本实用新型涉及电路板的零部件，特别是涉及一种TD天线板用高PIM值微波基板。
背景技术：
PIM(passive intermodulation)体现了整个基站的特性，是基站天线的重要参数之一。大多数无线发射和接收频段的选择非常谨慎，避免最大的互调产物落入接收频段，且避免自身的高阶互调产物落入一些通信频段。但是更多的情况是，附近竞争者的基站(或共站的竞争者)多产生互调产物会成为棘手的干扰源。所以，PIM指标也为基站天线客户的重要指标，PIM值的高低直接影响高频设备的生产质量。
技术实现要素：
针对上述现有技术现状，本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高精PIM值的TD天线板用高PIM值微波基板。
为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种TD天线板用高PIM值微波基板，包括：
PTFE薄膜；
两层玻纤布，两层玻纤布分别固定在所述PTFE薄膜的两侧面上；以及
两层反转铜箔，两层反转铜箔分别通过粘贴薄膜固定在两层所述玻纤布背对所述PTFE薄膜的侧面上，所述反转铜箔的粗造度为2～3um。
在其中一个实施例中，所述粘贴薄膜为PFA膜。
在其中一个实施例中，所述粘贴薄膜的厚度为0.02～0.04mm。
在其中一个实施例中，所述反转铜箔、所述粘贴薄膜、所述PTFE薄膜及所述玻纤布采用热压工艺叠置在一起。
与现有技术相比，本实用新型提供的TD天线板用高PIM值微波基板，将 反转铜箔降低至2～3um，降低之后将对PCB基板生产过程中的线路制作精度大大提高，从而保证产品高PIM值精度要求；而且，为了保证降低反转铜箔粗造度带来的微波基板附着力不良问题，该微波基板采用复合层叠结构，保证产品附着力。
本实用新型附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书具体实施方式部分进行说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的TD天线板用高PIM值微波基板的结构示意图。
附图标记说明：1、反转铜箔；2、粘贴薄膜；3、玻纤布；4、PTFE薄膜。
具体实施方式
下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。
参见图1，本实用新型其中一个实施例中的TD天线板用高PIM值微波基板包括两层反转铜箔1、两层粘贴薄膜2、两层玻纤布3及PTFE薄膜4，其中，两层玻纤布3分别固定在所述PTFE薄膜4的两侧面上。玻纤布3和PTFE薄膜4为介质材料，PTFE薄膜4的介电性能和耐高低温性能优良。
两层反转铜箔1分别通过粘贴薄膜2固定在两层所述玻纤布3背对所述PTFE薄膜4的侧面上，所述反转铜箔1的粗造度为2～3um，优选地，反转铜箔1的粗造度为2.5um。本实施例中的TD天线板用高PIM值微波基板，将反转铜箔降低至2～3um，降低之后将对PCB基板生产过程中的线路制作精度大大提高，从而保证产品高PIM值精度要求。
优选地，所述粘贴薄膜2为PFA膜，PFA膜为少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，其熔融粘结性增强，而性能、电气性能与聚四氟乙烯相比无变化。进一步优选地，所述粘贴薄膜2的厚度为0.02～0.04mm。PFA薄膜的厚度选择经过发明人多次试验验证取得，兼顾节约成本和保证表面铜箔附 着力两点需求，在降低的PFA使用量的前提下，满足客户物性可靠性表铜附着力≥0.71n/mm要求，最终产品附着力可以达到1.2n/mm完全满足客户要求。
优选地，所述反转铜箔1、所述粘贴薄膜2、所述PTFE薄膜4及所述玻纤布3采用热压工艺叠置在一起，可以提高附着力。
综上，本实用新型实施例的TD天线板用高PIM值微波基板，可以满足客户高精PIM值需求，而且，通过复合工艺解决反转铜箔粗造度降低后带来的附着力不良问题。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。