性产生影响的因素之一，通过铬酸盐处理，耐酸性进一步提高。(a)浸渍铬酸盐处理K2Cr2O7:1～5g/L、pH:2.5～4.5、温度:40～60℃、时间:0.5～8秒(b)电解铬酸盐处理(铬、锌处理(碱性浴))K2Cr2O7:0.2～20g/L；酸：磷酸、硫酸、有机酸；pH:1.0～3.5；温度:20～40℃；电流密度:0.1～5A/dm2；时间:0.5～8秒(c)电解铬、锌处理(碱性浴)K2Cr2O7(Na2Cr2O7或者CrO3):2～10g/L、NaOH或者KOH:10～50g/L、ZnOH或者ZnSO4·7H2O:0.05～10g/L、pH:7～13、浴温:20～80℃、电流密度:0.05～5A/dm2、时间:5～30秒(d)电解铬酸盐处理(铬、锌处理(酸性浴))K2Cr2O7:2～10g/L、Zn:0～0.5g/L、Na2SO4:5～20g/L、pH:3.5～5.0、浴温:20～40℃、电流密度:0.1～3.0A/dm2、时间:1～30秒作为用于本发明的半导体封装基板用铜箔的硅烷偶联剂层，可以使用通常用于铜箔的硅烷偶联剂，没有特别限制。例如，如下示出的硅烷处理的具体的条件。0.2％环氧硅烷/0.4％TEOS、PH5也可以使用含有一种以上的四烷氧基硅烷和具备具有与树脂的反应性的官能团的烷氧基硅烷的硅烷偶联剂层。可以说该硅烷偶联剂层的选择是任意的，但可以说优选考虑与树脂的粘接性进行选择。实施例接着，对实施例及比较例进行说明。需要说明的是，本实施例表示适合的一个例子，本发明并不限定于这些实施例。因此，本发明的技术构思所包含的变形、其它实施例或实施方式全部包含在本发明中。需要说明的是，为了和本发明进行比较，记载比较例。(实施例1)使用厚度12μm的电解铜箔(铜层粗化形成面粗糙度：Rz0.6μm)，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷。以下，表示处理条件。这些均是用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比设为2.50。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃本粗化处理后，进行如下所示的正常镀敷。以下表示处理条件。(液组成2)CuSO4·5H2O：156g/LCu：40g/LH2SO4:100g/L(电镀温度1)40℃(电流条件1)电流密度：30A/dm2粗化库仑量：150As/dm2接着，在耐热/防锈层上进行电解铬酸盐处理。电解铬酸盐处理(铬、锌处理(酸性浴))CrO3：1.5g/LZnSO4·7H2O:2.0g/LNa2SO4:18g/LpH:4.6、浴温:37℃电流密度:2.0A/dm2时间:1～30秒(PH调节用硫酸或氢氧化钾实施)接着，在该铬酸盐覆膜层上实施硅烷处理(通过涂布进行)。硅烷处理的条件如下所示。0.2％环氧硅烷将实施例1的粗化处理层的FIB-SIM照片示于图2的左侧。该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.17μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.57μm，粒子长度L1为2.68，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为4.74，由上述图2可知，形成为针状或棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，满足本申请发明的条件，即粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明方面是必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.57之外，还示出中央的平均直径D2:0.83、顶端的平均直径D3:0.68、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝1.47、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝1.21、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.83，均适合本申请发明的优选的要件。但是，应该容易理解，这些条件不是本申请发明的最重要要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂。将通过蚀刻除去层叠有树脂的铜层后的树脂(复制物)表面的SEM照片示于图2的右侧。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为51％，孔的密度为2.10个/μm2，可知满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为1.01kg/cm，加热后的剥离强度为0.94kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(实施例2)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。这些条件均是用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比设定为3.10。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.51μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.51μm，粒子长度L1为2.68μm，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为5.21，由上述图2推定可知，形成为针状或者棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明方面是必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.51μm以外，还示出中央的平均直径D2:0.78μm、顶端的平均直径D3:0.68μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝1.51、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝1.32、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.87，均适合本申请发明的优选的要件。但是，应该容易理解，这些条件不是本申请发明的最重要的要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为29％，孔的密度为1.93个/μm2，可知满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.81kg/cm，加热后的剥离强度为0.78kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(实施例3)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。这些条件均是用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比为4.30。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.56μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.59μm，粒子长度L1为2.68μm，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为4.52，由上述图2推定可知形成为针状或者棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明的方面为必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.51μm之外，还示出中央的平均直径D2:0.73μm、顶端的平均直径D3:0.65μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝1.23、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝1.10、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.89，均适合于本申请发明的优选的要件。但是，应该容易理解，这些条件不是本申请发明最重要的要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为43％，孔的密度为1.77个/μm2，可知满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.84kg/cm，加热后的剥离强度为0.77kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(实施例4)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。这些条件均为用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比为3.50。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.62μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.89μm，粒子长度L1为2.98μm，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为3.33，由上述图2推定可知，形成针状或者棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明的方面为必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.89μm以外，还示出中央的平均直径D2:1.65μm、顶端的平均直径D3:0.98μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝1.18、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝1.10、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.93，这些条件均适合于本申请发明的优选的要件。但是，应容易理解，这些条件不是本申请发明的最重要的要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为78％，孔的密度为2.02个/μm2，可知满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.90kg/cm，加热后的剥离强度为0.86kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(实施例5)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。这些条件均为用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比为4.80。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.01μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.26μm，粒子长度L1为2.68μm，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为10.34，由上述图2推定可知形成为针状或者棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明方面，为必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.26μm以外，还示出中央的平均直径D2:0.84μm、顶端的平均直径D3:0.79μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝3.23、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝3.06、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.95，均适合于本申请发明的优选的要件。但是，应该容易理解，这些条件不是本申请发明最重要的要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂。可知，转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为40％，孔的密度为2.65个/μm2，满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.91kg/cm，加热后的剥离强度为0.84kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(实施例6)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。这些条件均为用于对本申请发明的铜箔形成粗化处理层的工序。粗化粒子形成时的临界电流密度比为3.20。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.48μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.60μm，粒子长度L1为2.68μm，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为4.44，由上述图2推定可知形成针状或者棒状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。该条件在实现本申请发明的方面为必须的要件。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.60μm之外，还示出中央的平均直径D2:0.84μm、顶端的平均直径D3:0.78μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝1.39、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝1.30、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝0.94，均适合于本申请发明的优选的要件。但是，应该容易理解，这些条件不是本申请发明的最重要的要件即必须的要件。严格地讲，表示进一步优选的条件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，形成铜箔和树脂的层叠体后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为93％，孔的密度为2.22个/μm2，可知满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.91kg/cm，加热后的剥离强度为0.91kg/cm，和后述的比较例相比，剥离强度均提高。(比较例1)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。粗化粒子形成时的临界电流密度比为10.50。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃将比较例1的粗化处理层的SEM照片示于图3的左侧。该粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.13μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.12μm，根部宽度小，粒子长度L1为3.87，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为30.97，由上述图3可知形成为不适合本申请发明的针状或者枝晶状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。如上所述，未满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.12μm之外，还示出中央的平均直径D2:0.74μm、顶端的平均直径D3:0.74μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝5.93、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝5.93、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝1.00，均不适合于本申请发明的优选的要件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为2％，孔的密度为1.06个/μm2，可知未满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.54kg/cm，加热后的剥离强度为0.53kg/cm，和前述的实施例相比，剥离强度均大幅变差。如上所述，使用具有根部细的粗化粒子的铜箔的情况下，在剥离铜箔和树脂时，在铜层和粗化粒子界面产生剥离，因此不能期待剥离强度的提高。(比较例2)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。粗化粒子形成时的临界电流密度比为9.50。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃比较例2的粗化处理层的表面粗糙度Rz为1.02μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.15μm，根部宽度小，粒子长度L1为2.83，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为18.54，由上述图3推定可知，形成为不适合本申请发明的针状或者枝晶状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。如上所述，未满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.15μm之外，还示出中央的平均直径D2:0.65μm、顶端的平均直径D3:0.65μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝4.25、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝4.25、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝1.00，但是，均不适合于本申请发明的优选的要件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，在铜箔上层叠树脂后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂表面中孔所占面积的总和为4％，孔的密度为2.11个/μm2，可知未满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.54kg/cm，加热后的剥离强度为0.53kg/cm，和前述的实施例相比，剥离强度均大幅地变差。如上所述，使用具有根部细的粗化粒子的铜箔的情况下，剥离铜箔和树脂时，在铜层和粗化粒子界面产生剥离，因此不能期待剥离强度的提高。(比较例3)使用厚度12μm的电解铜箔，对该铜箔的粗糙面(消光表面：M面)进行如下所示的粗化镀敷和与实施例1同样的正常镀敷。以下，表示粗化镀敷处理条件。粗化粒子形成时的临界电流密度比为9.80。(液组成1)CuSO4·5H2O：58.9g/LCu：15g/LH2SO4:100g/LNa2WO4·2H2O：5.4mg/LW：3mg/L十二烷基硫酸钠添加量：10ppm(电镀温度1)50℃比较例3的粗化处理层的表面粗糙度Rz为0.88μm，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.14μm，根部宽度小，粒子长度L1为2.98，与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为20.64，由上述图3推定可知形成不适合本申请发明的针状或者枝晶状的粒子形状。需要说明的是，粗化粒子的直径的测定基于JISH0501项目7切断法。如上所述，未满足本申请发明的条件，即本申请发明的粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。将该结果示于表1中。需要说明的是，在表1中，除粗化粒子的根部的平均粒径(宽度)D1:0.14μm之外，还示出中央的平均直径D2:0.65μm、顶端的平均直径D3:0.65μm、以及中央的平均直径与根部的平均直径之比：D2/D1＝4.50、顶端的平均直径与根部的平均直径之比：D3/D1＝4.50、顶端的平均直径与中央的平均直径之比：D3/D2＝1.00，但是均不适合于本申请发明的优选的要件。接着，使用该铜箔，树脂使用MBT-830，形成铜箔和树脂的层叠体后，通过蚀刻除去铜层。转印铜箔的粗化面后的具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为14％，孔的密度为3.12个/μm2，可知未满足本申请发明的孔所占面积的总和为20％以上的条件。作为层叠体的常态剥离强度和加热后的剥离强度，对如上所述在铜箔上层叠有树脂(MBT-830)的层叠体进行测定，同样地将其结果示于表1中。剥离强度的电路宽度为10mm。常态剥离强度为0.54kg/cm，加热后的剥离强度为0.53kg/cm，和前述的实施例相比，剥离强度均大幅地变差。如上所述，使用具有根部细的粗化粒子的铜箔的情况下，剥离铜箔和树脂时，在铜层和粗化粒子界面产生剥离，因此，不能期待剥离强度的提高。由上可知，本申请发明的印刷电路板用铜箔，在铜箔的至少一个面上形成针状的微细的粗化粒子，而不形成目前认为良好的粗化处理的圆化的(球状)突起物或枝晶状的结晶粒径，由此，具有如下的显著效果：可以提供能够提高铜箔自身与树脂的粘接强度，对于封装用基板，并且即使对于形成精细图案时的化学品处理，也能够增大剥离强度，能够进行精细蚀刻的铜箔及其制造方法。产业实用性如以上所示，本发明在铜箔的至少一个面上形成针状的微细的粗化粒子，由此，具有如下的显著效果：可以提供能够提高铜箔自身与树脂的粘接强度，对于封装用基板，并且即使对于形成精细图案时的化学品处理，也能够增大剥离强度，能够进行精细蚀刻的铜箔及其制造方法。本发明在近年来印刷电路的精细图案化以及高频化发展中作为印刷电路用铜箔(半导体封装基板用铜箔)、及半导体封装基板用铜箔与半导体封装用树脂粘贴而制作的半导体封装用基板极其有效。