083] 5 恒流源
[0084] 6 保护模块
[0085] 7 电线路
[0086] C 电容器
[0087] G 接地（Ground)
[0088] M 调制周期
[0089] 0 关断时间窗
[0090] P时间区间
[0091] R电阻器
[0092]t 时间
[0093]tn 接通持续时间
[0094]T 调制周期的总持续时间
【主权项】
1. 一种用于运行装置的方法，其中 -所述装置（1)具有N个发射辐射的半导体芯片（2)并且N是自然数，其中2; -所述半导体芯片（2)以串联电路（20)设置； -所述装置（1)包括多个开关元件（3)，并且所述开关元件（3)中的一个开关元件与每 个所述半导体芯片（2)或一组半导体芯片（2)并联连接； -所述装置（1)包括用于彼此独立地控制所述开关元件（3)的控制单元（3); -所述装置（1)包括用于对所述串联电路（20)通电的恒流源（5); -在关断时，由所述开关元件（3)电跨接相应的所述半导体芯片（2); -所述装置（1)包括保护模块（6)，并且 _所述保护模块（6)在关断一个或多个所述半导体芯片（2)时降低或防止电流峰值。2. 根据上一项权利要求所述的方法， 其中 -借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片（2); -以k位的分辨率进行所述控制，其中kGN并且k彡3 ; -调制周期（M)具有总持续时间T; _所述调制周期（M)划分为k或k+1个时间区间（P)，所述时间区间适用于所有半导体 芯片（2); -至少k个所述时间区间的持续时间为2mt0,其中mG[〇 ;k-l]N并且其中t0彡T2、 -在具有总持续时间T的调制周期（M)期间，将第n个半导体芯片（2)以接通持续时间 tn接通，并且tn由对应于以k位进行控制的所述时间区间（P)的总和组成，其中tn<T; _nG[I；N]N； -通过所述保护模块（6)，将所述时间区间（P)升序地根据在相应的时间区间（P)中接 通的所述半导体芯片（2)的数量排列，使得在所述调制周期（M)期间，接通的所述半导体芯 片（2)的数量至少直至倒数第二个时间区间（P)单调地增大。3. 根据上一项权利要求所述的方法， 其中 -将所述调制周期（M)划分为k+1个时间区间（P); -在所述调制周期（M)的倒数第二个时间区间结束时，同步地关断所有在该时间区间 (P)中接通的半导体芯片（2)，使得在最后的时间区间（P)中，所有半导体芯片（2)是关断 的，并且 -在所述调制周期（M)期间至少两次接通至少一个所述半导体芯片（2)。4. 根据权利要求1所述的方法， 其中 -借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片（2); -在具有总持续时间T的调制周期（M)期间，将第n个半导体芯片（2)以接通持续时间tn接通，其中KT; _nG[I;N]N，并且 -通过所述保护模块（6)，将第n个半导体芯片（2)在所述调制周期（M)开始之后在时 间点T-tn接通，使得将所有在所述调制周期（M)期间接通的半导体芯片（2)同步地在所述 调制周期（M)结束时共同地关断。5. 根据权利要求1所述的方法， 其中 -借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片（2); -在具有总持续时间T的调制周期（M)期间，将第n个半导体芯片（2)以连续的接通持 续时间tn接通，其中tn<T; _nG[I；N]N； -通过所述保护模块（6)，仅将所述半导体芯片（2)的一部分在所述调制周期（M)开始 时接通，并且 -通过所述保护模块（6)，在所述调制周期（M)之内关断至少一个所述半导体芯片（2) 并且同时接通另一个所述半导体芯片（2)。6. 根据上一项权利要求所述的方法， 其中所述接通持续时间、通过所述保护模块（6)彼此协调并且在所述调制周期（M)之 内推迟，使得所述半导体芯片（2)的同时的接通过程和关断过程的数量最大化。7. 根据权利要求5或6所述的方法， 其中将所述半导体芯片（2)的至少一些由所述控制单元（4)输出的理论接通持续时间 通过所述保护模块（6)至多改变所述总持续时间T的15%，以便得到实际的接通持续时间 tn〇8. 根据权利要求1所述的方法， 其中 -借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片（2); -在具有总持续时间T的调制周期（M)期间，将第n个半导体芯 片⑵以连续的接通持续时间tn接通，其中tn<T; _nG[I；N]N； -通过所述保护模块（6)，将第一部分的所述半导体芯片（2)在所述调制周期（M)开始 时接通，并且 -通过所述保护模块（6)将第二部分的所述半导体芯片（2)在所述调制周期（M)开始 之后在时间点T-tn接通，使得在所述调制周期（M)结束时同时关断所述第二部分的半导体 芯片（2)。9. 根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述保护模块（6)的附加开关元件（33)共同地与所有开关元件（3)电并联连接； 其中在关断所述半导体芯片（2)期间，通过切换所述开关元件（3)，所述半导体芯片 (2)分别通过所述附加开关元件（33)电跨接。10. 根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中在关断所述半导体芯片（2)期间，通过切换所述开关元件（3)，由所述保护模块 (6)中断或降低所述恒流源（5)的电流输送，其中在关断所述半导体芯片⑵期间，与接通 的所述半导体芯片（2)的数量相关地来根据关断的所述半导体芯片（2)的份额降低电流输 送。11. 根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述保护模块（6)包括形成RC节的电阻器（R)和电容器（C); 其中至少一部分所述开关元件（3)分别与RC节连接，并且所述RC节具有不同的时间 常数。12. 根据上一项权利要求的方法， 其中 -借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片（2)，以及 -所述时间常数至多相差所述脉冲宽度调制的最小的时间片。13. 根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所有半导体芯片（2)是结构相同的并且设立为用于放射相同光谱组成的光。14. 一种用于根据上述权利要求中任一项所述的方法的装置（1)， 其中所述装置安装在自适应车辆前照灯中，并且自适应通过控制所述半导体芯片（2) 来实现。
【专利摘要】在至少一个实施方式中提出一种用于运行装置(1)的方法。装置(1)具有N个发射辐射的半导体芯片(2)。半导体芯片(2)以电串联电路设置。装置(1)包括多个开关元件(3)，其中开关元件(3)中的一个开关元件电并联连接至每个半导体芯片(2)。装置(1)包括用于彼此独立地控制开关元件(3)的控制单元(4)。装置(1)包括用于对串联电路进行通电的恒流源(5)。在关断时，相应的、与开关元件(3)相关联的半导体芯片(2)由开关元件(3)电跨接。装置(1)的保护模块(6)设立为用于：在关断一个或多个半导体芯片(2)时，降低或防止电流峰值。
【IPC分类】H05B33/08
【公开号】CN104938028
【申请号】CN201480005563
【发明人】诺贝特·黑夫纳, 乌尔里希·弗雷, 斯特凡·格勒奇, 赖纳·胡贝尔
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年1月7日
【公告号】DE102013100663A1, US20150351176, WO2014114486A2, WO2014114486A3